Область - коллекторный переход
Cтраница 3
Поскольку в активном режиме токи / э и / к почти одинаковы, а напряжение UK значительно больше, чем Ua, то основная часть мощности потерь выделяется в области коллекторного перехода. Каждый транзистор характеризуется предельно допустимой температурой перехода, при превышении которой параметры резко ухудшаются. [31]
Поскольку в активном режиме токи / э и / к почти одинаковы, а апряжение UK значительно больше, чем 1 / э, то основная часть мощ-ости потерь выделяется в области коллекторного перехода. Каждый ранзистор характеризуется предельно допустимой температурой ерехода, при превышении которой параметры резко ухудшаются. [32]
 |
Схема блокинг-генератора. [33] |
Блокинг-генераторы нап / п триодах ( рис. 2.10) по принципу действия и схеме почти не отличаются от описанного выше ( лампового), за исключением того, что на отдельных этапах формирования импульсов имеются существенные особенности, связанные с инерционностью процесса рассасывания неосновных носителей ( рекомбинации дырок и электронов) в области коллекторного перехода. [34]
 |
Тиристор. а - схема включения, б - вольт-амперные характеристики. [35] |
Под действием сильного электрического поля коллекторного перехода электроны, движущиеся из р-базы в n - базу, и дырки, движущиеся из n - базы в р-базу, приобретают энергию, достаточную для разрушения валентных связей. В области коллекторного перехода образуются новые пары подвижных носителей. Вновь образовавшиеся электроны выбрасываются электрическим полем коллекторного р-п-перехода в n - базу. [36]
Когда к эмиттерному переходу напряжение не приложено, то практически можно считать, что в этом переходе почти нет тока. В этом случае область коллекторного перехода имеет большое сопротивление постоянному току, так как основные носители зарядов удаляются от этого перехода и по обе стороны от границы создаются области, обедненные этими носителями. [37]
В плоскостном кристаллическом триоде изменение в ширине двух областей перехода за счет переменного напряжения, очевидно, влияет на эффективную ширину базы. Однако необходимо рассмотреть только область коллекторного перехода, поскольку она значительно шире, чем область эмиттерного перехода за счет большего напряжения на первом. Изменение ширины базы в зависимости от напряжения на коллекторе влияет на все электрические параметры, которые являются функциями ширины базы. Эту модуляцию ширины базы напряжением коллектора называют Эрли-эффектом. Учитывая Эрли-эффект в граничных условиях для уравнения диффузии по переменному току (8.11), как показано в параграфе 8 этой главы, можно получить полные проводимости кристаллического триода при коротком замыкании. [38]
При наличии эмиттерного тока в р область со стороны эмит-терного перехода попадают электроны, которые для данной области являются дополнительными, неосновными носителями. Не успевая рекомбинировать, они доходят до области коллекторного перехода и уменьшают ее сопротивление. Чем больше ток эмиттера, тем больше дополнительных электронов приходит к коллекторному переходу и тем меньше становится его сопротивление. Соответственно увеличивается ток коллектора. [39]
Подобные же процессы происходят и в триодах р-п - р, но в них меняются ролями электроны и дырки, а также изменяются на обратные полярности напряжений и направления токов. В таком триоде от эмиттера через основание в область коллекторного перехода проникают не электроны, как в триоде п-р - п, а дырки. Они являются для основания неосновными носителями и уменьшают сопротивление коллекторного перехода. [40]
Увеличение тока коллектора за счет тока эмиттера, по существу, объясняется тем, что электроны эмиттерного тока приходят к коллекторному переходу и уменьшают его сопротивление. Действительно, если ток / э 0, то область коллекторного перехода имеет большое сопротивление, так как основные носители электрических зарядов удаляются от этого перехода в разные стороны. В области п электроны уходят вправо к положительному электроду, а в средней области р дырки уходят к электроду основания. По обе стороны от границы р-п перехода создаются области, лишенные основных носителей. [41]
Кроме того, повышению коэффициента а способствует лавинное умножение носителей в области коллекторного перехода при лавинном пробое. [42]
Если увеличивать напряжение источника питания, ток тиристора увеличивается незначительно, пока это напряжение не приблизится к некоторому критическому значению, равному напряжению включения иыя. При напряжении С / вкл в динисторе создаются условия для лавинного размножения носителей заряда в области коллекторного перехода. В - области коллекторного перехода образуется избыточная концентрация электронов, а в - области - избыточная концентрация дырок. С увеличением этих концентраций снижаются потенциальные барьеры всех переходов динистора. Возрастает инжекция носителей через эмиттерные переходы. Процесс носит лавинообразный характер и сопровождается переключением коллекторного перехода в открытое состояние. Рост тока происходит одновременно с уменьшением сопротивлений всех областей прибора. Поэтому увеличение тока через прибор сопровождается уменьшением напряжения между анодом и катодом. Здесь прибор обладает отрицательным дифференциальным сопротивлением. Напряжение на резисторе возрастает и происходит переключение динистора. [43]
 |
Схемы генераторол на ПП приборах. [44] |
ДС-контур, определяющий частоту колебаний в системе. Появление в схемах ( рис. 2, а, б, в) падающего участка на вольтамперной хар-ке связано с лавинным размножением электронов в области коллекторного перехода. [45]
Страницы: 1 2 3 4