Образец - кристалл
Cтраница 1
Образец кристалла при 0.7 мм2 имел такое же значение прочности, как и образцы с площадями сечения в 5 и 30 мм, полученные в процессе течения из первоначального более толстого образца, имевшего прочность в 2700 Г / мм. [1]
 |
Первая группа полос / И-серии для паров ( / и кристаллов ( J. бензола. [2] |
Образцы кристаллов отличаются друг от друга ориентацией эллипсоида показателей преломления относительно развитой в них плоскости. [3]
Для 15 образцов кристаллов после третьей и четвертой кри сталлизаций отклонения от среднего значения не превышают 5 %, что при обычной температуре находится в пределах допустимых погрешностей. Чтобы убедиться в том, что разница, имевшаяся между различными кристаллами, не отвечает реальным различиям, мы отобрали из кристаллов третьей кристаллизации два образца ( № № 2 и 10), сильно отличавшиеся друг от друга. Измерения с ними были проведены при более высокой температуре с погрешностью наблюдения не больше 1 % ( см. табл. 8, стр. [4]
Для 15 образцов кристаллов после третьей и четвертой кристаллизации отклонения от среднего значения не превышают 5 %, что при обычной температуре находится в пределах допустимых погрешностей. Чтобы убедиться в том, что разница, имевшаяся между различными кристаллами, не отвечает реальным различиям, мы отобрали из кристаллов третьей кристаллизации два образца ( № № 2 и 10), сильно отличавшиеся друг от друга. Измерения с ними были проведены при более высокой температуре с погрешностью наблюдения не больше 1 % ( см. табл. 8, стр. [5]
Пусть в образце кристалла имеется N элементарных ячеек. [6]
В нормальном режиме образец кристалла / С, дрейфовая труба Т и первая сетка С заземлены, так что падающий и отраженный пучки не испытывают действия поля. Две центральные сетки С2 и С3 соединены вместе и находятся под отрицательным по отношению к земле потенциалом Vc, почти равным энергии первичного пучка. Поэтому упруго отраженные электроны имеют достаточную для прохождения энергию, в то время как электроны, потерявшие значительную часть энергии в результате процессов неупругого рассеяния в образце, пройти не могут. [7]
Приблизительно держание в образце кристаллов а - и у-форм видно из диаграммы в верх-эй части рисунка. [8]
Рентгенограмма, полученная с образца кристалла АИГ ( рис. в), была нами полностью проиндицирована. Значения межплоскостных расстояний и относительных интенсивно-стей, а также индексы hkl приведены в таблице. Как видно из таблицы, наши результаты не только хорошо совпадают с литературными данными, но и дополняют диффракционную картину АИГ. [9]
Напряжение поляризации может быть установлено экспериментально для определенного образца кристалла путем измерения малого тока и напряжения, прикладываемого к диэлектрику. В пределах напряжений, под которыми находится кристалл кварца в момент генерации тока, сопротивление выбранного образца будет постоянным в соответствии с законом Ома в течение всего рабочего времени. [10]
 |
Блок-схема опытной установки с тремя электродами. [11] |
Она отличается от предыдущей тем, что вокруг кубического образца кристалла ( грань равна 4 мм) нанесена полоска серебра, служащая третьим электродом. Этот электрод дает возможность изменять электрическое поле как функцию положения в кристалле. [12]
 |
Зависимости lg тс / ( lg Е и lg тс / - для керамики Т-80. [13] |
Если состаренные ( до второго этапа включительно) образцы кристаллов и керамики прогреть в отсутствие поля или подвергнуть действию поля противоположной полярности, то происходит процесс регенерации - восстановление первоначальных диэлектрических свойств. После того как достигнут третий или четвертый этапы старения, регенерация может быть лишь частичной. [14]
Выращивание кристаллов из растворов часто считают универсальным методом, позволяющим получать образцы кристаллов веществ с любыми температурами плавления, значительно диссоциирующими при плавлении, а также соединений, образующихся по перитектической реакции. [15]
Страницы: 1 2 3