Область - повышенное сопротивление
Cтраница 1
 |
Электронно-дырочный переход. [1] |
Область повышенного сопротивления называется запирающим слоем. [2]
 |
Схема распределения при. [3] |
Область повышенного сопротивления р - n - перехода ( между плоскостями ММ и М М) называется запорным слоем, потому что через него в прямом направлении ( пропускном) справа налево электрический ток проходит легко, а в обратном направлении ( запорном) - слабо. В результате запорный слой обладает выпрямляющим действием. В зависимости от рода полупроводника и р-л-перехода ширина запорного слоя бывает от долей микрометра до нескольких микрометров. [4]
Область повышенного сопротивления р-л-перехода ( между плоскостями ММ и М М) называется запирающим слоем, потому что через него в прямом направлении ( пропускном) справа налево электрический ток проходит легко, а в обратном направлении - слабо. В результате запирающий слой обладает выпрямляющим действием. В зависимости от рода полупроводника и р-л-перехода ширина запорного слоя бывает от долей микрометра до нескольких микрометров. [5]
С помощью численных расчетов по схеме Лакса-Вендрофа в [89] проведено изучение развития процессов пересоединения, которые, как было сказано выше, инициируются искривлением и перезамыканием силовых линий благодаря диффузии магнитного поля в окрестности области повышенного сопротивления плазмы. Затем вследствие изменения конфигурации поля возникает макроскопическое движение плазмы. [6]
 |
Образование потенциального. [7] |
Следствием пониженной концентрации носителей электрических зарядов в пограничных областях является увеличение сопротивления этих областей. Область повышенного сопротивления называют запирающим слоем. [8]
Чем больше напряженность поля, тем сильнее происходит процесс переброса электронов в верхние долины, но чем больше электронов перебрасывается в верхнюю долину, тем больше сопротивление в данной области полупроводника и тем большее напряжение падает на ней, что приводит к уменьшению поля в соседних областях полупроводника. Как показывают наблюдения, области повышенного сопротивления зарождаются у катода и перемещаются к аноду. [9]
 |
Зависимость скорости движения электронов в арсениде галлия от напряженности поля в образце.| Распределение электрического поля в образце в эффекте Ганна. [10] |
При равновесном состоянии случайные неоднородности компенсируются ( экранируются) свободными электронами. Когда поле увеличивается, свободные электроны, экранирующие область повышенного сопротивления, уносятся, и размеры этой области начинают расти. Это означает накопление в этой области ( а не во всем кристалле) тяжелых электронов и снижение их подвижности, а значит, и повышение сопротивления в этой области, и возрастание напряженности. Распределение поля становится неоднородным. Образовавшаяся зона с высоким содержанием тяжелых электронов называется электрическим доменом. Под действием приложенного поля домен начинает перемещаться вдоль образца. Слева и справа от этой области повышенного сопротивления будут двигаться легкие электроны с более высокой скоростью, чем тяжелые. Слева они будут нагонять домен и образовывать область повышенной концентрации электронов - область отрицательного заряда. [11]
Вблизи р - n - перехода происходит рекомбинация - электроны занимают дырки. Вследствие этого в пограничном слое количество свободных носителей заряда резко уменьшается, что увеличивает сопротивление пограничных слоев пар полупроводников. Область повышенного сопротивления называется запирающим слоем. [12]
 |
Электронно-дырочный переход. [13] |
Вблизи р-л-перехода происходит рекомбинация - электроны занимают дырки. Вследствие этого в пограничном слое количество свободных носителей заряда резко уменьшается, что увеличивает сопротивление пограничных слоев лир полупроводников. Область повышенного сопротивления называется запирающим слоем. [14]
 |
Распределение зарядов в / мг-слое. [15] |
Страницы: 1 2