Область - коллекторный переход - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Лучше помалкивать и казаться дураком, чем открыть рот и окончательно развеять сомнения. Законы Мерфи (еще...)

Область - коллекторный переход

Cтраница 1


Область коллекторного перехода обусловливает большую часть емкостных действий, существующих в кристаллическом триоде. Свойства этой области также определяют величину эффективной ширины базы, величину коэффициента усиления К-усилителя ( рис. 7.6) и допустимое максимальное смещение на коллекторе. Напряжение обратного смещения создает истощенную область при - d2 x dl, но вне этих пределов все атомы примеси нейтрализуются свободными ( избыточными) зарядами. Атомы примеси показаны на рис. 8.7 а расположенными для простоты на прямых линиях.  [1]

2 Эквивалентная схема транзистора с генераторами шумов. [2]

В области коллекторного перехода поверхностный шум, обусловленный флуктуациями поверхностной составляющей тока утечки, пропорционален ширине перехода.  [3]

Вошедшие в область коллекторного перехода дырки попадают в ускоряющее поле и поэтому может произойти умножение носителей заряда вследствие ударной ионизации.  [4]

Вошедшие в область коллекторного перехода дырки попадают под действие ускоряющего поля, что может вызвать умножение носителей тока вследствие ударной ионизации. Оно определяется коэффициентом умножения.  [5]

6 Эквивалентная схема идеализированного транзистора. Пунктиром показаны токи - источники дробовых шумов. [6]

Избыточный шум в области коллекторного перехода обусловлен флуктуациями поверхностной утечки. Поэтому он зависит от ширины перехода и тем самым от коллекторного напряжения.  [7]

Избыточный шум в области коллекторного перехода обу -: ловлен флуктуациями поверхностной утечки. Поэтому он зависит от лирины перехода и тем самым от коллекторного напряжения.  [8]

Конечное время пролета через область коллекторного перехода вносит незначительный вклад в общее время пролета исследуемых транзисторов.  [9]

При облучении базы или области коллекторного перехода изменяется ток неосновных носителей / кво / ( Ф) пропорционально изменяется / к.  [10]

При облучении базы или области коллекторного перехода изменяется ток неосновных носителей / j bo / ( CD) пропорционально изменяется / к.  [11]

Когда транзистор насыщен, изменением области коллекторного перехода во времени можно пренебречь, я о уравнения этой главы являются верными для такого случая.  [12]

13 Зависимость изменения распределения дырок в области базы от изменения толщины коллекторного перехода при постоянном напряжении на эмиттерном переходе. [13]

Можно сказать, что расширение области коллекторного перехода приводит к появлению обратной связи по напряжению между эмиттерным и коллекторным переходами. С другой стороны, это можно трактовать как изменение сопротивления эмиттерного перехода протекающему току, так как изменение напряжения между двумя областями при неизменном токе может произойти только при изменении сопротивления.  [14]

При увеличении обратного напряжения на коллекторном переходе область коллекторного перехода расширяется и, следовательно, база сужается. Чистый эффект состоит в увеличении ссо.  [15]



Страницы:      1    2    3    4