Приповерхностная область
Cтраница 1
Приповерхностная область глубиной хт играет ту же роль в диэлектрике, что и прикатодное электронное облако в вакуумном диоде. [1]
 |
Отношения коэффициентов.| Зависимость относительного коэффициента диффузии бора от степени гексаго-нальности политипа.| Отношения коэффициентов диффузии бериллия. [2] |
В приповерхностной области диффузия бериллия идет по вакансиям углерода, в объемной части кристалла - значительная доля бериллия диффундирует по междоузлиям в виде двухзарядных ионов Ве 2, что обусловливает большие коэффициенты диффузии и малые энергии активации процесса. Бериллий в междоузлиях карбида кремния обладает донорными свойствами. [3]
 |
Плотность вещества, расширяющегося с облучаемой поверхности, в момент времени 40 не. [4] |
В приповерхностной области толщиной порядка десятков микрон наблюдается провал в осевой зависимости плотности. Это обусловлено тем, что в промежутке времени 20 t 30 не основная часть энергии пучка выделяется именно в этой области. Образующийся избыток тепловой составляющей давления вызывает интенсификацию движения вещества навстречу пучку и вглубь мишени. [5]
При формировании приповерхностной области полупроводника могут встретиться следующие три важных случая: обеднение, инверсия и обогащение этой области носителями тока. [6]
 |
Образование приповерхностного слоя объемного заряда под влиянием заряженной поверхности в полупроводниках п - и р-типа. [7] |
При формировании приповерхностной области полупроводника могут встретиться три важных случая: обеднение, инверсия и обогащение этой области носителями заряда. [8]
Таким образом, приповерхностные области тела находятся в условиях плоского напряженного состояния с всесторонним сжатием, причем сжимающее напряжение максимально на поверхности тела и быстро убывает с глубиной. [9]
ГПа, выделяется протяженная приповерхностная область возмущения, которая сформировалась в результате действия на грунт излучения и давления со стороны верхнего полупространства. Как уже отмечалось выше, доля энергии в приповерхностной области составляет примерно половину энергии, заключенной во всем нижнем полупространстве. Это свидетельствует о необходимости аккуратного учета вклада обеих подобластей эпицентрального источника при постановке расчетов воздействия на грунт контактного ядерного взрыва. [11]
Они локализованы в приповерхностной области самого полупроводника и обмениваются зарядами с его разрешенными зонами за время т 1СГ4 - 1СГ8 с. Энергетические уровни донорных состояний располагаются в нижней половине запрещенной зоны кремния, для них с ср. [13]
 |
Энергетическая диаграмма МДП-структуры на основе полупроводникар-типапри У О ( a, V0 ( 6 V0 и eVPe / 2 ( в. [14] |
Участок зонной диаграммы приповерхностной области МДП-структуры ( рис. 3, и) в режиме сильной инверсии; / 1 - середина запрещенной зоны; г з - электростати - s ческнй потенциал; заштрихованы состояния, занятые алектрояами при Т - О К. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5