Активная область - база
Cтраница 3
Анализ этого явления для бездрейфовых мощных германиевых транзисторов [25] показал практически линейную зависимость коэффициента йм превышения коллекторным током значения / 121Э / Б т питающего напряжения, что обусловлено наличием у таких транзисторов пассивной области базы и эффектом модуляции толщины активной области базы при закрывании транзистора. [31]
Все эмиттеры первого располагаются в общей базе. Активные области баз, лежащие под эмиттерами, соединены пассивной областью базы между эмиттерами. Коэффициенты передачи тока через пассивные участки базы должны быть малы для ослабления взаимного влияния эмиттеров, что достигается значительным увеличением пассивной части базы. Поэтому большая часть неосновных носителей, инжектируемых эмиттером в пассивную часть базы, улавливается коллектором независимо от соотношения между диффузионной длиной и расстоянием между соседними эмиттерами. [32]
База сплавного транзистора отличается от базы идеализированной структуры ( см рис. 4 - 1) наличием трех участков, которые называют активной, промежуточной ( или коллекторной) и пассивной областями базы. Активной областью базы является цилиндрический объем с высотой w и площадью, равной поверхности эмиттера S. Промежуточной областью базы является кольцевой объем с площадью основания SK - 5Э и высотой, равной расстоянию от коллектора до противоположной поверхности базовой пластинки. Наконец, пассивной областью базы является ее объем, расположенный вне коллектора. [33]
Как видим, базовый ток если считать, что он протекает от центра базы к периферии) встречает различные сопротивления на трех разных участках. Первый - внутренний - участок ( активная область базы. [34]
Объемное сопротивление базы гб модулируется при больших токах эмиттера. Эта модуляция имеет место в первую очередь в активной области базы. [35]
 |
Значение IBI ( мксек триодов типа П16. [36] |
Постоянная времени тн характеризует процесс накопления или рассасывания избыточных носителей, обусловленный рекомбинацией во всей области базы, и определяется величиной твф. Постоянная же времени tBly определяется временем жизни в активной области базы. Поскольку у бездрей-фовых триодов уменьшение величины гэф при работе в области насыщения и в инверсной активной области обусловлено одними и теми же причинами, то значения тн и TBI оказываются почти одинаковыми ( ср. [37]
Объемное сопротивление базы гб модулируется при больших токах эмиттера. Эта модуляция имеет место в первую очередь в активной области базы. [38]
При высоких уровнях инжекции и относительно больших рекомбинационных потерях в области базы возрастает рекомбинационный ток базы. Продольное электрическое поле, создаваемое этим током в активной области базы, направлено таким образом, что инжектированные носители выносятся этим полем за пределы активной области базы. Этот процесс еще более увеличивает потери на рекомбинацию в пассивной части базы и на поверхности. [39]
В некоторых случаях неравновесные носители могут проникнуть в пассивную область базы на расстояние нескольких диффузионных длин от активной области базы. По мере того как концентрация неравновесных носителей в активной области базы начинает спадать, начинается приток неравновесных носителей в активную область базы из пассивной области базы. [40]
Обратимся к рис. 2.19, где изображены структура транзистора и распределение плотностей тока базы и эмиттера. Ток базы транзистора состоит из дырок, рекомбинирующих с электронами в активной области базы. [41]
Для процесса выхода из насыщения существует также только одна постоянная. Принятая Моллом модель расчета насыщенного режима с накоплением избыточного заряда лишь в активной области базы относительно правильно отражает картину распределения неосновных носителей заряда в сплавных транзисторах. [42]
Концентрация примесей в эмиттерной области 2 невелика, так как она создается на основе эпитаксиального слоя л-типа. Поэтому при прямом напряжении через эмиттерный р-п переход кроме полезного тока инжекции электронов в активные области базы, расположенные под коллекторами, течет значительный ток встречной инжекции дырок из базы в эмиттер, уменьшающий коэффициент инжекции эмиттер-ного р-п перехода. Кроме того, часть электронов инжектируется иа эмиттера не в активные, а в пассивные области базы, расположенные, например, между коллекторами и под базовым контактом. Эти электроны рекомбинируют в пассивной базе, на ее поверхности, на базовом контакте и не достигают коллекторов. [43]
Сопротивление диска, у которого внутренний диаметр равен нулю, нельзя рассчитать по аналогичной формуле. Поэтому для оценки сопротивления первого участка воспользуемся следующим приемом: найдем падение напряжения вдоль радиуса активной области базы и поделим это напряжение на ток базы. [44]
С некоторым приближением этот процесс можно представить следующим образам: избыточный заряд ре-комбинирует и отсасывается из базовой области и пополняется диффузией из области коллектора. Выход из насыщения коллекторного тока и дальнейший его спад начинается тогда, когда заряд в активной области базы ( области, расположенной между эмиттером и коллектором) уменьшается до величины QH, соответствующей границе насыщения. [45]
Страницы: 1 2 3 4