Электронное облучение

Cтраница 2

Последующее у - или электронное облучение насыщенных мономерами систем позволяет сшивать эти системы, что проявляется в достижении определенных степеней гелеобразования. [16]

Резисты, чувствительные к электронному облучению ( электроночувствительные материалы), будут рассмотрены позже. [17]

Агрегация яаиелярных частиц каоаина. хЮ 000. [18]

Аморфизация исследуемых объектов при электронном облучении характерна и для органических цепных полимеров13, но не характерна для кристаллов алмаза или графита. На базисной поверхности ламели после облучения видны ямки различной формы. [19]

Объемная проводимость материалов после лазерного облучения. 1 - ПЭНД Ор. 2 - ПЭНД.| Объемная проводимость материале после электронного облучения. 1 - ПЭНД Ор. J ПЭНД. [20]

Как показывает рисунок 2, электронное облучение и лазерная засветка меняют тангенс угла диэлект ческих потерь наших сред по-разному: если лазерное облучение вызывает увеличение tg6 засвечиваем диэлектриков, то электронные пучки стимулируют снижение tgS облучаемых веществ; если после лазерн засветки tgS через 30 часов приходит к равновесным значениям, то для электронных воздействий стабили ция величины tgS не достигается и через 1 70 часов после облучения. [21]

Настоящая работа порвящена изучению действия электронного облучения на адгезию некоторых полимеров. [22]

Иногда тонкие частицы под действием интенсивного электронного облучения могут ломаться или оплавляться. При исследовании некоторых кристаллов, как, например, окиси цинка или окиси алюминия, иногда наблюдается их перекристаллизация. Некоторые неорганические вещества, как, например, кристаллы хлористого натрия и калия, под влиянием электронной бомбардировки распадаются на более мелкие кристаллики того же вещества; хлористый аммоний испаряется. Такие вещества, как хлористое серебро, азотнокислое серебро, окись свинца, хлористое золото, хлористый свинец, восстанавливаются до металлического состояния. [23]

Отмечается также, что при электронном облучении выход этилбензола в четыре раза больше, чем при Y-облучении. В состав фракции С12 входят бифенил, фенилцикло-гексадиен, фенилциклогексан и бициклические соединения, не содержащие бензольного кольца. [24]

Степень засвечивания эмульсии под действием рентгеновского или электронного облучения подчиняется уравнению а А ( 1 - е -), где а-число засвеченных ( почерневших) зерен, А - общее число зерен на единицу поверхности, г - экспозиция ( в рентгенах) или число электронов, е - коэффициент пропорциональности, зависящий от типа эмульсии. [25]

Опыт Франка - Герца. зависимость силы тока от приложенного ускоряющего напряжения ( для паров ртути. [26]

Опыты Франка и Герца ( 1912) по электронному облучению наглядно показали, что энергия атома не является величиной, изменяющейся непрерывно и произвольно так же, как и энергия колеблющихся частиц твердого тела ( см. разд. [27]

Расчет мощности дозы, поглощенной каким-либо объектом при электронном облучении, представляет самостоятельную задачу. [28]

Форти [512, 513] детально исследовал явление разложения иоди-да свинца под воздействием электронного облучения в микроскопе. Он установил, что в начальной стадии разложения происходит интенсивное переползание дислокаций, вероятно, вследствие образования вакансий в горячей облучаемой части образца и выделений на дислокациях в холодных частях кристалла. Процесс переползания выявляется благодаря образованию сплюснутых геликоидальных дислокаций. Геликоиды оказываются сплюснутыми вследствие того, что скорость переползания в направлении, параллельном базисной плоскости, значительно больше, чем в направлениях, перпендикулярных ей. [29]

Вторая причина - изменение физических свойств поверхности пленки под влиянием электронного облучения. Если на фотокатод трубки проектировать продолжительное время сильно освещенное неподвижное оптическое изображение и затем его равномерно осветить, то трубка будет генерировать сигналы после изображения той или иной полярности. При облучении пленки фотоэлектронами изменяется коэффициент вторичной эмиссии и работа выхода ее поверхности, увеличивается объемное сопротивление в тех местах, в которых течет ток нейтрализации зарядов, из-за переноса ионов натрия на коммутируемую поверхность пленки. [30]

Страницы: 1 2 3 4