Активная область - база
Cтраница 2
В некоторых случаях неравновесные носители могут проникнуть в пассивную область базы на расстояние нескольких диффузионных длин от активной области базы. По мере того как концентрация неравновесных носителей в активной области базы начинает спадать, начинается приток неравновесных носителей в активную область базы из пассивной области базы. [16]
 |
Конструкция точечного транзистора.| Этапы изготовления и жоиструкци выращенного транзистора. [17] |
Точечные контакты устраивались на очень малом расстоянии друг от друга ( десятки микрон), которое определяло ширину активной области базы и, следовательно, частотный предел транзистора. [18]
Диоды Шоттки, включенные параллельно коллекторным переходам многоколлекторного п - р - n - транзистора, выполнены в активной области высокоомной базы п - р - п-транзистора. Топологическое решение диодов таково, что металл омического контакта к коллектору п - р - n - транзистора одновременно является анодом диода Шоттки, что эквивалентно его подключению параллельно каждому коллекторному переходу. [19]
Учитывая, что УЭ И т - / к ч и / i2S 2is, можно сделать вывод, что для активной области базы структура уравнений (2.22) и (2.23) симметрична. Это означает, что если эмиттер и коллектор поменять местами, сохранив те же напряжения, токи электронов не изменятся. [20]
Эф - эффективное время жизни в активной области базы без учета влияния дрейфового поля Е, созданного неравновесным распределением примеси в активной области базы дрейфовых транзисторов, По сущест-ву, для данной модели расчета значение тр должно совпадать с величиной тан. [21]
При этом инъек-тирующая поверхность эмиттера ограничивается небольшим участком, прилегающим к основному выводу базы ( 5j), и уменьшается полезное сечение активной области базы. [22]
 |
Варианты использования биполярного транзистора в качестве диода. [23] |
При такой конфигурации сопротивление узкого перешейка между активной областью и базовым контактом возрастает и в инверсном режиме инжекция электронов из коллектора в активную область базы будет незначительной. Соответственно, паразитные токи через эмиттеры практически не пройдут. [24]
 |
Транзистор структуры p - n - i - p. [25] |
При этом инъектирующая поверхность эмиттера ограничивается небольшим участком, прилегающим к основному выводу базы ( б ]), и уменьшается полезное сечение активной области базы. [26]
В упрощенной постановке задачи пренебрежем током поверхностной рекомбинации - / повлек и будем считать, что подавляющая часть заряда электронов сосредоточена в объеме активной области базы Уд Sgffii, лежащей под эмиттером. [27]
Для описания формирования среза используется несколько постоянных времени, выражения для которых содержат бесконечные ряды вследствие расчета с помощью уравнения непрерывности, но по существу определяемых размерами активной области базы и эффективным временем жизни для неосновных носителей в этой области. [28]
Определение инверсного коэффициента усиления расчетным путем, как и других инверсных параметров транзистора, осложняется тем, что при инжекции из перехода большой площади неосновные носители распределяются не только в активной области базы, но и в ее пассивной части. За счет движения части неосновных носителей через пассивную область базы и наличия их на поверхности около экстрагирующего ( малого) перехода возрастает ток рекомбинации, или, что то же самое, уменьшается коэффициент усиления. [29]
Повышение концентрации акцепторов в пассивной р - базе уменьшает заряд электронов, накапливаемых в ней при включении переключательного транзистора, снижает сопротивление пассивной базы и увеличивает ( iyvn - Распределение концентраций примесей в активной области базы, создаваемое диффузией акцепторов вверх - из подложки ( см. рис. 7.29, в), обеспечивает ускоряющее электрическое поле для электронов, движущихся от эмиттера к коллектору, тем самым уменьшается их время пролета через базу. Напомним, что в активной базовой области переключательного транзистора со структурой, показанной на рис. 7.20, существует тормозящее электрическое поле для электронов, движущихся от эмиттера к коллектору, что связано с инверсным ( по отношению к обычным п-р - п транзисторам) включением этого транзистора. [30]
Страницы: 1 2 3 4