Образец - кремний
Cтраница 1
Образцы кремния ( 0 5 - 2 г) упаковывают в кварцевые бюксы. Эталоны приготавливают путем нанесения капли раствора на кварцевую пластинку ( из расчета количества элемента - 10 - 5 г) и после высушивания помещают в аналогичные бюксы. На каждый элемент, количественно определяемый в данном анализе, берут по два эталона. Бюксы перед употреблением промывают царской водкой и дистиллированной водой. [1]
Образец кремния ( 0 5 - 2 г) помещают а кварцевый бюкс с притертой кварцевой пробкой. Эталоны при облучении в потоке до 1013 нейтр / см2 - сек берут в количестве 0 5 - 1 мг ( в пересчете на элемент) и помещают в кварцевые бюксы. [2]
Образцы кремния ( 0 5 - 2 г) упаковывают в кварцевые бкжсы. Эталоны приготавливают путем нанесения капли раствора на кварцевую пластинку ( из расчета количества элемента - 10 - 5 г) и после высушивания помещают в аналогичные бюк-сы. На каждый элемент, количественно определяемый в данном анализе, берут по два эталона. Бюксы перед употреблением промывают царской водкой и дистиллированной водой. [3]
Образец кремния ( 0 5 - 2 г) помещают в кварцевый бюкс с притертой кварцевой пробкой. Эталоны при облучении в потоке до 1013 нейтр / см2 - сек берут в количестве 0 5 - 1 мг ( в пересчете на элемент) и помещают в кварцевые бюксы. [4]
Образец собственного кремния при 7300 К имеет удельное сопротивление 2 - 105 Ом-см, концентрация электронов проводимости составляет 1 5 - 10ю см-3. Предположите, что подвижность электронов в 3 раза больше подвижности дырок, и это соотношение сохраняется как для собственного, так и для примесного полупроводника. [5]
Облучение образцов кремния, кварцевого стекла, двуокиси кремния и продуктов гидролиза четыреххлористого кремния, этоксисилана и трихлорсилана весом 1 г проводили в потоке 1013 - 1014 нейтронов в течение 24 час. [6]
 |
Схема, иллюстрирующая образование возможного профиля примесей ( / из профилей для идеально беспорядочного ( 2 в. [7] |
На образцах кремния 110, ориентированных относительно пучка с точностью О, Г, вероятность канали-рования с ростом энергии ионов возрастает, а с увеличением дозы облучения - падает. При углах разориен-тации ионов и мишени около 8 профили распределения меняются очень слабо. [8]
На поверхности образца кремния тг-тппа существует сильный изгиб зон вверх, отвечающий образованию обедненного слоя. [9]
Изменение электрических свойств образцов кремния во время отжига при 1000 не может быть связано только с диффузией примесей с поверхности, так как изменение времени жизни неравновесных носителей t начинается с 350 - 500, когда заметной диффузии не происходит. [10]
При регистрации спектров образцов кремния и германия, у которых частицы имеют размер, лишь в несколько раз меньший длины волны, резко возрастает рассеяние излучения, и на приемник спектрофотометра попадает только небольшая часть ( вплоть до десятых долей процента) исходного излучения. [11]
Однако полного растворения образца кремния при этом не происходит, так как едва начавшись, последняя реакция быстро прекращается, поскольку образующийся на поверхности кристаллический Si02 ( кислотный оксид с высшей степенью окисления кремния) препятствует дальнейшему протеканию реакции. [12]
 |
Изотермы обмена Н - Me на различных образцах. [13] |
Если присутствие в образце кремния или фосфора не изменяет кислот -, ных свойств катионита, введение циркония или титана приводит к получению образцов со слабокислотными свойствами. Величина ионообменной емкости катионитов ZrSb и TiSb при низких значениях рН невелика и значительно ниже, чем для других типов рассматриваемых ионитов, но существенно возрастает в нейтральной и щелочной областях значений рН ( для TiSb Гка 0.25, 3.25 мг-экв. ZrSb аналогичные величины составляют 0.60 и 2.75 мг-экв. [14]
Метод основан на облучении образца кремния тепловыми нейтронами в ядерном реакторе, химическом выделении определяемых элементов и измерении у-спектров полученных препаратов. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5