Нижняя обкладка - конденсатор
Cтраница 3
Ток разряда, проходя через конденсатор С, несколько разряжает его ( в схеме Cj С), и потенциал нижней обкладки конденсатора С повышается. После прекращения действия импульса диод Д запирается и конденсатор Ci заряжается до исходного напряжения. Постоянная времени заряда приблизительно равна Ci ( Rai Ri) и выбирается так, чтобы к моменту прихода следующего импульса процесс полностью закончился: Ci ( ai i) Ти, где Тя - период чередования импульсов. [31]
Подключать и отключать приборы в цепи между конденсаторами связи и фильтром присоединения разрешается только при заземленной с помощью заземляющего ножа нижней обкладке конденсатора связи. При многократном пересоединении приборов в процессе измерений нижняя обкладка конденсатора связи каждый раз должна заземляться. [32]
В качестве примера приведем типовую последовательность создания слоев пассивной части толстопленочной гибридной микросхемы: печать, сушка и вжигание проводников и нижних обкладок конденсаторов; печать и сушка диэлектрика; печать и сушка верхних обкладок конденсаторов; совместное вжигание диэлектрика и верхних обкладок; печать, сушка и вжигание резисторов; подгонка параметров элементов; нанесение защитного покрытия и облуживание контактных площадок. [33]
Запрещается отключение заземляющих проводников от защитных устройств, аппаратуры и других элементов оборудования высокочастотной установки, подключенной к ВЛ, без заземления нижней обкладки конденсатора связи. [34]
Фильтр присоединения 3 ( рис. 12 - 3) согласовывает ( уравнивает) входное сопротивление кабеля с входным сопротивлением линии, соединяет нижнюю обкладку конденсатора связи с землей, образуя, таким образом, замкнутый контур для токов высокой частоты, и компенсирует емкость конденсатора связи, что позволяет уменьшить до минимума сопротивление конденсатора для токов высокой частоты. [35]
Не допускается отключение заземляющих проводников от защитных устройств, аппаратуры и других элементов оборудования высокочастотной установки, подключенной к ВЛ, без заземления нижней обкладки конденсатора связи. [36]
 |
Устройство полупроводниковых микросхем резистора ( а, конденсатора ( б, транзистора ( в. [37] |
В пластине кремния р-типа создается - область, образующая изолирующий n - p - лереход, затем сильно легированная примесями п область с большим реактивным сопротивлением, являющаяся нижней обкладкой конденсатора. При толщине диэлектрика 0 05 мкм ( напряжение пробоя 50 В) емкость около 50 нФ / см2, что ограничивает общую емкость до нескольких сотен пикофарад. [38]
 |
Принцип построения ГИС. [39] |
ГИС; б - резистор толстоплеиочной ГИС; / - подложка: 2 - резистор; 3 - контактная площадка; 4 - навесной бескорпусный диод; 5 - вывод диода; 6 - нижняя обкладка конденсатора; 7 - диэлектрик; & - верхняя обкладка конденсатора; У - защитный слой. [40]
При опрокидывании триггера на его инверсном выходе появляется нулевой потенциал ( земля) и конденсатор С1 разряжается по цепи: верхняя обкладка конденсатора С1, резистор R1, выход триггера, земля, источник питания 3 В, резистор R2, нижняя обкладка конденсатора. Время разряда конденсатора С1 составляет около 280 мс. Образовавшийся импульс поступает с коллектора транзистора Т 1 на вход усилительного каскада, собранного на транзисторе Т2, усиливается и подается на выход формирователя. Транзистор ТЗ, работающий в противофазе с транзистором Т2, обеспечивает шунтирование сигналов положительной полярности, попадающих на выход данного формирователя с выходов остальных через элементы схем других функциональных узлов. Диод Д2 я конденсатор С4 предназначены для улучшения формы импульсов. Резисторы R4, R5 и конденсаторы С2, СЗ образуют ускоряющие цепочки RC в базовых цепях транзисторов Т2 и ТЗ. Питание формирователя опорных частот осуществляется стабилизированными напряжениями: 6 3; - 6 3 и 3 В. [41]
Интересный опыт, который подтверждает фотонную теорию и не может быть объяснен волновой теорией, был выполнен А. Ф. Иоффе и Н. И. Добронравовым в 1922 г. Схема опыта показана на рис. IV.57. В электрическом поле плоского конденсатора А - Б была уравновешена заряженная пылинка из висмута В. Нижняя обкладка конденсатора была сделана из очень тонкой алюминиевой фольги. [42]
Подключать и отключать приборы в цепи между конденсаторами связи и фильтром присоединения разрешается только при заземленной с помощью заземляющего ножа нижней обкладке конденсатора связи. При многократном пересоединении приборов в процессе измерений нижняя обкладка конденсатора связи каждый раз должна заземляться. [43]
Страницы: 1 2 3