Нижняя обкладка - конденсатор
Cтраница 2
При этом прямая Im w 0 переходит в нижнюю обкладку конденсатора AI, а прямая Im w 1 - в верхнюю обкладку, представляющую собой ломаную А А А. Из формулы (7.100) при v Im w const получим параметрические уравнения потенциальных кривых данного электростатического поля. [16]
L включена как автотрансформатор, в связи с чем нижняя обкладка конденсатора С заряжается до напряжения, превышающего при больших токах нагрузки более чем в 2 раза напряжение питания. Это означает, что энергия, накопленная в конденсаторе, в данной схеме больше, что необходимо для запирания тиристора три больших токах нагрузки, когда его время вое становления удлиняется. [17]
Когда тиристор отпирается управляющим импульсом от трансформатора Тр2, нижняя обкладка конденсатора Сц заряжается положительно относительно верхней обкладки в результате автотрансформаторного действия Тр. Когда сердечник Тр насыщается, напряжение на Ci прикладывается к Гь создавая на нем обратное напряжение в течение интервала времени, зависящего от тока нагрузки и величины емкости Ct. Это прерывает протекание тока от источника постоянного тока, пока тиристор не будет снова отперт. [18]
Емкость коллекторная область - подложка обычно играет роль паразитной емкости нижней обкладки конденсатора на подложку, поэтому она работает с максимально возможным смещающим напряжением. Структуры диффузионных конденсаторов полупроводниковых микросхем образуются в процессе базовой или эмиттерной диффузии. Внешние соединения формируются одновременно на всей поверхности кристалла. Площадь нужного р - n - перехода выбирают, исходя из необходимой величины емкости. [19]
 |
Возможные структуры Л1ДП - конденсаторов и соответствующие им эквивалентные схемы. [20] |
В структуре, изображенной на рис. 3.14, б, в качестве нижней обкладки конденсатора используется диффузионная р-область, основной является емкость - диэлектрика, а паразитными компонентами - емкость р-п перехода Срп ( барьерная емкость обратно смещенного р-п перехода) и диод Д, действие которого следует учитывать при прямом смещении р-п перехода. [21]
 |
Электрические колебания в контуре 48. [22] |
Теперь электроны начнут обратное движение-в направлении от верхней обкладки через катушку к нижней обкладке конденсатора. [23]
При работе на кабеле и фильтре присоединения достаточно включить заземляющий нож на нижней обкладке конденсатора связи. [24]
 |
Ячейка запоминающего устройства на конденсато. [25] |
Наконец, в момент / 4, когда прекращается подача импульса записи, потенциал нижней обкладки конденсатора относительно земли становится равным нулю. [26]
Копдз Т открывается, к зажимам 102 прилагается полное иапряжеше питания, которое насыщает сердечник и заряжает нижнюю обкладку конденсатора С до напряжения питания. Через некоторое время ток нагрузки снова насыщает сердечник ( однако в противоположно. [27]
 |
Окисление поверхности под. - ложки после изолирующей диффузии.| Вытравливание окон в слое SiOj под диффузию, используемую для формирования базы интегрального транзистора и резистора. [28] |
Следующий этап технологического процесса - вскрытие окон в слое SiO2 под диффузию, формирующую эмиттер интегрального транзистора и нижнюю обкладку конденсатора. На этом этапе важен контроль глубины перехода эмиттер - база, так как расстояние между двумя переходами транзисторной структуры сильно влияет на ее характеристики. Температура, при которой происходит диффузия эмиттерной примеси, иже температуры формирования базы примерно на 50 С. [29]
 |
Временной различйтель с дифференциальным детектором. [30] |
Страницы: 1 2 3