Электронное облучение

Cтраница 1

Электронное облучение выгодно, так как позволяет локализовать значительную энергию ( 107 - 109 рад) в сравнительно небольшом объеме. Использование электронного облучения в онкологии позволяет облучать места локализаций опухолей и щадить расположенные вблизи от них здоровые ткани больного. [1]

Применением более мягкого электронного облучения [49], захватывающего около 100 атомных слоев сплава CulOAu, подтвержден вывод о протекании объемной диффузии в Си Аи-сплавах на основе меди. [2]

Принципиальная технологическая схема электронно-лучевой установки для очистки дымовых газов от оксидов азота и серы. [3]

Под действием электронного облучения происходит образование радикалов ОН, О, НО2, N. Затем протекает окисление NO и связывание NO2 до азотной кислоты. Одновременно SO2 окисляется до SO3 и появляется серная кислота. [4]

Если энергия электронного облучения постепенно повышается, то при некотором характеристическом потенциале ( потенциал появления, appearance potential) возникают коны, которые определяются масс-спектрометрически. [5]

Общий эффект электронного облучения полиэтилена аналогичен эффекту вулканизации каучука. [6]

Температурная зависимость распухания стали 316 при облучении ионами NiG - - с энергией 46 5 МэВ дозой 18 с / а, достигнутой при различной скорости смещения атомов.| Влияние сорта частиц на порообразование в меди. [7]

В случае протонного и электронного облучения температурный интервал порообразования в материалах простирается до более низких температур, чем при облучении тяжелыми ионами, в частности собственными ионами мишени. [8]

В условиях импульсного электронного облучения G ( H202) для воды и 0 4 М H2S04 возрастает по сравнению с низкими мощностями поглощенной дозы. Согласно [25], G ( Н202) для нейтральной воды, насыщенной кислородом, равен 1 98 0 06 при мощности дозы ( 1 6 - 2 3) - 1023 эв / мл-сек. При этом выход Н202 не зависит от дозы в широком диапазоне доз. Кривая 2 на рис. 49 представляет собой зависимость количества образующейся перекиси водорода в 0 4 М растворе H2S04, насыщенном воздухом, от дозы при мощности дозы 3 - Ю23 эв / мл-сек. На рис. 52 приведена зависимость G ( H202) и G ( H2S208 H2S05) от мощности дозы, полученная в этой работе. Выходы перекиси водорода практически одинаковы как для растворов, насыщенных воздухом, так и для растворов, насыщенных кислородом. [9]

Рассматривается процесс электронного облучения слоя лакового покрытия. Приводится описание установки типа ВВС. Перечислены требования к применяемым лакам. [10]

Эффективность очистки в зависимости от дозы облучения. 1 - очистка от NO. 2 - очистка от NO.| Влияние дозы облучения на концентрацию оксидов азота в очищенном газе. [11]

Показано, что электронное облучение практически не влияло на эффективность сероочистки, и, таким образом, окисление SO2 протекало гомогенно. [12]

Некоторые результаты действия электронного облучения на объект - образование загрязняющего углеродного слоя и горение объектов в электронном микроскопе - указаны ранее, когда описывалось охлаждение объектов в микроскопе. Однако рассматриваемый вопрос значительно шире и понимание его имеет важное значение для практического выполнения электронно-микроскопических исследований. Под действием электронного облучения в микроскопе происходят радиациенно-химические и иногда термические превращения. Более просты и изучены последние, которые целесообразно рассмотреть вначале. [13]

Из опытов по электронному облучению Si и Ge [358] также следует, что вакансии мигрируют и захватываются атомами кислорода при температурах существенно ниже комнатной, так как энергия миграции их очень мала. [14]

Влияние вида и концентрации. [15]

Страницы: 1 2 3 4