Область - канал
Cтраница 2
По достижении точки Б пространственный заряд распространяется столь глубоко в область канала, что наступает равновесие между увеличением напряжения 1 / с. [16]
В проведенных рентгеновских, спектральных и термических исследованиях вещества из области канала разряда для силикатных минералов не было достоверно обнаружено изменений химического и фазового состава и структуры. [18]
Такая зависимость весьма часто выполняется для низких температур и в области слабого канала. Эти же авторы заключают, что при достаточно высоких температурах следует учитывать также влияние рассеяния акустических, оптических и междолинных фононов. [19]
Таким образом, усиление полевого триода обусловлено воздействием поперечного в области канала электрического поля на его проводимость в продольном направлении. [20]
Наибольшая трудность возникает во время фотолитографии при совмещении затвора с областью канала. Перекрытие затвором областей истока и стока приводит к увеличению паразитной емкости. [21]
Кроме того, отрицательный заряд ионов акцепторов стоковой р-области наводит в области канала дополнительный заряд дырок. С ростом напряжения стока отрицательный заряд ионов увеличивается, сопротивление канала падает и ток стока возрастает. [22]
 |
Схема включения транзистора с каналом р-тшга.| Структура МОП-транзистора. [23] |
В канале р-типа положительное напряжение на затворе 3 способствует выталкиванию дырок из области канала в область полупроводниковой подложки. [24]
Эффекты 1 - 7 связаны с полем стока и концентрацией примеси в области канала. [26]
Потери на вихревые токи сосредоточены в основном во, входной и выходной областях канала, где существуют сильные пространственные изменения скорости газа, напряженностей электрического и магнитного полей. При обычных условиях эти потери составляют 10 % полного давления на входе. [27]
В униполярных транзисторах с каналом р-типа отрицательный потенциал на затворе инвертирует проводимость в области канала, обусловливая - дырочную проводимость канала. Такие транзисторы работают как переменные резисторы, сопротивления которых определяются напряжением на затворе. Пр-и повышенных напряжениях сопротивление между истоком и стоком униполярного транзистора практически постоянно, что позволяет использовать последние в качестве сопротивлений нагрузки схем. При изменении напряжения между истоком и стоком в области малых значений сопротивление транзистора зависит от толщины и характеристик материала диэлектрика над затвором, а также от особенностей подложки и технологии изготовления и имеет величину 2 - ь4 В. Входной импеданс униполярных транзисторов обладает емкостным характером, поскольку входное омическое сопротивление велико. Выходной импеданс имеет резистивный характер и достигает нескольких килоомов. Вследствие высокого выходного импеданса в схемах на униполярных транзисторах сравнительно низки скорости работы из-за большого значения С-постоянных. [28]
Увеличивается диффузионное проникновение бора из высоколегированных поликремниевых затворов р - МОП транзисторов в область канала, которое приводит к нежелательному сдвигу порогового напряжения этих транзисторов в положительную область. [29]
В структурах этого типа прикладываемое к затвору напряжение уменьшает концентрацию основных носителей в области канала, происходит обеднение канала носителями. Отсюда возникло часто встречающееся название приборов этого типа с обеднением канала. Обеднение канала носителями приводит при определенном напряжении затвора, называемом напряжением отсечки, к исчезновению проводимости между истоком и стоком и к прекращению тока стока / с. [30]
Страницы: 1 2 3 4