Cтраница 1
Области перекрывания электронных облаков заштрихованы. [2]
Схема перекрывания электронных облаков. [3] |
Область перекрывания электронных облаков - это область высокого отрицательного заряда, который притягивает положительно заряженные ядра атомов. [4]
Форма ( схематическое изображение и взаимное расположение гибридных sp - электронных облаков атома бериллия ( для каждой гибридной ор-битали отдельно.| Схема образования химических. [5] |
Области перекрывания электронных облаков заштрихованы. [6]
Схема перекрывания электронных облаков в молекуле хлора. [7] |
Как видно из рис. 3 4, области перекрывания электронных облаков в молекулах Н2 и С12 находятся на линии, которая соединяет ядра атомов. [8]
Образование л-связи двумя р-облаками. [9] |
Связи - это ковалентные связи, при образовании которых область перекрывания электронных облаков находится по обе стороны от линии, соединяющей ядра атомов. [10]
Связи - это ковалентные связи, при образовании которых область перекрывания электронных облаков находится на линии, соединяющей ядра атомов. [11]
Связи - это ковалентные связи, при образовании которых область перекрывания электронных облаков находится по обе стороны от линии, соединяющей ядра атомов. [12]
Пространственное ргсположение орби-талей в молекуле этилена.| Пространственное расположение орбиталей в молекуле ацетилена. [13] |
Как уже говорилось, л-связи менее прочны, чем о-связи, так как область перекрывания электронных облаков лежит в стороне от оси связи. Это приводит к тому, что соединения с кратными связями значительно более реакционноспособны, чем соответствующие алканы. За счет разрыва л-связей и превращения их в более устойчивые сг-связи идут реакции присоединения по кратным связям. [14]
Пространственное расположение орбиталей в молекуле ацетилена. [15] |