Активная область - транзистор
Cтраница 1
 |
Геометрия транзисторов типов ГТ311 ( а и ГТ313 ( б. [1] |
Активная область транзистора дополняется элементами, описывающими пассивные и периферийные области транзистора. Периферийная область дополняет схему емкостью СПР-На рис. 3 пассивная и периферийная области обозначены Я и Пр соответственно. [2]
 |
Эквивалентные электрические схемы элементарных объемов активной ( а, пассивной ( б и периферийной ( в областей интегрального транзистора.. [3] |
Область 1 - активная область транзистора под эмиттером - моделируется двумерной распределенной цепью, состоящей из транзисторов и резисторов. [4]
Действительно, все активные области транзистора расположены в слое 5 - 10 мкм от поверхности. Но по соображениям механической прочности невозможно работать с кристаллами тоньше 100 мкм. Поэтому сопротивление толщи кремния, превышающее 5 - 10 мкм, является паразитным. Выбор величины удельного сопротивления исходного материала основывается на достижении требуемой величины пробивного напряжения, а также допустимой емкости коллекторного перехода. [5]
 |
Триггер Шмитта па транзисторах. [6] |
Таким образом, в активной области транзисторов обеспечиваются благоприятные условия работы обратной связи и переключение происходит достаточно быстро. Шунтирование емкостью активного сопротивления в цепи базы транзистора 2 опять-таки преследует цель ускорить заряд диффузионной емкости. В результате процессы перекидывания схемы происходят при большем действующем напряжении U, чем это было бы при отсутствии такой емкости. [7]
В статье [1] решена задача расчета гармонических составляющих токов транзистора при кусочно-линейной аппроксимации статических характеристик и в предположении о постоянстве критической частоты по малосигнальной крутизне / 5 и сопротивления базы г5 в активной области транзистора. [8]
Самовозбуждающиеся схемы с пассивной синхронизацией третьего или четвертого вида ( рис. 9 - 6, в, г) также не имеют потерь, обусловленных перекрытием, поскольку реверс полярности сигнала управления транзисторами начинается только после входа в активную область транзистора, начинающего закрываться. [9]
 |
Геометрия транзисторов типов ГТ311 ( а и ГТ313 ( б. [10] |
На рис. 3 а и б показаны поперечные сечения исследуемых транзисторов ГТ311 и ГТ313 соответственно. На эскизах буквой А обозначена активная область транзистора. [11]
 |
Принципиальная схема npn - транзистора. Обедненные слои рп-перехо-дов заштрихованы. В пределах О я Хв расположена нейтральная базовая область. [12] |
Как видно на рис. 3.9, структура транзисторов реальных БИС отличается от схематичного изображения транзистора на рис. 3.8. Это обусловлено планарной технологией их изготовления, а также применением методов эпитаксии, диффузии и ионной имплантации. Участок, выделенный пунктиром на рис. 3.9, соответствует активной области транзистора, изображенного на рис. 3.8. Остальные участки структуры являются паразитными элементами транзистора. [13]
Одноэлектронный транзистор, предложенный К. К.Лихаревым и Д.В.Авериным, состоит из двух последовательно включенных туннельных переходов. Туннелирование отдельных электронов контролируется кулоновской блокадой, которая управляется потенциалом, приложенным к активной области транзистора, расположенной между двумя прослойками тонкого диэлектрика. В перспективе такая структура может изменять свое состояние ( 0 или 1) под действием одного электрона. [14]
В полевом режиме быстродействие ключа определяется временем перезаряда межэлектродных емкостей, и прежде всего входной емкости затвор-исток CGS и переходной емкости затвор-сток CGD - Емкость CGS включает в себя емкость между диффузионными областями управляющего р-п-перехода и емкость между металлизированными дорожками истока и затвора. Емкость Сао связана прежде всего с обедненной областью и прямо пропорциональна площади активной области транзистора и обратно пропорциональна ширине области пространственного заряда сток-исток. Обе емкости уменьшаются с ростом стокового напряжения. [15]
Страницы: 1