Облучение - кристалл
Cтраница 1
Облучение кристаллов ведет как к изменению регулярности строения кристаллической решетки, так и к радио-лизу химического соединения, образующего кристалл. Исследования показали, что облучение ионных кристаллов ведет к увеличению числа анионных и катионных вакансий. При этом часть электронов, образовавшихся в результате радиолиза, занимают анионные вакансии. Подобное расположение электронов обусловливает изменение электропроводности по сравнению с электропроводностью необлученного кристалла. [1]
Облучение кристалла для возбуждения возможной флуоресценции, обусловленной известными примесями, производилось при помощи различных источников света ( ртутная лампа, конденсированная искра и дуга с электродами из различных металлов, водородная лампа) в зависимости от исследуемой спектральной области Выделение монохроматических пучков и отдельных линий производилось при помощи светосильного кварцевого монохроматора, спектрографа и специальных светофильтров. В условиях опыта, обеспечивающих хорошее возбуждение кристаллов, содержащих специально введенные активирующие примеси, в случае хорошо очищенных щелочно-галоидных кристаллов никакого свечения не обнаруживается. [2]
Облучение кристаллов производят в ячейке из алюминия, охлаждаемой водой, желательно в атмосфере азота. Облучение ведут в течение 5, 15 и 30 мин. После облучения кристаллы приобретают желтоватый цвет и рассыпаются. [3]
Облучение кристаллов ведет как к изменению регулярности строения кристаллической решетки, так и к радио-лизу химического соединения, образующего кристалл. Исследования показали, что облучение ионных кристаллов ведет к увеличению числа анионных и катионных вакансий. При этом часть электронов, образовавшихся в результате радиолиза, занимают анионные вакансии. Подобное расположение электронов обусловливает изменение электропроводности по сравнению с электропроводностью необлученного кристалла. [4]
Облучение кристаллов типа KDP при температуре жидкого азота приводит к образованию протонных вакансий и сдвоенных протонов на связи, энергия которых частично может быть понижена соответственно потерей или захватом электрона, что приводит к образованию ( НРО4) - и ( НзРО4) структурных единиц кристалла. Несмотря на частичное уменьшение искажения решетки вокруг дефекта за счет потери ( захвата) электрона, единицы ( НРО4) - и ( НзРО4) остаются малоподвижными при температурах ниже 193 К и их взаимодействие с доменными границами приводит к выключению последних из процессов переполяризации. С повышением температуры до величины порядка 193 К комплексы ( НРО4) - и ( НзРО4) превращаются в достаточно подвижные единицы ( Н2РО4) 2, взаимодействие которых с доменными границами носит характер вязкого трения. [5]
При облучении кристаллов ядерными частицами могут происходить два эффекта. Это ядерные реакции с образованием новых химических элементов ( ядерное, легирование кристалла) и образование дефектов, преимущественно по Френкелю. [6]
При облучении кристаллов вакансия и междоузельный атом кремния должны образовываться в равных концентрациях. Предложена следующая качественная модель, объясняющая это физическое явление. Это приводит к тому, что междоузельные атомы кремния обмениваются местами с атомами алюминия, причем последние оказываются в междоузельном положении. [7]
При облучении кристалла нейтронами обнаружено, что с противоположной поверхности образца вылетают атомы элемента, из которого построен кристалл, причем направление вылета этих атомов зависит лишь от ориентации кристалла и никак не зависит от направления потока нейтронов. [8]
 |
Термическое высвечивание незасвеченного ( а и засвеченного ( в кристалла NaCl, рентгенизованного при низкой температуре. 6 - между кристаллом и счетчиком фильтр с областью пропускания 2700А0. [9] |
При облучении кристалла красным светом в течение продолжительного времени, например, вплоть до полного исчезнования первого пика, можно обнаружить некоторое возрастание световой суммы и интенсивности свечения во втором пике кривой термического высвечивания, что свидетельствует о переходе под действием красного света части электронов с менее глубоких уровней, обусловливающих первый пик, на более глубокие уровни, ответственные за второй, более высокотемпературный пик. [10]
При облучении кристалла потоком нейтронов с его поверхности, противоположной бомбардируемой, вылетают атомы, причем направление вылета зависит только от ориентации кристалла и не зависит от направления потока нейтронов. [11]
При облучении кристаллов рентгеновскими лучами наблюдается дифракция. [12]
При облучении кристалла рубина светом с длиной волны X 5600 А ионы хрома переходят на верхний энергетический уровень. Существенно, что возвращение ионов в основное состояние происходит двумя последовательными переходами. [13]
При облучении кристалла УЗК [648] в пластине Si должна возникать стоячая изгибная волна. Представляет интерес прежде всего тот факт, что после воздействия ультразвука внешний вид поверхности пластин Si существенно изменяется ( ср. [14]
При облучении кристалла рубина светом с длиной волны Я 5600 А ионы хрома переходят на верхний энергетический уровень. Существенно, что возвращение ионов в основное состояние происходит двумя последовательными переходами. [15]
Страницы: 1 2 3 4