Cтраница 3
В указанном ряду размеры валентных электронных облаков элементов ( O S Se Te) возрастают, что приводит к уменьшению степени их перекрывания с электронным облаком атома водорода и к возрастающему удалению области перекрывания от ядра атома соответствующего элемента. Это вызывает ослабление притяжения ядер взаимодействующих атомов к области перекрывания электронных облаков, т.е. ослабление связи. Таким образом, при переходе от кислорода к теллуру прочность связи Н - Э уменьшается. [31]
Причины этого заключаются в следующем. Поэтому при переходе от хлора к брому и иоду притяжение ядер атомов галогена к области перекрывания электронных облаков уменьшается. Кроме того, в ряду С1 - Вг-I возрастает число промежуточных электронных слоев, экранирующих ядро, что также ослабляет взаимодействие атомных ядер с областью перекрывания. [32]
Эффект замедления скорости движения электронов, возмущенных в области перекрывания, вызывает к действию, по выражению Рюден-берна, насос ядерного поля, сдвиг электронов в направлении ядер, сокращение объема и сгущение электронных облаков. Все это можно охарактеризовать как дополнительный приток зарядовой плотности, увеличивающий последнюю до величины, превышающей простое сложение налагающихся друг на друга в области перекрывания электронных облаков. Прирост плотности в одном месте сопровождается убылью ее в другом и можно даже нарисовать контурную диаграмму разности действительной молекулярной плотности и плотности, получаемой путем простого наложения без добавочного перетекания. [33]
Правда, этилен имеет интенсивную полосу поглощения только при 180 нм. Однако для красителей характерно сильное поглощение в видимой части спектра, что связано с наличием нескольких двойных связей, а особенно - двойных связей, чередующихся с ординарными; б) для неорганических соединений при увеличении радиуса атомов возникновение я-связей становится все более затруднительным, так как область перекрывания электронных облаков я-связи неизбежно уменьшается при увеличении расстояния между атомами. [34]
При сближении атомов, когда расстояние между ядрами станет меньше 4 А, электронные облака начнут перекрываться. Тогда между ядрами появляется область, в которой при известном условии можно встретить электрон как одного, так и другого атома. Это условие заключается в следующем: если в области перекрывания электронных облаков с одинаковой вероятностью могут быть обнаружены оба электрона, то это значит, что оба электрона находятся на одной и той же молекулярной орбите, на которой, так же как и на атомных орбитах, могут быть только два электрона с одинаковыми значениями трех квантовых чисел и с противоположными спинами. [35]
Причины этого заключаются в следующем. С увеличением размеров внешних электронных облаков взаимодействующих атомов степень их перекрывания уменьшается, а область перекрывания располагается все дальше от атомных ядер. Поэтому при переходе от хлора к брому и иоду притяжение ядер атомов галогена к области перекрывания электронных облаков уменьшается. Кроме того, в ряду С1 - Вг - I возрастает число промежуточных электронных слоев, экранирующих ядро, что также ослабляет взаимодействие атомных ядер с областью перекрывания. [36]
Причины этого заключаются в следующем. С увеличением размеров внешних электронных облаков взаимодействующих атомов степень их перекрывания уменьшается, а область перекрывания располагается все дальше от атомных ядер. Поэтому при переходе от хлора к брому и иоду притяжение ядер атомов галогена к области перекрывания электронных облаков уменьшается. Кроме того, в ряду С1 - Вг-I возрастает число промежуточных электронных слоев, экранирующих ядро, что также ослабляет взаимодействие атомных ядер с областью перекрывания. [37]
Причины этого заключаются в следующем. С увеличением размеров внешних электронных облаков взаимодействующих атомов степень их перекрывания уменьшается, а область перекрывания располагается все дальше от атомных ядер. Поэтому при переходе от хлора к брому и иоду притяжение ядер атомов галогена к области перекрывания электронных облаков уменьшается. [38]
Причины этого заключаются в следующем. С увеличением размеров внешних электронных облаков взаимодействующих атомов степень их перекрывания уменьшается, а область перекрывания располагается все дальше от атомных ядер. Поэтому при переходе от хлора к брому и иоду притяжение ядер атомов галогена к области перекрывания электронных облаков уменьшается. Кроме того, в ряду С1 - Вг-I возрастает число промежуточных электронных слоев, экранирующих ядро, что также ослабляет взаимодействие атомных ядер с областью перекрывания. [39]
Причины этого заключаются в следующем. С увеличением размеров внешних электронных облаков взаимодействующих атомов степень их перекрывания уменьшается, а область перекрывания располагается все дальше от атомных ядер. Поэтому при переходе от хлора к брому и йоду притяжение ядер атомов галогена к области перекрывания электронных облаков уменьшается. Кроме того, в ряду С1 - Вг - I возрастает число промежуточных электронных слоев, экранирующих ядро, что также ослабляет взаимодействие атомных ядер с областью перекрывания. [40]
Причины этого заключаются в следующем. С увеличением размеров внешних электронных облаков взаимодействующих атомов степень их перекрывания уменьшается, а область перекрывания располагается все дальше от атомных ядер. Поэтому при переходе от хлора к брому и иоду притяжение ядер атомов галогена к области перекрывания электронных облаков уменьшается. Кроме того, в ряду С1 - Вг-I возрастает число промежуточных электронных слоев, экранирующих ядро, что также ослабляет взаимодействие атомных ядер с областью перекрывания. [41]
Причины этого заключаются в следующем. С увеличением размеров внешних электронных облаков взаимодействующих атомов степень их перекрывания уменьшается, а область перекрывания располагается все дальше от атомных ядер. Поэтому при переходе от хлора к брому и иоду притяжение ядер атомов галогена к области перекрывания электронных облаков уменьшается. Кроме того, в ряду С1 - Вг-I возрастает число промежуточных электронных слоев, экранирующих ядро, что также ослабляет взаимодей СТЕПС атомных ядер с областью перекрывания. [42]
Причины этого заключаются в следующем. С увеличением размеров внешних электронных облаков взаимодействующих атомов степень их перекрывания уменьшается, а область перекрывания располагается все дальше от атомных ядер. Поэтому при переходе от хлора к брому и иоду притяжение ядер атомов галогена к области перекрывания электронных облаков уменьшается. Кроме того, в ряду С1 - Вг-I возрастает число промежуточных электронных слоев, экранирующих ядро, что также ослабляет взаимодействие атомных ядер с областью перекрывания. [43]