Приповерхностная область
Cтраница 2
Рассмотрим двухслойную модель приповерхностной области комет-ного ядра: пористая смесь водяного льда и пыли, покрытая пористым же пылевым слоем. Для простоты будем считать, что оба слоя плоскопараллельные и что их строение не изменяется в ходе моделирования. [16]
Процессы рекомбинации в приповерхностных областях, где происходит резкое нарушение кристаллической структуры и повышение концентрации рекомбинационных центров, характеризуются скоростью s поверхностной рекомбинации. [17]
На эмиссию электронов из приповерхностной области заметное влияние оказывают поверхностные состояния и потенциалы, а также ориентация поверхностных молекул. Эта чувствительность к состоянию поверхности позволяет отличить поверхностную фотоэмиссию от объемной. Возможность такого разделения важна, поскольку широко используемая трехступенчатая модель ( см. гл. [18]
 |
Влияние различных параметров на процесс осаждения пленок Cu2S, получаемых посредством окунания. [19] |
Поскольку реакция происходит в приповерхностной области, слой Cu2S имеет такую же микроструктуру, как и исходный слой CdS. Сульфид меди может существовать в виде нескольких фаз с различным составом. Состав получаемого слоя зависит, от скорости реакции и степени окисления ионов меди в растворе. Электрические и оптические свойства сульфида меди определяются главным образом его составом. [20]
Изменение проводимости полупроводника в приповерхностной области под действием внешнего электрического поля, приложенного по нормали к поверхности образца, называется эффектом поля. [21]
 |
Спектральное распределение фоточувствительности гетерофотопреобразователя ( / и селективного фотоприемника ( 2.| Зонная диаграмма контакта металл - полупроводник. [22] |
Возникновение пространственного заряда в приповерхностной области полупроводника обусловлено переносом электронов ( материал я-типа) из зоны проводимости полупроводника в металл. Одновременно электроны уходят в металл и с приповерхностных состояний, расположенных между дном зоны проводимости и уровнем Ферми, оставляя на этих состояниях положительный заряд. Чтобы исключить влияние окисного слоя, принимают меры для нанесения металла на атомарно чистую поверхность полупроводника, например, напыляя металл на чистый скол полупроводника в сверхвысоком вакууме сразу же после раскалывания кристалла. [23]
Если поглощение происходило в приповерхностной области р-п-перехода, то при охлаждении генерация носителей происходит уже ближе к р - - переходу или в самой области объемного заряда. [25]
Если электроны локализованы в очень узкой приповерхностной области и нормальная к поверхности компонента импульса Л / с. Подобный способ может давать узлы двумерной обратной решетки, не совпадающие с узлами, полученными в простой модели проекции долин, обсуждавшейся выше. [27]
Повышение концентрации дырок в приповерхностной области электронного полупроводника приводит к ускорению процессов, протекающих на границе окисел - электролит. Это прежде всего реакция окисления воды до кислорода, который может или адсорбироваться на окисле, или растворяться в электролите. Не исключено также, что с повышением концентрации неосновных носителей тока ускоряются адсорбционные процессы ( фотоадсорбция), вследствие чего облегчается окисление вольфрама. [28]
При принятом соотношении Лм п приповерхностная область полупроводника обедняется электронами. [29]
Страницы: 1 2 3 4 5