Лазерное облучение

Cтраница 4

Для поддержания непрерывного режима работы модулятора при случайном смещении сигнального пучка, что актуально, например при включении модулятора в цепь обратной связи, существенно отношение времен ТЛЭ / Т3, где Таэ - время распада решетки при прекращении лазерного облучения кристалла в данном месте. Так как для фоторефрактивных кристаллов обычно ТЯЭ / Т3 102 ( § 2.1), то ФРК-лазер действует как идеальный дефлектор свыше 99 % рабочего времени. Самоюстировка является основным преимуществом описанной системы, доведенной до стадии технической разработки. [46]

Способы получения аморфного состояния могут быть отнесены к одной из следующих групп: закалка из жидкого состояния ( спиннингование расплава, центробежная закалка, метод выстреливания, метод молота и наковальни, вытягивание расплава в стеклянном капилляре и др.), закалка из газовой фазы ( вакуумное напыление, ионно-плаз-менное распыление, химические реакции в газовой фазе и др.), амор-физация кристаллического тела при высокоэнергетических воздействиях ( облучение частицами поверхности кристалла, лазерное облучение, воздействия ударной волной, ионная имплантация и др.), химическая или электрохимическая металлизация. [47]

Под влиянием интенсивного лазерного облучения поверхность эмиттирует электроны ( плотность тока до - 105 а / см2) и нагревается до температур - 10000 К. Под действием излучения импульсного лазера может происходить унос материала. Скорость уноса материала может достигать 10е см / сек. При высоких мощностях лазера происходит ионизация уносимого вещества, энергия ионов может достигать нескольких килоэлектронвольт. Проводились также эксперименты по облучению твердых частиц, взвешенных между электродами, были получены многократноионизированные ионы больших энергий. [48]

Так, при лазерном облучении смеси СН3ОН, CD3OD ( D - дейтерий) и Вг2 происходит бромирование только СН3ОН вследствие избирательного возбуждения молекул. Если данное вещество способно, например, к распаду и к изомеризации, то можно, используя лазерное излучение, осуществить направленно только один процесс. [49]

Схема лазерного изотопного разделения JNAI-LIS. генерация па. [50]

Принципы метода MLIS практически в неизменном виде использованы для очистки UFg от примесей NpFe и PU. В основе метода лежит лазерное облучение гексафторида урана с примесями гексафторидов нептуния и плутония таким образом, что NpFg и PuFg селективно возбуждаются до уровня, превышающего порог их диссоциации, диссоциируют с образованием нелетучих низших фторидов и фтора. [51]

Лазерное облучение ФП приводит к появлению ча-максимума ( при температуре 70 С) и ( 3 - максимума ( при температуре 40 С) на зависимости tg5 от температуры. Спустя 24 часа после лазерного облучения, Р - максимум значительно превалирует по интенсивности над а - максимумом; спустя 48 часов после лазерного облучения, ситуация становится обратной. Такая картинка сохраняется и далее, до тех пор пока релаксационные процессы не приведут к исчезновению обоих максимумов. [52]

Окна прозрачности для типичных стекол. [53]

Для передачи и фокусировки лазерного облучения применяют SnSe и CdTe. Различные халькогениды используются в термографии, оптических приборах ночного видения. Они характеризуются высокой стойкостью в сильнокислых средах и к атмосферному воздействию. Стеклообразный Se используется в ксерографии ( сухом копировании) в виде пленок с 6 50 мкм. [54]

Простота применения и эффективность влияния лазерного облучения на организм обеспечивают этому методу блестящие перспективы. Однако, в настоящее время механизм его действия изучен далеко не полностью, а разработка различных методик применения лазера базируется в основном на эмпирических наблюдениях. [55]

Сферолитная структура в полиэтилене ( увеличение Х675. [56]

Наличие определенного порядка молекул характерно не только для кристаллизующихся полимеров, а обнаруживается также и в аморфных полимерах. В работе [69] при помощи лазерного облучения была выявлена псевдосферолитная ( доменная) структура в поли-метилметакрилате. [57]

Программированное выделение мощншш дан получения сверхсжатого состояния. [58]

Рассмотрим, однако, следующую схему протекания процесса. Пусть маленькая сферическая мишень подвергается равномерному всестороннему лазерному облучению. На начальных стадиях вокруг твердой мишени образуется плазменная корона. Основная доля подводимой мощности поглощается, как уже отмечалось выше, в тех слоях плазмы, где плотность близка к критической. Если вся подводимая энергия выделяется практически мгновенно, то испарение вещества приводит к образованию ударной волньй распространяющейся внутри мишени. [59]

Решающая роль в изменении структурного состояния твердых сплавов при воздействии лазера отводится термическим явлениям, которые стимулируют диффузионные процессы, насыщение вольфрамом кобальтовой связки, а также изменение размера карбидов. Размер зерен карбидной фазы при лазерном облучении может как уменьшаться, так и увеличиваться. Укрупнение зерен тугоплавкого компонента обусловлено механизмом собирательной рекристаллизации. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5