Область - канал
Cтраница 1
Область канала, от которой начинается движение носителей, называется истоком И, а область, к которой движутся основные носители, - стоком С. [1]
Для смыкания области канала с истоком и стоком используется ионное легирование. Ионы свободно проходят сквозь тонкий затворный окисел и образуют в подложке замыкающие области того же типа проводимости, что и диффузионные области. Дальнейшая обработка пластины практически ничем не отличается от стандартной. [2]
Попадая в придонную область канала элемент может оказаться ниже или выше поверхности нулевых напряжений сдвига ( координата ее Уоц Под 1) - В первом случае вследствие двух поворотов ориентация элемента изменяется так, что, двигаясь в нижней области и деформируясь в прежнем направлении, он как бы вновь выпрямляется. При этом угол ал, определяющий ориентацию поверхности раздела, вновь увеличивается. [3]
Металлический затвор и область канала под ним, разделенные изолирующим слоем двуокиси кремния, образуют конденсатор. [4]
В основе управления проводимостью области канала униполярных приборов лежит эффект поля - обогащение или обеднение основными носителями полупроводникового материала под воздействием внешнего поля. Это поле индуцируется управляющим электродом - затвором, отделяемым от области канала либо слоем диэлектрика, либо запертым р - л - переходом. [5]
В зависимости от типа проводимости полупроводника в области канала различают полевые транзисторы с каналом я-типа ( как на рис. 2 - 70, а) и с каналом р-типа. Наличие двух типов полевых транзисторов, работающих при противоположных полярностях питающих напряжений, расширяет схемные возможности их применения. [7]
 |
Исследования интенсивности распределения рентгеновского излучения по глубине канала проплавления. [8] |
Максимум интенсивности рентгеновского излучения РД регистрируется из области канала проплавления, приближенной ко дну канала. Чтобы обеспечить надежный контроль глубины проплавления в процессе сварки, необходимо определить рабочее положение РД над свариваемым изделием. [9]
При определенном напряжении на затворе, когда в области канала накопится достаточное количество дырок, тип проводимости поверхности раздела станет дырочным и области р-типа окажутся соединенными друг с другом посредством инверсионного слоя с проводимостью р-типа. [10]
При отрицательном напряжении на затворе электроны проводимости выталкиваются из области канала в объем полупроводника подложки. При этом канал обедняется носителями заряда, что ведет к уменьшению тока в канале. Положительное напряжение на затворе способствует втягиванию электронов проводимости из подложки в канал. В этом режиме, получившем название режима обогащения, ток канала возрастает. [11]
 |
Структура полевого МДП-транзистора с встроенным каналом. [12] |
При отрицательном напряжении на затворе электрон проводимости выталкиваются из области канала в объем полупроводника подложки. При подаче на затвор положительного напряжения происходит втягивание электронов проводимости из подложки в канал. [13]
Рассмотрим более подробно слабо легированную пластину кремния р-типа и исследуем область канала, над которой имеется слой двуокиси кремния. Если предположить, что в слое двуокиси кремния имеются захваченные заряды положительных ионов, то у поверхности кремния будет образовываться заряженный слой, состоящий из подвижных электронов в инверсном слое, ионизированных акцепторов в обедненном слое и области постепенного перехода от поверхности к объему кремния р-типа. Следовательно, распределение зарядов будет таким, как показано на рис. 3.4. Однако в этих условиях электрическое поле отсутствует. [14]
 |
Схематическое изображение полевого ( униполярного транзистора. [15] |
Страницы: 1 2 3 4