Образование - электронно-дырочный пары
Cтраница 2
Радиоактивные излучения, проходя через материал, вызывают ионизацию и возбуждение электронов и приводят к образованию электронно-дырочных пар свободных ионов и электронов в результате разрыва межатомных связей и выбивания электронов с электронных оболочек. Одновременно с процессом генерации электронно-дырочных пар происходит их рекомбинация и при постоянной дозе облучения может наблюдаться равновесное состояние. [16]
По мнению авторов [811], такое инициирование осуществляется за счет разрыва избыточными носителями ковалентных связей в стекле с образованием электронно-дырочных пар. [18]
По мнению Файнлайба и др. [5.38], переходы из аморфного в кристаллическое состояние, вызванные светом, являются непосредственным результатом образования электронно-дырочных пар при поглощении света. Это подразумевает, что обратимая оптическая кристаллизация ( а не чисто термическая) происходит непосредственно во время приложения светового импульса, а не после этого. Образование электронно-дырочных пар наиболее эффективно при поглощении фотонов высоких энергий. Тогда освещение приводит к двойному результату [5.38]: 1) рекомбинации созданных светом носителей заряда ( это повышает температуры и увеличивает подвижности атомов); 2) эффективному ослаблению межатомных связей вследствие образования носителей заряда. [19]
Лавинный пробой связан с образованием лавины носителей заряда под действием сильного электрического поля, при котором носители приобретают энерпт, достаточные для образования новых электронно-дырочных пар в результате ударной ионизации атомов полупроводника. [20]
Лавинный пробой связан с образованием лавины носителей заряда под действием сильного электрического поля, в котором носители на длине свободного пробега приобретают энергию, достаточную для образования новых электронно-дырочных пар путем ударной ионизации атомов полупроводника. С увеличением обратного напряжения значение М возрастает. Для оценок используют аппроксимацию М [ 1 - ( Уобр / / проб) 1 ] 1, где m - параметр, зависящий от материала полупроводника и типа проводимости базы р - n - перехода. Пробой возникает при f / o6Pt / npo6, что соответствует Al-voo и неограниченному нарастанию тока. [21]
При лавинном пробое выпрямляющего электрического перехода носители заряда, проходя через р-п переход, в сильном электрическом поле на длине свободного пробега приобретают энергию, достаточную для образования новых электронно-дырочных пар посредством ударной ионизации атомов полупроводника. В результате резко возрастает обратный ток. [22]
Ионизирующее излучение вызывает образование электронно-дырочных пар в слое диэлектрика. Если к затвору приложено положительное относительно подложки напряжение, то в первую очередь из-за большой подвижности электроны будут перемещаться полем к затвору. Дырки захватываются дырочными ловушками или рекомбинируют с электронами до выхода из оксида. В результате в диэлектрике SiO2 формируется избыточный положительный заряд. Образующийся заряд Q при фиксированном потенциале затвора уменьшает напряженность поля в оксиде, что приводит к насыщению заряда Q при росте D. Объемный заряд расположен внутри оксида на расстоянии нескольких десятков нанометров от границы раздела кремний - диэлектрик. Значение объемного заряда определяется не только поглощенной дозой облучения, но и значением и полярностью напряжения на затворе в процессе облучения. Наблюдаемая при этом линейная зависимость наведенного заряда от t / зи связана с тем, что все приложенное к затвору напряжение падает на слое объемного заряда, создающегося в оксиде во время облучения, а не на всем слое оксида. [23]
Кроме основных носителей тока, вызванных наличием примесей, и в р - и в - областях имеются в небольшом количестве так называемые неосновные носители тока, знаки зарядов которых противоположны знакам зарядов основных носителей, а именно в области р присутствуют также в небольшом количестве свободные электроны, а в области п - дырки. Они появляются в обеих областях вследствие образования электронно-дырочных пар в результате воздействия теплового движения согласно схеме, показанной на рис. 19.17. Очевидно, эти неосновные носители тока свободно переходят через потенциальный барьер, так как электрическое поле здесь не препятствует, а способствует их прохождению. Они образуют так называемый обратный ток. С увеличением обратного напряжения этот обратный ток быстро достигает своего предельного значения, определяемого числом электронно-дырочных пар, образующихся в образце в единицу времени. [24]
Увеличение проводимости полупроводника под воздействием электромагнитного излучения называют внутренним фотоэффектом. Поток фотонов, падающих на полупроводник, затрачивает энергию на образование электронно-дырочных пар за счет переброса электронов из валентной зоны в зону проводимости. [25]
Достоинство представлений различных авторов об определяющей роли энергии электронного взаимодействия в процессе почернения состоит в том, что при этом подчеркивается главный аспект взаимодействия иона с твердым телом - перенос энергии. Как и в случае фотонов, образование скрытого изображения в зернах AgBr зависит от образования электронно-дырочных пар при электронных взаимодействиях. [26]
 |
Схема двухступенчатого возбуждения люминесценции. [27] |
При катодном возбуждении люминесцирующий экран бомбардируется потоком электронов, энергия которых составляет порядка 104 эв. При взаимодействии с материалом люминофора такие первичные электроны дают каскады вторичных электронов меньшей энергии, причем этот процесс заканчивается образованием электронно-дырочных пар, а также экситонов, энергии которых уже недостаточно для дальнейшей ионизации решетки. [28]
 |
Фотодиод с гетеро. [29] |
Одним из путей создания быстродействующих фотоприемников с высокой чувствительностью является использование лавинного пробоя, в частности создание лавинных фотодиодов. Если поле в активной зоне фотодиода велико и энергия, приобретаемая фотоносителями тока ( электронами и дырками) в этом поле превышает энергию образования электронно-дырочных пар, то начинается лавинообразный процесс размножения носителей. [30]
Страницы: 1 2 3 4