Область - отрицательное сопротивление
Cтраница 4
Благодаря этому он будет осуществлять колебания тока точно на резонансной частоте и используется в высокочастотных усилителях и генераторах. Существование области отрицательного сопротивления не связано с тепловым возбуждением носителей, поэтому туннельный диод успешно функционирует и при гелиевых температурах. [46]
Первый туннельный диод был получен случайно при исследовании характеристик очень узких сплавных р-п переходов, изготовленных из сильно легированного германия n - типа. В прямом направлении характеристика имеет область отрицательного сопротивления, которое открывает широкие возможности для применения прибора. [47]
Первый туннельный диод был получен случайно при исследовании характеристик очень узких сплавных р-п переходов, изготовленных из сильно легированного германия я-типа. В прямом направлении характеристика имеет область отрицательного сопротивления, которое открывает широкие возможности для применения прибора. [48]
 |
Вольтамперная характеристика неуправляемого переключающего диода ( диод-тиристора. [49] |
Общий вид вольтамперной характеристики р-п-р-п структуры показан на рис. XI.5. На прямой ветви характеристики можно отметить две устойчивые области: запирания ( /) с малыми токами при высоких напряжениях и отпирания ( / / /) с большими токами при малых напряжениях. Между этими областями заключена неустойчивая область ( / /) - область отрицательного сопротивления. [50]
В последнее время p - n - переходы с успехом используются в качестве кристаллических счетчиков для счета корпускулярных излучений в ядерной физике и ядерной технике. В р-п переходах с особо большим количеством примесей вследствие уже упомянутого туннельного эффекта вольт-амперная характеристика имеет область отрицательного сопротивления, р-тг-переходы этого типа являются особенно интересными, так как они могут работать в диапазоне частот, значительно более широком, чем транзисторы, а именно в сантиметровом и миллиметровом диапазоне волн. [51]
Анализ показывает, что ток эмиттера / э, увеличивается скачкообразно от 0 до t / 0 / K в момент, когда происходит первоначальное переключение схемы при помощи запускающего импульса, а затем экспоненциально уменьшается во времени со скоростью, определяемой постоянной времени CRn. Это продолжается до тех пор, пока 1Э упадет до величины / 2, а затем схема вновь входит в область отрицательного сопротивления и перебрасывается обратно в состояние с низкой проводимостью. [52]
 |
Вольтамперные характеристики диодного ( а и триодного ( б тиристора. [53] |
Типовая вольтамперная характеристика диод-тиристора приведена на рис. 7.31, а. Она может быть разбита на следующие основные области: 7 - область малого положительного сопротивления, соответствующая открытому состоянию прибора; II - область высокого отрицательного сопротивления; III - область обратимого пробоя среднего р-п перехода; IV - непроводящее состояние ( средний р-п переход заперт внешним источником напряжения); V - область высокого сопротивления; VI - область лавинного необратимого пробоя. [54]
На рис. 3 - 9 показано, как меняется пробивное напряжение германиевого транзистора в зависимости от различных условий включения эмиттерного и базового электрода, а на рис. 3 - 10 приведены такие же характеристики кремниевого транзистора. Эти характеристики отличаются от кривых рис. 3 - 9 тем, что все они, начиная с характеристики, соответствующей отключенному базовому электроду, имеют сразу за пробоем область отрицательного сопротивления. [55]
Явление взрывного шума и его происхождение было рассмотрено в работе Леонарда и Яскольски [22] в связи с функционированием широкополосных интегральных усилителей. Из проведенного исследования они сделали вывод о том, что шум лопающихся зерен кукурузы ( взрывной шум) имеет место тогда, когда у обратной ветви вольт-амперной характеристики перехода коллектор - база имеются области отрицательного сопротивления, находящиеся около колена ветви, соответствующего началу пробоя. Леонард и Яскольски сообщили, что в том случае, когда напряжение обратного смещения было таким, что рабочая точка совпадала с областью подобного отрицательного сопротивления, они наблюдали локальное излучение света. Известно, что микроплазма излучает свет [10], и это привело Леонарда и Яскольски к выводу о том, что взрывной и микроплазменный шумы эквивалентны. Однако они не предпринимали попытки примирить отмеченные выше несоразмерности между микроплазменным и взрывным шумами. [56]
Описанный процесс установления температуры и тока наблюдается при любых значениях напряжения источника, однако при малых Е, S, Rnc, / Кбо, а также при больших значениях сопротивления, включенного последовательно с транзистором, приращение коллекторного тока незначительно. При равных значениях мощности ( 4), выделяемой в транзисторе, наибольшее приращение тока коллектора обеспечивается в тех случаях, когда не соблюдается условие тепловой устойчивости транзистора и рабочая точка попадает в область отрицательного сопротивления вольтамперной характеристики. [57]
Туннельный диод - это р - n - переход, в котором объемные области вырождены вследствие очень высоких концентраций примесей. Две составляющие туннельного тока протекают через переход в противоположных направлениях, и в обеих составляющих присутствует целиком дробовой шум. У вольт-амперной характеристики туннельного диода имеется область отрицательного сопротивления при малых прямых смещениях. [58]
 |
U-10 - характеристикя дли туннельных систем А1 - А1гО - А1 и А1 - А1 03 - Аи. [59] |
Система Ai - AI20S - SnTe Эсйки п Стилес 152, 53 ] изготовила системы Ai - Ai2O3 - SnTe напылением SnTe на оксидированную полоску А. К Интересной особенностью этих кривых является область отрицательного сопротивления в интервале 0 55 - 0 85 В. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5