Образец - кристалл
Cтраница 2
Электронно-микроскопические исследования структуры искусственного камня показали, что после вымыва из образца кристаллов поваренной соли образуются поры, размер которых колеблется в пределах 0 215 - 0 07 мм. При этом количество пор размером 0 140 - 0 145 мм почти в 2 раза превышает количество пор других размеров. [16]
Таким образом, колебания кристаллической решетки можно представить как фононный газ, заключенный в пределах образца кристалла, подобно тому как электромагнитное излучение можно представить как фотонный газ, заполняющий полость. Формально оба представления весьма схожи - и фотоны, и фононы подчиняются одной и той же статистике. Однако между фотонами и фо-нонами имеется существенное различие: в то время как фотоны являются истинными частицами, фононы являются квазичастицами. [17]
Таким образом, колебания кристаллической решетки можно представить как фононный газ, заключенный в пределах образца кристалла, подобно тому как электромагнитное излучение можно представить как фотонный газ, заполняющий полость. Формально оба представления весьма схожи - и фотоны, и фононы подчиняются одной и той же статистике. Однако между фотонами и фонолами имеется существенное различие: в то время как фотоны являются истинными частицами, фононы являются квазичастицами. [18]
Каждая разрешенная зона состоит из близкорасположенных дискретных уровней, число которых равно количеству атомов в образце кристалла. [19]
 |
Видимое изменение концентрации кремния в образце Ge-Si. [20] |
Чтобы проверить возможность применения метода распыления в качестве аналитического метода, были подвергнуты распылению ионами различных инертных газов с энергиями от 100 до 400 эв образцы кристалла Ge - Si ( 11 вес. [21]
Масс-спектры вторичных ионов, полученные от массивных монокристаллов и эпитаксиальных пленок GaAs как по составу ионов, так и по относительным интенсивностям массовых линии масс-спектра оказались, в пределах ошибок измерения, одинаковыми в различных условиях опытов, что позволило, с одной стороны, сделать вывод о незначительном вкладе в интенсивность вторичных ионов различного структурного совершенства образцов кристаллов и пленок, а с другой - считать полученные данные справедливыми для массивных монокристаллических образцов и монокристаллических пленок. [22]
 |
Относительная влажность атмосферы. [23] |
Простое испытание для определения влажности атмосферы, при которой определенная масса кристаллов будет поглощать влагу, заключается в следующем. Образцы кристаллов помещают в сушильные шкафы, содержащие атмосферу с различным известным содержанием влаги. В сушильный шкаф можно поместить растворы серной кислоты различной концентрации; эквивалентные относительные влажности получающихся атмосфер могут быть высчитаны на основании данных об упругости паров. Атмосфера постоянной относительной влажности может быть также получена с помощью насыщенных растворов различных солей. На табл. 19 дается перечень относительных влаж-ностей в процентах для атмосферы над растворами различных насыщенных солей при 15 6 С. [24]
Авторы работы [40] рекомендуют при кристаллизация некоторых свинецсодержащих перовскитов ( PbTiOj, PbZrOs) использовать в качестве растворителя состав 50 мол. Образцы кристаллов лучшего качества были получены при 75 мол. [25]
 |
Зависимость скорости молекулярно-диффузионного рас-творения каменной соли в воде от времени контакта фаз при 25 С и. [26] |
Формула Стефана (3.26) хорошо подтверждается экспериментально. Если образец кристалла соли со всех сторон, кроме одной, покрыть нерастворимой в воде пленкой и погрузить в воду открытой гранью вверх со строго горизонтальным ее расположением, то на поверхности соли быстро образуется пограничный слой раствора. Этот слой не должен стекать с поверхности соли, что обеспечивается плотным ограждением по боковому периметру кристалла. Возмущающее действие погружения образца в жидкость вызывает конвективные потоки, которые медленно, около 3 ч, затухают, и процесс растворения переходит в режим молекулярной диффузии. [27]
При медленном нагревании образцов, содержащих только кристаллы в-формы, между пиками Б и В появляется экзотермический пик. При температурах кристаллизации выше 35 С содержание в образцах кристаллов а-формы увеличивается. Последний пик плавления Г был отнесен к окончательному плавлению кристаллов а-формы. Однако исходные кристаллы этой формы, как показали исследования при скоростях нагревания 10 град / мин и выше, плавятся в области температур, где находится пик плавления В. Таким образом, пик плавления В при промежуточных температурах кристаллизации может быть вызван как плавлением перестроившихся кристаллов В-формы, так и исходных кристаллов а-формы. В то же время пик Г обусловлен плавлением наиболее совершенных кристаллов а-формы. Правильность такого отнесения была подтверждена Ловерингом и Вунденом [ 142] при помощи световой микроскопии и рентгенографических данных. Прямой переход кристаллов В - формы в кристаллы а-формы в результате твердофазного превращения, по-видимому, невозможен или происходит черезвычайно медленно. Ловеринг и Вуден [ 142] наблюдали образование новых кристаллов а-формы только после плавления кристаллов р-формы. При промежуточных температурах отжига, при которых после плавления плохих кристаллов В - формы восли стабильные кристаллы а-формы и более совершенные кристаллы В-формы, отношение количеств кристаллов обеих форм зависело от скорости зародышеобразования каждой модификации и от относительных скоростей их роста. [28]
 |
Кинетика изменения температуры гидратации Т ( 1, теплоты гидратации 3 ( 2 и скорости тепловыделения 2 / т ( 3 калийно-щелочного раствора. [29] |
Более высокая теплопроводность у растворов на воде и солях по сравнению с КШР при - 5 С объясняется наличием в образцах кристаллов льда, у которых К выше, чем у воды а также тем, что их микроструктура менее плотная ( поры заполнены водой и льдом) и прочная, чем у КЩР. [30]
Страницы: 1 2 3