Активная область - база
Cтраница 1
Активная область базы находится под этими эмиттерными структурами. Пассивная часть базы, лежащая между этими структурами, подвергается сильному легированию с целью значительного снижения объемного сопротивления базы. Особо следует отметить, что с повышением рабочей частоты существенное значение приобретают токи смещения через эмиттерный переход. Эффект оттеснения, создаваемый этими токами, может во много раз превосходить эффект, создаваемый рекомбинационной составляющей тока базы. [1]
Активной областью базы принято называть область, расположенную под эмиттерным электродом. [2]
Поскольку толщина активной области базы очень мала, время пролета неосновных носителей заряда через базу не является основным фактором, определяющим частотные свойства транзистора ИМС. [3]
В структуре транзистора можно выделить активную область базы, лежащую под эмиттером, где поток неосновных носителей практически одномерный и где протекают основные процессы токопереноса. В пассивной и периферийной областях базы П1 и П2 имеют место краевые эффекты, которые учитываются дополнительно. [4]
Рассмотренная нами часть базы называется обычно активной областью базы. [5]
Эф - эффективное время жизни в активной области базы без учета влияния дрейфового поля Е, созданного неравновесным распределением примеси в активной области базы дрейфовых транзисторов, По сущест-ву, для данной модели расчета значение тр должно совпадать с величиной тан. [6]
 |
Конструкция точечного транзистора.| Этапы изготовления и жоиструкци выращенного транзистора. [7] |
У последних р-п переходы, ограничивающие активную область базы, образуются параллельными плоскостями, расположенными перпендикулярно главному направлению движения неосновных носителей от эмиттера к коллектору. [8]
 |
То кораспределение в реальном транзисторе в режиме асы. [9] |
В части коллекторного перехода, примыкающей к активной области базы, происходит выделение, тепла. [10]
В самом деле, в момент / 0 заряд сосредоточен в активной области базы, так как насыщение транзистора происходит в течение очень короткого переднего фронта. Затем дырки за время порядка т распространяются в пассивную область базы и сопротивление TQ уменьшается. [11]
ГБ, пас - сопротивление пассивных областей базы; второе слагаемое учитывает сопротивление активной области базы при наличии эффекта модуляции проводимости. [12]
К таким транзисторам относится, например, диффузионно-сплавной транзистор типа П416, имеющий толщину активной области базы 2 мкм и, как следствие, частоту / V порядка 100 - 200 Мгц, но толщину высоко-омного слоя в коллекторе 70 - 80 мкм и, как следствие, времена рассасывания 300 - 500 нсек. Более современные типы транзисторов, такие, как ГТ31Г и др., выполнены специально для работы в насыщенных импульсных схемах и имеют малые времена рассасывания. [13]
Скрытый и - слой позволяет осуществить избирательную инжекцию и тем самым предотвратить модуляцию проводимости активной области базы п-р - / г-транзистора. [14]
Время жизни неосновных носителей в транзисторе различно для различных объемов транзистора, таких, как активная область базы, пассивная, периферийная или соединительная область базы; тело коллектора. [15]
Страницы: 1 2 3 4