Образование - новый кристалл
Cтраница 4
Последний тип выделений, обнаруженный Агеевым [95], при исследовании сплавов Ag-Си получил название двухфазного распада: при распаде в твердом растворе возникают участки с конечной концентрацией, но остальная часть твердого раствора в этот момент не испытывает распада. При таком механизме возникший кристалл новой фазы далее практически не растет ( до начала коагуляционлых явлений), а развитие процесса происходит за счет образования новых кристаллов. Каждый возникший кристалл окружен объемом твердого раствора, в котором распад прошел до конца, остальная же часть твердого раствора остается в метастабильном состоянии. Таким образом, если при обычном процессе выделения состав твердого раствора меняется постепенно, то при двухфазном распаде ол изменяется скачком. [46]
Получение при контактной сварке вполне качественного соединения обычно сопровождается образованием на границе соединяемых деталей общих зерен металла ( фиг. Образование таких зерен без расплавления металла возможно при одновременном соблюдении трех условий: а) свариваемые поверхности должны плотно прилегать друг к другу ( должно быть приложено достаточное давление); б) на свариваемых поверхностях не должно быть пленок окислов, грязи и других посторонних веществ, препятствующих непосредственному взаимодействию атомов свариваемых деталей ( поверхности свариваемых деталей должны предварительно очищаться); в) во время сварки должна быть обеспечена возможность образования новых кристаллов. Кроме того, в случае сварки деталей из неодинаковых металлов эти металлы ( или сплавы) должны допускать по своей физической природе образование общих кристаллов. [47]
Кратности вытяжки исследованных матов действительно пропорциональны высоте складки и близки вычисленным значениям К. Образование новых кристаллов позволяет рассматривать появление шейки как фазовый переход ( см. стр. [48]
Кристаллы нагретой стали имеют одинаковую аустенитную структуру. Но граничащие между собой кристаллы аустенита имеют случайную ориентировку кристаллографических плоскостей. При образовании нового кристалла необходима перестройка атомов, располагающихся по кристаллографическим плоскостям нового кристалла. Этот процесс перемещения ( миграции) атомов происходит легче при высокой температуре и зависит в значительной мере от величины приложенного осадочного давления, имея в виду, что интенсивность рекристаллизации зависит от степени наклепа. [49]
Однако не следует думать, что кристаллы имеют неизменяющуюся структуру; возможно, что они расщепляются при вытягивании волокна так же, как это предполагается при вытягивании волокон, сформованных из расплава, и отдельные части их впоследствии снова соединяются. Действительно, в процессе вытягивания набухшего волокна может произойти значительное изменение его молекулярной структуры. Если это так, то в образовании новых кристаллов в вытянутых волокнах участвуют только те молекулы или части кристаллов, которые почти параллельны оси волокна-как и в случае растянутого каучука. Этим, очевидно, объясняется, что степень ориентации в волокнах, вытянутых в набухшем состоянии, выше, чем в случае аффинной деформации волокна. Отсутствие шеек и явления естественной вытяжки при вытягивании волокон, сформованных из раствора, можно объяснить наличием большого количества жидкости, вызывающей набухание полимера и способствующей разрыхлению молекулярной структуры, что аналогично влиянию повышения температуры. [50]
Мартенситное превращение заключается в образовании внутри каждого зерна аустенита большого числа кристаллов мартенсита, имеющих форму пластинок, величина которых ( около 10 - 3 - 10 - 4 см ] зависит от состояния зерен аустенита. Более однородной и совершенной кристаллической структуре аустенита соответствуют крупные кристаллы образующегося мартенсита, и наоборот. Превращение происходит не за счет роста, а вследствие образования новых кристаллов. [51]
Мартенситное превращение заключается в образовании внутри каждого зерна аустенита большого числа кристаллов мартенсита, имеющих форму пластинок, величина которых ( около 10 - 3 - 10 4 см) зависит от состояния зерен аустенита. Более однородной и совершенной кристаллической структуре аустенита соответствуют крупные кристаллы образующегося мартенсита, и наоборот. Превращение происходит не за счет роста, а вследствие образования новых кристаллов. [52]
 |
Мартенситные кривые марганцовистых. [53] |
Ниже определенной температуры, зависящей от химического состава аустенита, происходит процесс превращения аустенита в мартенсит. Процесс заключается в образовании внутри зерен аустенита значительно более малых по размеру кристаллов мартенсита ( порядка 10 - 3 - 10 - 4сж), обычно имеющих iopMv пластинок, что обусловливает игольчатую микроструктуру шлифа. Возникшие кристаллы мартенсита не растут, а превращение продолжается за счет образования новых кристаллов, распространяясь на широкую область температур. Остановка охлаждения приводит к прекращению образования новых мартенситных кристаллов. Для продолжения превращения необходимо дальнейшее понижение температуры. Ход мартенситного превращения при охлаждении может быть представлен мартенситной кривой, выражающей зависимость количества мартенсита от температуры. Температура начала мартенситного превращения ( Точка М, в ранних исследованиях - точка, Аг) называется мартеноитной точкой. [54]
Особенно сильное влияние на зарождение и рост кристаллов оказывают ПАВ и др. примеси, находящиеся в зоне р-ции. Адсорбция ПАВ на пов-сти граней Кристаллов снижает поверхностную энергию, уменьшает работу образования новых кристаллов и понижает линейную скорость роста. В результате образуются мелкокристаллич. [55]
Особенно сильное влияние на зарождение и рост кристаллов оказывают ПАВ и др. примеси, находящиеся в зоне р-ции. Адсорбция ПАВ на пов-сти граней кристаллов снижает поверхностную энергию, уменьшает работу образования новых кристаллов и понижает линейную скорость роста. В результате образуются мелкокристаллнч. [56]
Многие детали процесса отжига в присутствии растворителей выяснены при исследовании растворения. Вслед за этим наблюдается рекристаллизация, проявляющаяся в формировании кромки вокруг исходного кристалла и в образовании новых кристаллов такой же толщины, как и эта кромка. При рекристаллизации, происходящей при более низкой температуре в процессе охлаждения после частичного растворения, образуются более тонкие кромки, в то время как при более высокой температуре этот же процесс сопровождается образованием более толстых кромок. Ни утолщение после рекристаллизации, ни образование многочисленных дырок, как это имеет место в сухих кристаллах, в данном случае не наблюдается. Полное растворение более дефектных и более тонких дендритов при непрерывном повышении температуры происходит при 95 - 97 С в толуоле, т.е. при температуре, которая близка к температуре растворения отожженных ламелярных монокристаллов. [57]
Страницы: 1 2 3 4