Область - отрицательное сопротивление
Cтраница 1
 |
Типовая одностабильная схема. а схема. б и в динамические характеристики. [1] |
Область отрицательного сопротивления на иэ - 1э кривой начинается немного правее оси иэ. В состоянии равновесия наличие емкости С приводит к тому, что в эмиттерной ветви цепь оказывается разомкнутой. [2]
В области отрицательного сопротивления туннельный диод ведет себя как активный двухполюсник. Схемы с туннельными диодами могут работать вплоть до диапазона СВЧ и имеют при этом очень малый коэффициент шума. Недостаток их заключается в том, что довольно трудно объединять в схему несколько усилительных каскадов такого рода. [3]
Существование области отрицательного сопротивления связывают с изменением коэффициента переноса и с величиной Д / с для коллектора; следовательно, изменяя напряжение на коллекторе, можно наблюдать этот эффект при различных токах эмиттера, что также подтверждается фиг. По мере увеличения напряжения на коллекторе и тока / со ( см. кривые / - 4 на фиг. [4]
Хотя при переходе через область отрицательного сопротивления частотные свойства прибора улучшаются, но его уже нельзя применять в качестве усилителя из-за сильной обратной связи вследствие увеличения сопротивления базы. [5]
Таким образом, наличие области высокочастотного отрицательного сопротивления будет обусловлено фазовым сдвигом между током и напряжением. [6]
 |
Структура магнитодиода с областью высокой скорости рекомбинации ( s на одной грани.| Вольт-амперные характеристики магнитодиода ( а и S-дио-да ( б при прямом смещении в магнитном поле ( B3B2Bi. [7] |
При достаточно большом магнитном поле область отрицательного сопротивления может полностью исчезнуть. [8]
Если же энергетические щели одинаковы, область отрицательного сопротивления сглаживается и при энергии, соответствующей энергетической щели, наблюдается резкий рост тока. Наличие тока при энергиях, меньших энергетической щели, на вольт-амперной характеристике сэндвича А1 - окись М - А1 обусловлено тепловым уширением, существующем при конечных температурах. [9]
При переходе через точку UB снова начинается область отрицательного сопротивления. Ток через индуктивность снова становится постоянным, и емкость перехода ТД разряжается. Длительность получаемого импульса и частота следования определяются индуктивностью, сопротивлением диода источника, длительность фронта - емкостью перехода диода и пиковым током. [10]
Интересной особенностью вольт-амперной характеристика отформованного образца является область отрицательного сопротивления, наблюдаемая при ( / - 4 В. Второй интересный момент заключается в том, что напряжение, при котором наблюдается пик кривой, не только практически не зависит от толщины диэлектрика, но, как показано, мало меняется ( в интервале 3 - 5 В) с изменением материала диэлектрика и материала электродов; максимальный ток, однако, зависит от природы и толщины диэлектрика. [11]
 |
Основные типы генераторов. [12] |
Компенсирующая цепь характеризуется активным двухполюсником, который имеет область отрицательного сопротивления на своей вольтампер-ной характеристике; в этой области увеличение напряжения приводит к уменьшению тока. [13]
Особенно интересен характер вольт-амперной характеристики туннельного диода в области отрицательного сопротивления между токами пика и провала. Ом или меньше, Исаки [8], чье имя сейчас связывают с туннельным диодом, был перзым, кто наблюдал аномальное поведение вольт-амперной характеристики в опытах по изучению внутренней автоэлектронной эмиссии в очень узких германиевых р - м-переходах. [14]
Резкое понижение электрического сопротивления диэлектрика на участке 4 ( область отрицательного сопротивления) иногда трактуется как электрический пробой. Такому представлению соответствует также повышение туннелирования в области контактов, поставляющих неравновесные носители заряда. Действительно, в диэлектрике в неустойчивой области не только проявляется ударная ионизация, повышающая концентрацию носителей заряда, но и наблюдается активизация фотопроцессов за счет интенсивной рекомбинации электронов и дырок. Однако в отличие от настоящего пробоя ( см. § 2.3), при котором рост тока неограничен и происходит разрушение кристалла, рост тока в электронно-дырочной плазме, образующейся за счет двойной инжекции, ограничен. Во-первых, росту тока препятствует рекомбинация электронов и дырок, которой способствуют определенные дефекты кристаллической решетки - центры рекомбинации. Во-вторых, рост тока в плазме все-таки ограничивается объемными зарядами, действие которых лишь частично нейтрализуется носителями заряда противоположного знака. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5