Cтраница 1
Облучение пленки не ухудшает ее водостойкости. Такие-пленки являются также достаточной защитой от коррозии. [1]
Распределение интенсивности освещенности. а, б, в - линзовая коллимация. г - дистанционная коллимация. [2] |
Облучение пленок фоторезистов через фотошаблон вызывает появление в них скрытых изображений, выражающееся в локальном изменении их физико-химических параметров и в первую очередь растворимости. Возникновение скрытого изображения и последующее его превращение в видимое зависит от оптимально выбранного соотношения режимов экспонирования и проявления, при котором формируется наиболее точное изображение и достигается максимальная разрешающая способность. Это соотношение в свою очередь зависит при прочих равных условиях от свойств фоторезиста, а именно, его светочувствительности, области актинично-го поглощения, кинетики протекания фотохимических процессов. [3]
После облучения пленки проявляют вместе с необлученной эталонной пленкой - нулевая засвеченность ( внимательно следить за маркировкой. [4]
Для облучения пленок толщиной - 1 мм Шапиро использовал мощности дозы от 48 до 20460 рад / час. Привитые сополимеры были получены в гомогенной среде при мощностях дозы - 1860 pad / час и ниже. [5]
После облучения пленок из поликарбоната потоком УФ-излучения интенсивностью 22 кал / ( см2 - ч) в течение 120 ч при 70 С на воздухе разрушающее напряжение при растяжении образцов уменьшается на 65 - 70 %, относительное удлинение на 80 - 94 %, пленка желтеет. При дальнейшей выдержке образцов в везерометре прочность при растяжении снижается на 20 - 26 %; относительное удлинение при разрыве чере 10 ч облучения резко падает ( на 75 %), затем уменьшается менее интенсивно. [6]
После облучения пленки из поликарбоната УФ-све-том на воздухе наблюдалось образование геля, и хотя его количество увеличивалось при облучении полимера в вакууме, оно не превышало примерно 2 % даже после поглощения высоких доз. [7]
При облучении пленки электронами с током пучка 5 10 10 А и ускоряющим напряжением менее 20 кэВ была получена решетка с периодом 0 6 мкм. [8]
При облучении пленок в жидком бутадиене значение степени прививки несколько отклоняется с течением времени от пропорциональной зависимости. При прививке бутадиена к полиэтилену из газовой фазы скорость реакции возрастает с увеличением толщины пленки в большей степени, чем при прививке из жидкой фазы. [9]
Кинетика растворения стекол системы As - Se в 33 % - ном радтворе КОН. 1 - As2Se2 5. 2 - As2Se2 8. 3 - As2Se3. 4 - As2Se32. 5 - As2Se3 5. [10] |
При облучении свежеосажденных пленок энергия активации растворения возрастает от 38 4 до 59 7 кДж / моль. При отжиге пленок вблизи температуры стеклования в результате стабилизации структуры энергия активации растворения достигает 71 6 кДж / моль. Кроме того, при фото - и термовоздействии изменяется и предэкспоненциальный множитель в уравнении Аррениуса. Согласно [102], этот множитель характеризует поверхностную концентрацию химически активных центров, а энергия активации растворения ковал ентно - у вязанных твердых тел отражает степень прочности химических связей. [11]
Зависимость плотности почернения S фотопленки РМ5 - 1 от экспозиционной дозы излучения. [12] |
При облучении контрольных пленок следует использовать образцовые источники у-излучения 60Со или 137Cs ( см. гл. Контрольные пленки и не менее двух необлученных ( вуальных) пленок проявляют одновременно с рабочими. [13]
При облучении пленки поливинилхлорида, пластифицированного диоктилфталатом, наблюдается значительное изменение полимера и он становится нерастворимым. [14]
Во время облучения пленки во вторую ампулу помещают 50 мл очищенного от ингибитора стирола ( см. опыт 3 - 01) и 0 1 мл тетраэтиленпентамина. Затем эту ампулу откачивают и заполняют азотом; 40 мл полученного раствора с помощью шприца заливают в первую ампулу с пленкой. Затем пленку сушат в вакуумном шкафу при 50 С и взвешивают. Экстракт по каплям добавляют к 400 мл метанола, выпавший в осадок полистирол фильтруют, сушат при 50 С в вакуумном сушильном шкафу и взвешивают. [15]