Облучение - кристалл
Cтраница 2
При облучении кристалла полупроводника потоком световой энергии часть этой энергии поглощается телом, а часть отражается. [16]
Если при облучении кристалла мономера поли-меризуется ограниченное количество заготовок, которое зависит от температуры, то начальная скорость полимеризации должна зависеть от температуры, так как изменяются либо концентрация, либо размеры таких заготовок. Как в таком случае следует понимать отсутствие энергии активации полимеризации. [17]
 |
Изменение яркости флуоресценции NaCI - Ag в ультрафиолетовой области в зависимости от продолжительности рентгенизации. [18] |
Стрелками отмечены моменты облучения кристалла светом в F - no - лосе. [19]
Образование радикалов при облучении кристаллов и аморфн. [20]
 |
Зависимость величины [ IMAGE ] Влияние концентрации воды на. [21] |
Так, при облучении кристаллов триоксана возникают дефекты вследствие частичного разрушения кристаллической решетки. [22]
Получается на фотопленке после облучения кристалла потоком рентг. [23]
Следствием образования незаряженных атомов при облучении кристаллов является их окрашивание. В результате весьма ограниченной подвижности возбужденные молекулы твердого тела редко вступают в химические взаимодействия с другими молекулами или ионами. Поэтому происходит распад сложных молекул на более простые или выделение возбужденными молекулами избыточной энергии в виде тепла или света. На электронную оболочку атомов кристалла воздействует как у -, так и а-излучение. [24]
Рассмотрим механизм возникновения радиационных дефектов при облучении кристаллов нейтральными и заряженными быстрыми частицами. [25]
 |
Мессбауэровские спектры Sn в NaCl. [26] |
Интенсивность линий Sn2 уменьшается и при облучении кристаллов NaCl: 119Sn2 жесткими у-квантами. [27]
 |
Структурная схема ПЗУ с электрическим программированием. [28] |
Для стирания информации в таких приборах пользуются облучением кристалла через специальное прозрачное окно в корпусе микросхемы ультрафиолетовым светом. Облучение ультрафиолетовыми лучами приводит к резкому увеличению тока утечки, что способствует рассасыванию носителей заряда. [29]
 |
Зависимость электропроводности закиси меди от интегрального потока быстрых нейтронов. [30] |
Страницы: 1 2 3 4