Образование - кристаллик - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Жизнь, конечно, не удалась, а в остальном все нормально. Законы Мерфи (еще...)

Образование - кристаллик

Cтраница 3


Чем больше перенасыщение, тем меньше работа образования критического зародыша, тем меньше может быть размер критического зародыша и больше вероятность его возникновения. При образовании кристаллика обедненная гидратная оболочка ионов накипеобразователей выталкивается на поверхность зародыша.  [31]

Понятия гомогенности и гетерогенности нужно отличать от понятий гомофазности и гетерофазности. Так, например, реакция нейтрализации водного раствора щелочи раствором кислоты является гомогенным гомофазным процессом. Реакция взаимодействия газообразных НС1 и NH3 с образованием кристалликов ( дыма) МН4С1 относится к гомогенно-гетерофазным процессам.  [32]

Кристаллизация облегчается, если в жидкости с самого начала присутствуют какие-нибудь посторонние частицы, например пылинки. Они становятся центрами кристаллизации. В обычных условиях в жидкости имеется множество центров кристаллизации, около которых и происходит образование кристалликов.  [33]

Всегда необходимо стремиться к введению минимума заправочных средств. Избыток электролитов очень часто является причиной массового брака в производстве. Так, избыток буры и соды в грунтовом шликере приводит к вскипанию грунта при обжиге, в местах образования более крупных кристалликов буры после обжига получаются лунки. Избыток хлоридов в шликере покровной эмали способствует образованию медных головок и лунок на покрытии. Сода, поташ, нитрит натрия при высоком содержании их в шликере белых эмалей вызывают разнотонность окраски, появление местных вскипов, особенно в местах соприкосновения с бортовой эмалью. Кроме того, следует учитывать, что практически все соли, применяемые для заправки шликера, при введении в больших количествах снижают химическую устойчивость эмалевого покрытия.  [34]

35 Распределение удельно.| Схема метода Бриджмена. ] - тигель с расплавом. 2 - кристалл. 3 - печь. 4 - холодильник. 5 - термопара. [35]

Темп - pa в дло-скости диафрагмы б подбирается равной темп-ре кристаллизации вещества. С помощью этой же диафрагмы задается необходимый градиент температур. Так как тигель имеет коническое дно, то при медленном опускании тигля расплав в конусе оказывается в области тсмп-р ниже темп-ры кристаллизации, происходит образование мельчайших кристалликов, из к-рых благодаря геометрич.  [36]

37 Ледяные кристаллы на оконном стекле.| Возгонка кристаллов йода. [37]

Иногда кристаллы образуются прямо из паров, а не из жидкости. В этом случае они бывают особенно правильны. Примером этого является образование инея и снежинок из водяных паров воздуха. Легко наблюдать образование кристалликов йода из паров йода.  [38]

39 Возгонка кристаллов йода. [39]

Иногда кристаллы образуются прямо из аароа, кости. В этом случае они бывают особенно правильны. Примером этого является образование инея и снежинок из водяных паров воздуха. Легко наблюдать образование кристалликов йода из паров йода. Мы увидим, что кристаллики йода не плавятся, а сразу испаряются ( как говорят, возгоняются, или суб -, лимируют), образуя темнобурые-пары йода.  [40]

41 Ледяные кристаллы на оконном стекле.| Возгонка кристаллов йода. [41]

Иногда кристаллы образуются прямо из паров, а не из жидкости. В этом случае они бывают особенно правильны. Примером этого является образование инея и снежинок из водяных паров воздуха. Легко наблюдать образование кристалликов йода из паров йода.  [42]

Отколами называют дефект рыбья чешуя в грунтовой эмали, который возникает в начале вжигания покровного слоя. Эти отколы локально захватывают и необожженную покровную эмаль, поэтому на обожженном покровном слое появляются неравномерные или точечные темные дефектные места. Причиной отдельных отколов обычно являются местные дефекты листа. Массовые отколы могут быть следствием замедленного образования кристалликов.  [43]

Разница между величинами энергии, освобождающейся при осаждении новых атомов на различных участках поверхности растущих кристаллов, не особенно велика. Поэтому практически регулярный рост кристаллов происходит только тогда, когда электродный потенциал незначительно отличается от равновесного. В противном случае относительно небольшое преимущество регулярности роста кристалла утрачивается - на электроде появляется много новых кристаллов, растущих в направлениях, отличающихся от первоначальных. Размеры этих кристаллов остаются все же небольшими, так как образование новых кристалликов энергетически более выгодно, чем регулярный рост прежних. В этих условиях происходит осаждение металла в виде проросших друг в друга микроскопических кристаллов, образующих макроскопически равномерное гладкое покрытие. Таким образом, вместо монокристаллической поверхности мы получаем поликристаллическую, что не всегда следует рассматривать как недостаток; в ряде случаев, например при изготовлении гальванических покрытий, это большое достоинство.  [44]

Расплавленный селен состоит частично из замкнутых колец, заключающих, как и в сере, по восемь атомов, частично же из длинных цепочек, состоящих из сотен и тысяч атомов. Кристаллизация требует перестройки структуры и образования параллельно расположенных спиральных цепочек с атомами, занимающими кристаллографически правильные места. Понятно, что такой процесс чрезвычайно затруднен и протекает медленно; в ходе этого процесса плотность кристаллизующейся массы растет. Кристаллизация может быть ускорена присутствием катализаторов - таллия, щелочных металлов, аминов. Наоборот, иод замедляет кристаллизацию. Можно также предполагать, что образовавшийся полимерный кристалл селена заключает в себе большое число искажений и атомов мономера - отдельных, не вошедших в цепочки атомов селена. Перестройка цепочек селена с образованием мелких упорядоченных кристалликов создает в них сильные механические напряжения, а на их границах может оставлять полуаморфные слои с повышенным удельным сопротивлением.  [45]



Страницы:      1    2    3    4