Образование - кристаллик
Cтраница 2
Анизотропия кристаллов резко проявляется и в процессе их роста. При образовании кристаллика из расплава или раствора скорости роста различных его граней отличаются в определенное число раз друг от друга. Это, в частности, обусловливает правильную форму возникающих кристалликов. [16]
Выпуклая граница фронта кристаллизации к тому же препятствует зарождению на стенках, так как более всего продвинувшаяся в расплав часть кристалла дальше всего удалена от стенок. Это предотвращает образование Новых кристалликов на пути дальнейшего роста главного кристалла. [17]
Внутри первичных частиц наблюдается образование кристалликов. [18]
Наличие в нефти парафина приводит к сильной зависимости ее вязкости от температуры. С уменьшением температуры происходит образование кристалликов парафина, вязкость нефти при этом резко возрастает. Так, нефть месторождений Жетыбай и Узень ( Казахстан) содержит до 30 % парафина. После извлечения этой нефти на поверхность, дегазации ее и снижения температуры до 25 С ее вязкость становится настолько высокой, что нефть перестает течь. [19]
При температуре свыше ПО ромбическая сера плавится, образуя легко подвижную жидкость. Моноклнническая сера при обыкновенной температуре неустойчива и распадается с образованием мелких ромбических кристалликов. [20]
Соответственно этому будут непрерывно уменьшаться основные элементарные кинетические характеристики процесса а ( х) и Х ( ж), и кристаллизация будет замедляться. С другой стороны, в начале процесса по мере роста и образования кристалликов увеличивается их суммарная поверхность, на которой может происходить осаждение, что должно ускорять кристаллизацию. Таким образом, кинетические кривые зависимости х от t должны, как правило, иметь характерный S-образный вид. В начале процесс самоускоряется, затем скорость достигает некоторого максимального значения и далее падает вследствие постепенного израсходования вещества, могущего выпадать из раствора в виде кристаллов. [21]
 |
Схема устройства шлейфа осциллографа. [22] |
Катодный осциллограф регистрирует процессы, протекающие со скоростью до 10 - 8 - 10 - 9 сек. Так, с помощью измерительной схемы с катодным осциллографом показано, что время образования кристаллика мартенсита ( структуры закаленной стали) составляет 3 - 10 - 7 сек. [23]
Центрами кристаллизации могут служить взвешенные в жидкости твердые частицы. Тщательно очищенную от таких частиц жидкость можно охладить ниже температуры кристаллизации без того, чтобы началось образование кристалликов. Состояние такой переохлажденной жидкости является метастабильным. Обычно достаточно попасть в такую жидкость пылинке, для того чтобы она распалась на жидкость и кристаллы, находящиеся при равновесной температуре. Однако в некоторых случаях при больших переохлаждениях подвижность молекул жидкости оказывается столь незначительной, что метастабильное состояние может сохраняться очень долго. Жидкость в таких случаях обладает весьма малой текучестью и представляет собой аморфное твердое тело. [24]
Существует фундаментальный факт, затрудняющий рост графита на поверхности затравочного кристалла алмаза. В то время как рост алмаза происходит за счет достройки уже имеющейся кристаллической решетки, для образования кристалликов графита атомы углерода должны расположиться в ином порядке, не согласном с расположением атомов подложки. Речь должна идти о рождении новой кристаллической формы, а такие роды всегда трудны. [25]
В сосуд, содержащий 50 мл воды, насыпается 10 г полуводного гипса. При этом раствор интенсивно перемешивается для того, чтобы гипс не оседал на дно и чтобы процесс гидратации и образования кристалликов двуводного гипса протекал равномерно во всем объеме жидкости. Перемешивание раствора необходимо производить в течение времени, необходимого для насыщения раствора и выделения кристалликов в среде насыщенной жидкости. За несколько минут в сосуде образуется плотная студнеобразная масса, заполняющая весь объем раствора. Сначала масса имеет маслянистый блеск, характерный для коллоидных систем. [26]
Случай, когда процессы лимитируются скоростью образования зародышевых центров новой фазы, является наиболее сложным в кинетике топохимических процессов. Для построения зародышевого центра - начального кристаллика новой фазы - необходимо преодолеть энтропийные препятствия для упорядочения некоторого числа атомов, минимально необходимого для образования устойчивого кристаллика, способного к дальнейшему росту. Необходимо также затратить значительную энергию, связанную с весьма значительной поверхностной энергией кристалликов столь малых, что практически все составляющие их атомы являются поверхностными. Источником этой необходимой избыточной энергии является энергия отклонения системы от термодинамически равновесных значений при данной температуре - так называемая энергия пересыщения. [27]
Два иона противоположного знака, объединяясь в молекулу, не образуют еще кристаллической формы. Образование первичного кристаллика проходит через ряд промежуточных стадий. [28]
 |
Диаграмма состояния сплавов, образующих ограниченные твердые растворы. [29] |
Согласно этой теории сначала зарождаются и растут кристаллики, например, a - твердого раствора, богатого компонентом А. Жидкость, окружающая этот кристаллик сс-раствора, обогащается вторым компонентом В, и в результате этого происходит выделение кристалликов р-твердого раствора. Образованию кристалликов 3-фазы способствует и то, что кристаллы сс-фазы могут играть для них роль готовой подкладки. Жидкость, прилегающая к образовавшимся кристалликам р - фазы, в свою очередь, обогащается металлом А, и поэтому вновь выделяются кристаллики a - фазы, богатые компонентом А. В результате попеременного пересыщения жидкости по отношению к а - и р-фазам образуется эвтектическая колония. [30]
Страницы: 1 2 3 4