Облучение - пленка
Cтраница 3
 |
Зависимость lgT / ( lg. исходных. [31] |
При S S среднее время жизни уменьшается в результате облучения пленок примерно в 3 раза по сравнению с исходной пленкой. [32]
Спектры поглощения окрашенных продуктов радиолиза, образующихся в результате облучения пленки, содержащей различные амины, свидетельствуют о наличии ион-радикалов. Расчеты показали, что образование ион-радикалов происходит в результате того, что энергия, поглощенная субстратом, в той или иной форме передается амину и вызывает его ионизацию. [33]
Накопление атомов инертного газа в матрице, происходящее при облучении пленок Ni - SiO ионами Аг4, должно приводить к изменению механизма порообразования. Иными словами, в этом случае механизм порозарождения аналогичен рассмотренному выше. Однако продолжающееся при облучении накопление аргона в пленке неизбежно приведет к уменьшению концентрации свободных вакансий вследствие образования аргон-вакансионных комплексов и, следовательно, уменьшению относительной доли пор вакансионной природы. Ранее отмечалось [204], что влияние аргона на процессы зарождения и роста пор зависит от температуры облучения: при относительно низкой температуре ( 500 С) основной вклад в распухание вносят вакансионные поры, тогда как роль газонаполненных пор растет с увеличением температуры и становится преобладающей при 650 С. [34]
Концентрация [ ВО 2 ] пропорциональна росту интенсивности полосы при облучении пленки ( А2), а [ В ] пропорциональна дальнейшему росту этой полосы при хранении пленки в темноте. [35]
Дибутилтартрат, являющийся хорошим пластификатором ацетата целлюлозы, разлагается при облучении пленки. В смеси с трифенилфос-фатом этот эфир пригоден, например, для получения из ацетата целлюлозы аэролака. [36]
На рис. 3 показаны фотоснимки исходной и привитых при одинаковой дозе облучения пленок, полученных при разных концентрациях метанола. [37]
Поэтому радиоактивные изотопы с энергией а-частиц 4 - 5 МэВ целесообразно использовать для облучения пленок толщиной до 10 - 15 мкм. Для увеличения деструкции материала в направлении вдоль трека целесообразно проводить облучение частицами в сочетании с дополнительным облучением ультрафиолетовым светом, рентгеновскими лучами, - у-лучами или электронами. При облучении ультрафиолетовым светом длина волны должна быть подобрана таким образом, чтобы наиболее сильно воздействовать на радиационно поврежденные места пленки. Например, для пленок из поликарбоната оптимальная длина волны составляет около 280 - 300 нм ( 2800 - 3000 А), большие длины волн практически не дают эффекта, а при меньших начинает происходить сильное разрушение всей поверхности пленки. [38]
Поэтому радиоактивные изотопы с энергией а-частиц 4 - 5 МэВ целесообразно использовать для облучения пленок толщиной до 10 - 15 мкм. При обработке пленок следует правильно выбирать дозу облучения, чтобы пористость была не слишком малой ( так как при этом будет мала проницаемость мембраны) и не очень большой, чтобы не снизить селективность мембраны вследствие возможного увеличения размеров пор при их слиянии. В настоящее время фильтры Нуклеопор, изготовленные на основе поликарбонатных пленок, выпускаются в виде дисков диаметром от 13 до 293 мм с порами диаметром от 0 1 до 8 мкм. [39]
 |
Температурная зависимость модуля упругости привитого сополимера найлона 6 со стиролом. / - 50 % найлона 6. 2 - 75 % найлона 6. 3-найлон 6. - 4 - полистирол. [40] |
В этой работе было обнаружено, что соли меди подавляют образование гомополимера при облучении пленок полиамида 6 у-лучами в присутствии акриловой кислоты. [41]
 |
Зависимость вз одноосно-ориентированной пленки из ПВДФ от продолжительности старения при 333 К ( а и 363 К ( б и различных дозах облучения ( температура измерения 293 К. [42] |
Стабильность е31 и пьезомодуля d3i при 333 - 363 К может быть повышена в результате облучения поляризованной пленки у-излучением в вакууме. [43]
 |
Зависимость e31 одноосно-ориентированной пленки из ПВДФ от продолжительности старения при 333 К ( а и 363 К ( б и различных дозах облучения ( температура измерения 293 К. [44] |
Стабильность ez и пьезомодуля dz при 333 - 363 К может быть повышена в результате облучения поляризованной пленки у-излучением в вакууме. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5