Облучение - кристалл
Cтраница 3
Изучив различные процессы, одновременно протекающие при облучении селеновых и меднозакисных кристаллов, можно выявить некоторые механизмы нарушений. К таким процессам относятся ядерные превращения, искажения кристаллической решетки и отжиг. Ядерные превращения вызываются захватом тепловых нейтронов, а последующий радиоактивный распад приводит к образованию химических примесей в кристаллической решетке. Разупо-рядочение кристаллической решетки является результатом упругого рассеяния нейтронов, обладающих высокой энергией. При температурах выше 130 К существенную роль наливает играть процесс отжига. Кроме того, комптоновское рассеяние у-квантов приводит к образованию электронов с высокой энергией, которые в свою очередь могут вызвать разупорядочение кристаллической решетки при упругом рассеянии. В одном или более барьерах могут наблюдаться фотоэлектрические эффекты, причем фотонапряжения оказывают во многих случаях влияние на работу электронных схем, даже если после облучения необратимые изменения отсутствуют. [31]
ППЗУ, содержимое которого может быть стерто посредством облучения кристалла ультрафиолетовыми лучами через прозрачное для этих лучей окошко, имеющееся в корпусе ИС. После стирания УФППЗУ может быть снова запрограммировано. [32]
Экспериментально такая инверсия заселенности может быть получена путем облучения кристалла пучком электронов с достаточно высокой энергией. В результате электроны валентной зоны выбиваются в зону проводимости, где они собираются на ее дне. В большинстве практических приложений используются, однако, другие механизмы накачки. Если имплантировать в кристалл примесные центры, то не только создаются новые энергетические уровни, но также сдвигаются валентная зона и зона проводимости. [34]
Физически это может происходить, например, при облучении кристалла светом, в результате чего электроны из валентной зоны выбиваются в зону проводимости. Очевидно, что при этом число появившихся в зоне проводимости электронов равно числу электронных дырок в валентной зоне. Можно, однако, впрыснуть в кристалл носители заряда внешним током, так что в последующем изложении мы примем, что число электронов в зоне проводимости может отличаться от числа электронных дырок в валентной зоне. [35]
Неравновесные носители, возбуждаемые, например, за счет облучения кристалла фотонами значительной энергии Е hv, в начальный момент могут обладать энергией, намного превышающей среднюю энергию решетки. Однако из-за эффективного взаимодействия неравновесных носителей с фононами и дефектами решетки их избыточная энергия быстро рассеивается, и они также приобретают температуру, соответствующую температуре решетки. А так как время жизни неравновесных носителей в зонах составляет по порядку величины 10 - 2 - 10 - 8 с, то большую часть времени своего пребывания в соответствующей зоне он находится в состоянии, энергетически неотличимом от состояния равновесных носителей. Это позволяет в подавляющем большинстве случаев считать, что распределение по энергиям неравновесных и равновесных носителей в зоне одинаково. [36]
Стирание ( удаление электронов с плавающего затвора) производится облучением кристалла ультрафиолетовым светом, для чего в корпусе микросхемы предусматривается окно с кварцевым стеклом. По действием света электроны приобретают энергию, достаточную для перехода с плавающего затвора в диоксид. Далее они дрейфуют в подложку, потенциал которой должен быть выше, чем на управляющем затворе. Время стирания порядка 1 мин. Для проведения этой операции микросхема должна быть извлечена из устройства и поставлена в специальную установку стирания, что практически не всегда удобно, причем стирается содержимое всего накопителя. [37]
Радиационные дефекты, по Френкелю, могут возникнуть при облучении кристаллов быстрыми частицами: нейтронами, дейтронами, а-частицами, осколками деления ядер и электронами. Возникающие при облучении кристаллов у-кватами фотоэлектроны и комптонэлектроны также вызывают структурные дефекты. В отличие от тепловых, радиационные дефекты термодинамически неравновесны, в результате чего состояние кристалла после прекращения облучения не бывает стационарным. Отжиг кристаллов при высокой температуре ( после облучения) ускоряет диффузию радиационных дефектов и их рекомбинацию. [38]
Данная работа посвящена изучению влияния дефектов решетки, образованных в результате облучения кристалла нейтронами в реакторе, на реакцию твердого вещества с газом. Для этого исследования выбран графит, так как известно [8, 9], что облучение его быстрыми нейтронами при интенсивности 1 1020 нейтрон / см2 приводит к образованию - - 2 5 % смещенных атомов и что значительная доля этих атомов сохраняется в веществе вплоть до высоких температур. Такие образцы были получены из реактора Брукхевенской национальной лаборатории. Известно также, что - - излучение не оказывает какого-либо необратимого воздействия на свойства графита, что позволяет, таким образом, раздельно изучать влияние смещенных атомов и ионизирующего излучения на реакцию твердого вещества с газом. Харст и Рай г [4], подобные данные могут иметь важное значение для технологии реакторов. [39]
Стирание хранимой информации ( нейтрализация заряда на плавающем затворе) производится путем облучения кристалла БИС ультрафиолетовыми лучами, что позволяет достаточно просто производить корректировку содержимого памяти. [40]
Радикал N T идентифицирован [22, 8] как один из продуктов, возникающих при облучении кристаллов азида калия ультрафиолетовым светом. [41]
Энергия, необходимая для освобождения электронов, может быть получена или в результате облучения кристалла светом, или при наличии очень сильного электрического поля, или же при увеличении энергии теплового движения атомов ( молекул) кристалла. [42]
Было показано также [12, 29], что удержание активности - одно и то же при облучении кристалла как быстрыми, так и медленными нейтронами. [43]
Ар / р Ая / п - для дефектов по Шоттки) следует, что облучение кристаллов фторида лития вызывает образование дефектов типа фреикелевских. [44]
Результаты влияния на диэлектрические свойства кристаллов группы KDP 7-облучения, проведенного при комнатных температурах, подтверждаются облучением кристаллов при температуре жидкого азота. Существенно, что сразу после облучения при температуре жидкого азота пик ( tg 6 ц отсутствует и появляется лишь в процессе отжига. [45]
Страницы: 1 2 3 4