Образование - новый кристалл
Cтраница 1
Образование новых кристаллов в твердом кристаллическом веществе называется вторичной кристаллизацией. Процесс кристаллизации состоит из двух одновременно идущих процессов - зарождения и роста кристаллов. Кристаллы могут зарождаться самопроизвольно - самопроизвольная кристаллизация - или расти на имеющихся готовых центрах кристаллизации - несамопроизвольная кристаллизация. [1]
Чтобы уменьшить возможность внезапного образования новых кристаллов, степень пересыщения циркулирующей жидкости поддерживается в метастабильной области. За счет классифицирующего действия циркулирующего раствора только более крупные кристаллы оседают на дно. [2]
 |
Схематическое изображение соотношений между решетками старой и новой фаз, обусловливающих прекращение мартенситного роста. [3] |
Быстрое убывание скорости образования новых кристаллов мартенсита при температурной остановке означает прекращение образования зародышей. [4]
Вскоре после этого явно наблюдалось образование новых кристаллов при той же температуре, при которой прежние плавились. [5]
Конец перегонки определяют по прекращению образования новых кристаллов на стенках холодильника; оставшиеся кристаллы смывают паром, для этого после окончания перегонки пропускают пар через холодильник еще в течение нескольких минут. [6]
Конец перегонки легко узнается по прекращению образования новых кристаллов на стенках холодильника; остающиеся рекомендуется смыть паром, для чего при окончании перегонки пропускают его через холодильник еще в течение нескольких минут. [7]
Чтобы поместить кристалл в жидкую фазу без образования новых кристаллов описанным способом, необходимо погружать кристалл в еще недосыщенную жидкую фазу. И при этом обычно необходимо поддерживать определенную степень недосыщения в течение некоторого ( неопределенного) промежутка времени, прежде чем можно будет переходить к пересыщению без опасности вызвать зародыше-образование. [8]
Присутствие кристаллов в пересыщенном растворе или расплаве может иногда катализировать образование новых кристаллов. Это может происходить различными способами. Начальное размножение имеет место, когда кристалл помещается в пересыщенный раствор. Предполагают - что начальное размножение связано с присутствием кристаллической пыли на поверхности вводимого в жидкость кристалла. Пыль образуется либо благодаря механическому истиранию кристаллов друг об друга во время их хранения, либо благодаря быстрому осушению кристаллов при их приготовлении. В достаточно сильно пересыщенных растворах может происходить размножение иглами. Этот процесс заключается в росте игл на концах кристалла, которые обламываются при перемешивании раствора и служат зародышами новых кристаллов. В пределах данной классификации к иглам относятся и всякого рода выступы, образующиеся на материнском кристалле. Некоторые кристаллы, как выяснилось, обладают свойством расти в виде поликристаллических агрегатов. Эти агрегаты могут разламываться в процессе роста, при этом происходит поликристаллическое размножение. [9]
При кристаллизации в псевдоожихенном слое одновременно протекают два процесса: образование Новых кристаллов и рост кристаллов, находящихся в кристаллизаторе Скорость этих процессов определяется величиной начального пересадения раствора [23,89], Оказывая влияние на скорости роста и образования зародышей, степень пересыщения определяет гранулометрический состав продукта. В зависимости от величины пересыщения с разной скоростью параллельно протекают процессы образования зародышей и роста кристаллов, находящихся в аппарате. [10]
Процесс плавления существовавших в полимере кристаллов под действием механических напряжений и образование новых кристаллов, ориентированных в направлении растяжения, называется процессом рекристаллизации. Напряжение, соответствующее перегибу на кривой о - е, называется напряокением рекристаллизации. Появление же оптической и механической анизотропии свидетельствует о протекании в образце полимера фазового перехода. [11]
Процесс плавления существовавших в полимере кристаллов под действием механических напряжений и образование новых кристаллов, ориентированных в направлении растяжения, называется процессом рекристаллизации. Напряжение, соответствующее перегибу на кривой о - е, называется напряжением рекристаллизации. Появление же оптической и механической анизотропии свидетельствует о протекании в образце полимера фазового перехода. [12]
 |
Схемы холодной сварки. я-односторонней. б-двусторонней. [13] |
На границе раздела соединяемых частей происходит сращивание их в одно целое за счет образования новых кристаллов. [14]
Нарушения строения, подобные тем, которые вызываются пластической деформацией, возникают и в результате образования нового кристалла мартенсита в области, окружающей уже имеющийся кристалл. Это должно приводить к облегчению образования новых зародышей; по-видимому, с изменением распределения этих нарушений и уменьшением локальных напряжений ( пиков напряжений) при выдержке связана стабилизация аустенита при остановке охлаждения. [15]
Страницы: 1 2 3 4