Область - коллекторный переход
Cтраница 1
Область коллекторного перехода обусловливает большую часть емкостных действий, существующих в кристаллическом триоде. Свойства этой области также определяют величину эффективной ширины базы, величину коэффициента усиления К-усилителя ( рис. 7.6) и допустимое максимальное смещение на коллекторе. Напряжение обратного смещения создает истощенную область при - d2 x dl, но вне этих пределов все атомы примеси нейтрализуются свободными ( избыточными) зарядами. Атомы примеси показаны на рис. 8.7 а расположенными для простоты на прямых линиях. [1]
 |
Эквивалентная схема транзистора с генераторами шумов. [2] |
В области коллекторного перехода поверхностный шум, обусловленный флуктуациями поверхностной составляющей тока утечки, пропорционален ширине перехода. [3]
Вошедшие в область коллекторного перехода дырки попадают в ускоряющее поле и поэтому может произойти умножение носителей заряда вследствие ударной ионизации. [4]
Вошедшие в область коллекторного перехода дырки попадают под действие ускоряющего поля, что может вызвать умножение носителей тока вследствие ударной ионизации. Оно определяется коэффициентом умножения. [5]
 |
Эквивалентная схема идеализированного транзистора. Пунктиром показаны токи - источники дробовых шумов. [6] |
Избыточный шум в области коллекторного перехода обусловлен флуктуациями поверхностной утечки. Поэтому он зависит от ширины перехода и тем самым от коллекторного напряжения. [7]
Избыточный шум в области коллекторного перехода обу -: ловлен флуктуациями поверхностной утечки. Поэтому он зависит от лирины перехода и тем самым от коллекторного напряжения. [8]
Конечное время пролета через область коллекторного перехода вносит незначительный вклад в общее время пролета исследуемых транзисторов. [9]
При облучении базы или области коллекторного перехода изменяется ток неосновных носителей / кво / ( Ф) пропорционально изменяется / к. [10]
При облучении базы или области коллекторного перехода изменяется ток неосновных носителей / j bo / ( CD) пропорционально изменяется / к. [11]
Когда транзистор насыщен, изменением области коллекторного перехода во времени можно пренебречь, я о уравнения этой главы являются верными для такого случая. [12]
 |
Зависимость изменения распределения дырок в области базы от изменения толщины коллекторного перехода при постоянном напряжении на эмиттерном переходе. [13] |
Можно сказать, что расширение области коллекторного перехода приводит к появлению обратной связи по напряжению между эмиттерным и коллекторным переходами. С другой стороны, это можно трактовать как изменение сопротивления эмиттерного перехода протекающему току, так как изменение напряжения между двумя областями при неизменном токе может произойти только при изменении сопротивления. [14]
При увеличении обратного напряжения на коллекторном переходе область коллекторного перехода расширяется и, следовательно, база сужается. Чистый эффект состоит в увеличении ссо. [15]
Страницы: 1 2 3 4