Область - коллекторный переход
Cтраница 2
При СТБ С ак основная доля расширения области коллекторного перехода происходит в сторону базы, а не в сторону коллектора. [16]
При этих напряжениях происходит лавинное размножение носителей в области коллекторного перехода, а становится больше единицы. [17]
По-видимому, указанные измерения не будут обнаруживать дефекты в области коллекторного перехода, приводящие к нестабильности обратного тока. [18]
 |
Зависимость коэффициента.| Переходная характеристика транзистора при общей базе. [19] |
В этих условиях почти все носители тока, инжектируемые током эмиттера в область коллекторного перехода, достигают области коллектора. Увеличение силы тока эмиттера пропорционально увеличивает силу тока коллектора совершенно так же, как в электронной лампе увеличение термоэлектронной эмиссии катода увеличивает анодный ток. [20]
При напряжении UBKJ1 в динисторе создаются условия для лавинного размножения носителей заряда в области коллекторного перехода. В я-области коллекторного перехода образуется избыточная концентрация электронов, а в / - области - избыточная концентрация дырок. С увеличением этих концентраций снижаются потенциальные барьеры всех переходов динистора. Возрастает инжекция носителей через эмиттерные переходы. Процесс носит лавинообразный характер и сопровождается переключением коллекторного перехода в открытое состояние. Рост тока происходит одновременно с уменьшением сопротивлений всех областей прибора. Поэтому увеличение тока через прибор сопровождается уменьшением напряжения между анодом и катодом. Здесь прибор обладает отрицательным дифференциальным сопротивлением. Напряжение на резисторе возрастает и происходит переключение динистора. [21]
Из состояния насыщения транзистор выходит постепенно, в течение всего времени рассасывания дырок в области коллекторного перехода. [22]
Электроны эмиттерного тока, пройдя через эмиттерный переход, движутся сквозь основание и проникают в область коллекторного перехода, увеличивая тем самым ток коллектора. Коллекторный переход работает при обратном напряжении. Справа от перехода в области п имеется положительный заряд, слева - в области р - отрицательный заряд. Между ними возникает электрическое поле. Оно способствует продвижению через коллекторный переход электронов, пришедших сюда сквозь основание от эмиттера. Если толщина основания достаточно мала, то большинство электронов, пройдя через этот тонкий слой, не успевает рекомбинировать с дырками и достигает коллекторного перехода. Лишь небольшая часть электронов, прошедших через эмиттерный переход, рекомбинирует с дырками и образует ток / 0, протекающий в проводе основания. [23]
Согласно другой гипотезе [2] формовка является процессом, при котором ионы или атомы из коллектора диффундируют в область коллекторного перехода, где они играют впоследствии роль временных ловушек для дырок, перемещающихся от эмиттера к коллектору. Этот захват дырок уменьшает отношение их эффективной подвижности к недвижности электронов. В соответствии с этим материал коллектора должен содержать компоненты. Обычно такой материал выбирается на основании экспериментальных данных. [24]
Направление источников тока совпадает с направлением тока / к - Аналогичным образом можно учесть лавинное размножение носителей в области коллекторного перехода. [25]
 |
Схемы геператороп на ПП приборах. [26] |
Появление в схемах ( рис. 2, а, б, в) падающего участка на вольтамперной хар-ке связано с лавинным размножением электронов и области коллекторного перехода. [27]
 |
Динисторы. a - структура. б - вольтамперная характеристика. в - схемное изображение. [28] |
Низкочастотные шумы вызываются поверхностными процессами в области переходов, например флуктуациями поверхностной tрекомбинации инъецируемых носителей в области эмиттерного перехода и флуктуациями поверхностной утечки в области коллекторного перехода. Эти шумы проявляются наиболее интенсивно в области частот меньше 1000 - 500 гц. [29]
Кроме того, малый локальный ток, который родственен обратному току насыщения p - n - перехода диода, протекает между базовым и коллекторным выводами через область коллекторного перехода. [30]
Страницы: 1 2 3 4