Электронное облучение

Cтраница 4

Среди многочисленных методов получения свободных органических радикалов наибольшее распространение получили следующие [1-6]: 1) термическое разложение, 2) электрический разряд в газах, 3) электронное облучение, 4) радиолиз f - лучами, 5) фотолиз. За последнее десятилетие наряду с ними стал интенсивно развиваться также метод электрохимического генерирования ( ЭХГ) свободных радикалов, обладающий рядом особенностей и достоинств по сравнению с ранее перечисленными. [46]

Зависимость G ( Fe3 для.| Графическое решение уравнения ( 132. [47]

На рис. 61 показана зависимость G ( Fe3) дляЗ - 10 - 3 М дезаэрированного раствора соли Мора в 0 4 М HaS04 от мощности дозы в условиях импульсного электронного облучения. На этом рисунке приведены данные, полученные в работе [40] и пересчитанные с использованием значений средней мощности дозы в облученном объеме раствора. Как видно, G ( Fe3) с ростом мощности дозы уменьшается. [48]

При выборе эквивалента радиационного повреждения исходили из процессов взаимодействия падающей частицы с атомами вещества, не включающих процесс отжига возникающих при этом точечных дефектов, - в экспериментах по ионному и электронному облучению, как правило, имитируется доза, выраженная в числе смещений на атом. [49]

Весьма существенным в этой связи представляется недавно полученный результат, показывающий, что из пяти оснований нуклеиновых кислот аденин, имеющий наибольшее значение энергии делокализации, легче всего синтезируется электронным облучением смеси метана, аммиака и воды. Кроме того, было обнаружено, что между резистентностыо ( сопротивляемостью) этих оснований действию ионизирующих излучений и соответствующими ЭД существует глубокая связь. [50]

Весьма существенным в этой связи представляется недавно полученный результат, показывающий, что из пяти оснований нуклеиновых кислот аденин, имеющий наибольшее значение энергии делокалнзалии, легче всего синтезируется электронным облучением смеси метана, аммиака и воды. Кроме того, было обнаружено, что между резистентностью ( сопротивляемостью) этих оснований действию ионизирующих излучений и соответствующими значениями ЭД существует глубокая связь. [51]

В работах [101, 106, 107, 142-144] приведены значения tg8 для полиэтилена низкой и высокой плотности, измеренные в широком интервале частот ( от 20 до 1010 Гц) и температур, после у - и электронного облучения на воздухе и в вакууме до разных поглощенных доз. [52]

Информация о радиационном распухании материалов и закономерностях развития радиационной пористости поступает из следующих источников: исследование опытных образцов материалов, облученных в быстром реакторе; исследование оболочек экспериментальных стержневых твэлов; исследование элементов конструкции активной зоны быстрых реакторов; эксперименты по ионному и электронному облучению; математическое моделирование и теоретическое исследование процессов взаимодействия падающей частицы б атомами вещества и отжига образующихся при этом точечных дефектов. [53]

Скорость катодной реакции, на металлах, имеющих полупроводниковую окисную пленку, очевидно, ограничивается малой концентрацией носителей тока ( электронов или дырок) в полупроводниковой пленке. Электронное облучение при поглощении в окисном полупроводниковом слое вызывает резкое увеличение его проводимости вследствие ионизации атомов ( ионов) в решетке полупроводника, что увеличивает число электронов и дырок, способных участвовать в электродных реакциях. При этом не имеет значения, черпаются ли электроны из зоны проводимости или из валентной зоны. Последнее обстоятельство приводит к отсутствию качественных различий в катодном поведении металлов с пленками п - и р-типа под облучением. При облучении аноднополяризуемого металла с пленкой п-типа, локализация неосновных носителей-дырок должна препятствовать ускорению анодного процесса окисления, так как именно дырки необходимы для ее протекания. [54]

Электронное облучение выгодно, так как позволяет локализовать значительную энергию ( 107 - 109 рад) в сравнительно небольшом объеме. Использование электронного облучения в онкологии позволяет облучать места локализаций опухолей и щадить расположенные вблизи от них здоровые ткани больного. [55]

В случае низких мощностей дозы роль подобных реакций невелика. В условиях импульсного электронного облучения вследствие высокой мгновенной концентрации ионов Т12 их значение может существенно возрастать. [56]

Процесс литографии с повышенным контрастом. [57]

E ( V)), большое фокусное расстояние, легко управляется электрически. Поэтому идея использования электронного облучения при экспонировании для формирования мельчайших элементов ИС возникла очень быстро, и исследования в этом направлении имеют уже почти 20-летнюю историю. Общая схема установки электронно-лучевого экспонирования показана на рис. 4.63 и содержит электронно-оптическую систему, столик, интерфейс и вычислительное устройство. [58]

В литературе имеется значительный материал по электронно-микроскопическим наблюдениям за разрушением кристаллов различных веществ в результате как нагревания препаратов вне микроскопа, так и действия электронного пучка в приборе. Разрушение кристаллов в результате электронного облучения отмечалось в ряде работ, и сам по себе этот факт обычно является тривиальным. Впрочем, иногда только электронно-микроскопические наблюдения за характером разрушения кристаллов могут представлять известный интерес. [59]

Страницы: 1 2 3 4