Область - канал
Cтраница 4
При приложении положительного напряжения к затвору электрическое поле притягивает электроны из подложки, они скапливаются в области канала, сопротивление канала уменьшается и ток стока растет ( режим обогащения) L ( CM. [46]
В процессе выключения при биполярном режиме обратносмещенный управляющий переход осуществляет вынос инжектированных дырок, находящихся в области канала. На этапе формирования потенциального барьера в канале дырки попадают в ускоряющее поле, втягивающее их в затвор Электроны, наоборот, оттесняются данным полем к оси канала и к стоковой области. В результате происходит интенсивное рассасывание накопленного заряда, сопровождающееся протеканием относительно большого по амплитуде отрицательного импульса тока затвора. Выключение СИТ в данном режиме качественно аналогично переключению диода из прямого состояния в обратное. [47]
 |
Эквивалентная схема полевого транзистора ( а, его упрощенная эквивалентная схема ( б, эквивалентная схема источника усиливаемого сигнала и входной цепи полевого транзистора ( в. [48] |
Сопротивления ги и гс представляют собой сопротивления участков полупроводника, заключенного между контактом соответствующего электрода и областью канала. Эти сопротивления относительно малы и на эквивалентной схеме условно показаны штриховыми линиями. [49]
В интегральных уравнениях ( 6) и ( 7) общим аргументом является толщина объемного заряда в области канала у истока Лки. [50]
Неинвариантность полученных при этом кривых течения от ди-аметра капилляра ( рис. 2.20, а) подтверждает наличие отмеченного эффекта в пристенной области канала. [51]
Полевой транзистор с управляющим р-п переходом представляет собой полупроводниковый прибор, в котором управляющая область - затвор - образует р-п переход с областью канала. Работа такого транзистора основана на модуляции проводимости канала за счет изменения толщины слоя объемного заряда, обедненного подвижными носителями. Модуляция проводимости канала происходит под действием напряжения, смещающего переход затвор - канал в обратном направлении. Транзисторы с управляющим р-п переходом изготавливаются из германия, кремния, арсенида галлия и могут иметь канал с р - или - проводимостью. [52]
Поскольку в полевых транзисторах ток стока обусловлен носителями заряда одного знака ( только электроны или только дырки), причем эти носители являются основными для области канала, параметры транзистора оказываются независящими от времени жизни неосновных носителей заряда в канале, благодаря чему полевые транзисторы довольно устойчивы к воздействию радиации. [53]
В работах Г. И. Баренблатта, Н. Н. Всеволодова, О. Е. Марина и др. ( 1967, 1968) выдвинуто предположение о том, что в начальный момент разрушения в области канала создаются динамические напряжения в результате нагрева и действия гиперзвука. Возникновение этих напряжений приводит к образованию мельчайших сдвиговых дефектов в плоскостях наибольших касательных напряжений, находящихся под углом в 45 к оси луча. Возникновение этих дефектов сопровождается поглощением световой энергии, приводящим к образованию газовых пузырьков с высоким внутренним давлением и температурой, что предопределяет дальнейшее развитие трещин. [54]
Плотность разлетающегося вещества уменьшается, что приводит к увеличению пробегов излучения в нем и, тем самым, к увеличению объемного поглощения излучения, соответствующего температуре воздуха в области канала примерно 5 106 К. Происходит дополнительный подогрев плазмы стенок канала до температуры в несколько миллионов градусов. [55]
Выделение, в разрядном канале большой энергии за короткие промежутки времени порядка 10 - 10 - 6 - 20 - 10 - 6 сек приводит к повышению температуры в области канала до нескольких десятков тысяч градусов и к его гидродинамическому расширению, сопровождающемуся излучением волны сжатия и последующим образованием пульсирующей парогазовой полости. Давление не зависит в отдельности от U3ap и С, а характеризуется общей энергией, выделившейся в канале разряда. [56]
Принцип действия полевого карректора основан на модуляции ( в сторону увеличения) сопротивления канала ( а следовательно, сопротивления карректора в целом) приложенным к карректору напряжением вследствие расширения в область канала запорного слоя р-п перехода между затвором и каналом. [57]
Такие флуктуации возможны в тех случаях, когда ХШР - и рекомбинационно-генерационные центры присутствуют в области канала или при низких температурах, если только часть доноров или акцепторов, находящихся в области канала, ионизована. [58]
Сгущенность у стенок канала линий, фиксирующих на стробоскопических фотографиях ( см. рис. 19) положение мембран в каждый момент времени, свидетельствует о наличии максимального ускорения элементов мембраны в этих областях канала. [59]
Страницы: 1 2 3 4