Область - отрицательное сопротивление
Cтраница 2
Кривые семейства коллекторных характеристик стремятся к вертикальному положению, и область отрицательного сопротивления практически исчезает. Поэтому большая часть рекомендаций для схем на лавинных транзисторах, используемых в режиме номинальных токов, для микрорежима оказывается неприменимой. [16]
 |
Формы тока и напряжения на эмиттере релаксационного генератора с управлением по эмиттеру. [17] |
Схема находится в статическом состоянии в некоторой точке Р в области отрицательного сопротивления, которая является точкой пересечения нагрузочной характеристики по постоянному току ( соответствующей R9) и характеристики отрицательного сопротивления. Са заряжена до отрицательного напряжения Ul, так что рабочая точка будет в точке MI характеристики. В этой точке кристаллический триод находится в состоянии отсечки и обратное сопротивление эмиттера очень велико. [18]
Тот факт, что у вольт-амперной характеристики туннельного диода имеется область отрицательного сопротивления, означает, что этот прибор можно использовать для усиления. Усилителям: на туннельных диодах уделялось очень большое внимание в литературе в конце 1950 - х и в начале 1960 - х гг. в связи с их возможностями на высоких частотах и низким уровнем шумов. Бы ло также обнаружено, что они имеют определенные преимущества перед усилителями с нелинейной реактивной проводимостью; например, в последнем случае отрицательная проводи мость возникает при нелинейном взаимодействии с учетом сигнала накачки, в то время как в усилителе на туннельном диоде нет необходимости в накачке, так как отрицательная проводимость - свойство, присущее вольт-амперной характеристике диода. [19]
Однопереходный транзистор больше всего подходит для формирования коротких импульсов благодаря наличию области отрицательного сопротивления. [20]
На рис. 13.36 показана статическая характеристика однопере-ходного триода, на которой видна область отрицательного сопротивления. Попробуем понять, как возникает эта характеристика. [21]
 |
Прохождение горячих электронов через тонкие металлические пленки. [22] |
В случае же, когда преобладает второй процесс, на вольтампернои характеристике появляется область отрицательного сопротивления. Именно в этой области напряжений и наблюдается электролюминесценция. [23]
Как известно, при использовании лавинного пробоя в диапазоне номинальных токов имеет место область отрицательного сопротивления за счет зависимости коэффициента усиления транзистора от тока. [24]
 |
Схема замещения диода лавинного типа с его. [25] |
В противоположность туннельному диоду, у которого преобладает емкость, у динисторов is области отрицательного сопротивления преобладает индуктивность. IB которой последовательно с отрицательным сопротивлением - Ra подключена индуктивность Z. [26]
При этом следует проверить, находится ли точка пересечения характеристики и линии статической нагрузки в области отрицательного сопротивления. [27]
В схеме рис. 12.47 эмиттериая нагрузочная характеристика по постоянному току пересекает эмиттерную входную характеристику в области отрицательного сопротивления. [28]
 |
Осциллограмма вольт-амперной характеристики четырех-слойного диода. [29] |
Посредством соответствующих технологических приемов можно получать напряжения переключения яо 200 в, так что при прохождении области отрицательного сопротивления получаются большие изменения напряжения. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5