Cтраница 1
Тепловая схема многослойной оболочки ( а. электрической модели ( б, а также схемы расположения узлов сетки в слое металла при различных значениях h ( в, г. [1] |
Реальные оболочки могут иметь более ста слоев металла, поэтому не только натурный тепловой, но и численный эксперимент по исследованию нестационарных тепловых режимов сложен, требует значительных затрат средств и времени. Для реальной задачи, когда п - 70, численные исследования проведены с учетом обоснованных в методических исследованиях допущений и упрощений ММ и вычислительной схемы. [2]
Реальной оболочке всегда присущи более или менее значительные отклонения от идеальной расчетной схемы. [3]
Деформирование реальной оболочки с неизбежно существующими начальными геометрическими несовершенствами формы описывается кривой ОС, с самого начала отклоняющейся от прямой ОВ. После достижения нагрузкой значения д д, соответствующего предельной точке С, состояние равновесия реальной оболочки перестает быть устойчивым и оболочка хлопком переходит в новое состояние, существенно удаленное от начального. [4]
Типовая цилиндрическая оболочка из группы механически подобных ( аффин ных образцов. [5] |
Для реальных оболочек безмоментная теория описывает действительное напряженное состояние лишь на некотором удалении от закрепленных краев. [6]
Для реальной оболочки Рхл обычно лежит между верхним и нижним критическими значениями идеально правильной оболочки, и чем точнее изготовлена оболочка, тем оно ближе к верхнему критическому значению. Значение Рхл чрезвычайно чувствительно к величинам и формам начальных неправильностей. С одной стороны, это приводит к большому разбросу экспериментальных значений Рхл, полученных в различных условиях, с другой стороны, возникают принципиальные трудности и при теоретическом определении Рхл, так как для определения Рхл данной реальной оболочки необходимо с большой точностью знать ее начальные неправильности, что практически неосуществимо. [7]
Для реальной оболочки Рхл обычно лежит между верхним и нижним критическими значениями идеально правильной оболочки, и чем точнее изготовлена оболочка, тем оно ближе к верхнему критическому значению. Значение Ркл чрезвычайно чувствительно к величинам и формам начальных неправильностей. С одной стороны, это приводит к большому разбросу экспериментальных значений Рхл, полученных в различных условиях, с другой стороны, возникают принципиальные трудности и при теоретическом определении Рхл, так как для определения Рхл данной реальной оболочки необходимо с большой точностью знать ее начальные неправильности, что практически неосуществимо. [8]
Поверхность вращения. [9] |
Изгибание реальных оболочек вращения, имеющих толщину ft, строго говоря, не описывается приведенными выше соотношениями. [10]
Характер выпучивания реальных оболочек средней длины не соответствует ни одному из этих вариантов. В действительности, вместо вмятин прямоугольного очертания, расположенных в шахматном порядке и обращенных к центру и от центра кривизны, образуются ромбовидные вмятины, глубина которых уже в первоначальный момент сравнима с толщиной оболочки. Эти вмятины появляются обычно в процессе резко выраженного хлопка оболочки. Отсюда вытекает необходимость решения задачи с позиций нелинейной теории. [11]
Подобно тому, как реальные оболочки резко реагируют на малые возмущения, что приводит к большому разбросу экспериментальных значений критических напряжений ( см. ниже), результаты решения по методу Ритца сильно меняются при незначительном изменении принимаемого выражения для прогиба. [12]
По-видимому, при испытаниях реальных оболочек переход от одной ветви к другой будет осуществляться в процессе хлопков. [13]
В отличие от идеальных в реальных оболочках всегда имеются те или иные начальные неправильности формы. Переход от одного устойчивого состояния к другому также должен происходить скачком. [14]
Диаграмма ОА B D отвечает модели реальной оболочки, имеющей начальные неправильности формы. Исходное состояние в этом случае не является без. ОА) не совпадает с осью ординат. Нагрузки, соответствующие точкам А и В, называют верхней и нижней критическими нагрузками. [15]