Лазерное облучение

Cтраница 1

Зависимость емкости ФП от температуры для 1 кГц ( 1 и 10 кГц ( 2 до облучения и 10 кГц сразу после облучения ( 3. [1]

Лазерное облучение приводит к росту tgS ФП так, что максимальная величина этого параметра достигается через 24 часа после лазерной засветки. Далее происходит снижение tg8 и, спустя 168 часов после облучения, данный параметр релаксирует к начальным данным. [2]

Лазерное облучение и электрофизическая обработка относятся к перспективным, но малоизученным способам обеззараживания СОЖ - Уничтожение микроорганизмов наблюдается при электроимпульсной обработке водных сред ( см. гл. [3]

Лазерное облучение ФП приводит к появлению ча-максимума ( при температуре 70 С) и ( 3 - максимума ( при температуре 40 С) на зависимости tg5 от температуры. Спустя 24 часа после лазерного облучения, Р - максимум значительно превалирует по интенсивности над а - максимумом; спустя 48 часов после лазерного облучения, ситуация становится обратной. Такая картинка сохраняется и далее, до тех пор пока релаксационные процессы не приведут к исчезновению обоих максимумов. [4]

Лазерное облучение ФП не сдвигает по температуре а - и ( 3 -максимумы и, значит, не приводит к изменению жесткости этого материала. [5]

Используя лазерное облучение, разработаны импульсные источники электронов малых размеров, позволяющие получать экстремально большую плотность электронного тока. [6]

Уровни лазерного облучения персонала должны проверяться не реже одного раза в год, а также при приемке в эксплуатацию новых лазеров, внесении изменений в конструкцию действующих установок, при изменении конструкции средств защиты, организации новых рабочих мест. [7]

Измерение уровней лазерного облучения следует проводить при работе лазера ( установки) в режиме максимальной отдачи мощности ( энергии), определенной условиями эксплуатации. В процессе поиска и наведения измерительного прибора на объект излучения должно быть найдено также положение, при котором регистрируются максимальные уровни лазерного излучения. [8]

Выбранные оптимальные режимы лазерного облучения были использованы при локальном упрочнении поверхности золотника. [9]

Схема лазерного изотопного разделения JNAI-LIS. генерация паров и ионов урана, сбор ионов. [10]

В основе метода лежит лазерное облучение гексафторида урана с примесями гексафторидов нептуния и плутония таким образом, что NpFe и PuFe селективно возбуждаются до уровня, превышающего порог их диссоциации, диссоциируют с образованием нелетучих низших фторидов и фтора. [11]

Для защиты персонала от лазерного облучения необходимо: устанавливать защитные экраны или кожухи, препятствующие попаданию излучения на рабочие места; размещать пульт управления лазерной установкой в отдельном помещении ( выгородке) с телевизионной или другой системой наблюдения за ходом процесса; проверять работу системы блокировок и сигнализации, предотвращающих доступ персонала в пределы опасной зоны; иметь на рабочем месте схему опасной зоны; окрашивать внутренние поверхности помещения матовой краской с минимальным коэффициентом отражения на длина волны излучения; при совмещении системы наблюдения с оптической системой лазера применять автоматические затворы или светофильтры, защищающие глаза оператора в момент генерации излучения. [12]

Предельно допустимые уровни интенсивности лазерного облучения зависят от характеристик излучения ( длины волны, длительности и частоты импульсов, длительности воздействия) и устанавливаются таким образом, чтобы исключить возникновение биологических эффектов для всего спектрального диапазона и вторичных эффектов для видимой области длин волн. [13]

Радикальные пары, генерированные наносекундным лазерным облучением в полярных растворителях путем фотопереноса электрона между донором и акцептором ( пирен и 3 5-диметокси - М - ди-метиланилин), первоначально находятся в синглетном состоянии. Синглет-триплетная эволюция пары D-AT s переводит ее частично в триплетное состояние, из которого образуются триплет-но-возбужденные молекулы. [14]

Из сказанного следует, что лазерное облучение полупроводников в условиях межзонного поглощения приводит к образованию точечных дефектов в приповерхностной области кристалла при энергиях импульсов - ( 0 05 - 0 1) Wnop, где Wnop - порог плавления поверхности. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5