Область - когерентное рассеяние
Cтраница 2
Связь между электросопротивлением и структурным параметром - диаметром областей когерентного рассеяния - дает возможность по электросопротивлению, которое легко измерить, оценить совершенство кристаллической структуры графита. [17]
С увеличением концентрации сульфаминовокисло-го никеля наблюдается уменьшение размеров областей когерентного рассеяния и уменьшение величины микроискажений кристаллической решетки. Однако изменения характеристик тонкой структуры незначительны; незначительны и изменения свойств. По-видимому, это связано с тем, что количество включений в осадок серы мало изменяется в зависимости от концентрации соли никеля. [18]
 |
Зависимость свойств САПа от содержания окиси алюминия.| Зависимость предела прочности САПа от обратного расстояния между частицами окиси 1 / d [ 9, с. 13 ]. [19] |
Данные рентгеновского исследования ( анализ полюсных фигур и расчет областей когерентного рассеяния) показали, что с увеличением степени деформации размер областей когерентного рассеяния увеличивается. [20]
Аналогично в [292] показано, что при одновременном росте областей когерентного рассеяния уменьшение микронапряжений можно достигнуть при добавлении к исходным материалам, используемым для получения порошка вольфрама восстановлением водородом ( ангидрид, вольфрамовая кислота, паравольфрамат аммония), 0 1 - 0 8 вес. При последующей карбиди-зации такого порошка вольфрама в среде водорода при температуре 1440 С частицы WC сильно укрупняются и при использовании карбида в составе твердых сплавов WC - Со размер зерен достигает 105 мк. [21]
По происхождению субзерна металла рассматривают как фрагменты, блоки, полигоны и области когерентного рассеяния. [22]
На рис. 111 приведена зависимость различных характеристик механических свойств стали 10 от величины областей когерентного рассеяния рентгеновских лучей и величины микроискажений кристаллической решетки матрицы после прокатки в интервале температур 20 - 700 С. [23]
После деформации с обжатием 26 - 28 % изменяются в основном микроискажения кристаллической решетки, размеры областей когерентного рассеяния мало изменяются во всем интервале температур деформации. Физическое уширение линии ( 220) изменяется в зависимости от температуры деформации так же, как величина микроискажений кристаллической решетки ос-фазы. [24]
Следует отметить, что в основе описанных методов анализа уширения линий лежит модель кристалла, разбитого на упруго деформированные области когерентного рассеяния, поэтому они применимы только тогда, когда в изучаемом металле имеются физически ограниченные области малого размера. В массивных материалах такие области, как правило, не обнаруживаются прямыми электронно-микроскопическими методами. Он показал, что в кристаллах, содержащих прямолинейные хаотически распределенные дислокации, дислокационные скопления типа pile up и границы ячеек, физическое уширение меняется пропорционально tg 6 и корню квадратному из плотности этих дефектов. [25]
Определив 1 5а - - р можно по выражению ( 4) найти D - истинный размер областей когерентного рассеяния. [26]
Полученная прямая пропорциональность свидетельствует о том, что в рассмотренных материалах средняя длина свободного пробега фононов определяется диаметром области когерентного рассеяния. Обработка приведенных в зарубежных работах данных дает в первом приближении аналогичную зависимость. [27]
В этом состоит существенное отличие проводящих пленочных материалов от массивных, в которых резориентировка соседних мозаичных блоков ( областей когерентного рассеяния - ОКР) не превышает десятков минут. [28]
 |
Зависимость коэффициента теплопроводности, приведенной к нулевой пористости, от диаметра областей когерентного рассеяния для различных углеродных материалов. [29] |
Полученное противоречие обусловлено тем, что величина I в уравнении (1.17) отождествлена с определяемыми рентгеновскими дифракционными методами размерами областей когерентного рассеяния Ьау. В результате облучения размеры ОКР становятся меньше, но уменьшение коэффициента теплопроводности при этом более значительно, чем это следует из уравнения Дебая. Следовательно, изменение теплопроводности обусловлено не только изменением размеров ОКР, но и рассеянием фоно-нов на радиационных дефектах. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5