Образование - электронно-дырочный пары
Cтраница 1
Образование электронно-дырочных пар при поглощении света вблизи поверхности происходит на расстоянии, много меньшем длины диффузии. Оптические постоянные германия таковы, что практически весь свет, обладающий энергией, достаточной для образования пар, поглощается на расстоянии 10 - 4 см от поверхности. [1]
При облучении fj - частицами Происходит образование электронно-дырочных пар, причем наряду с процессом рекомбинации идет процесс захвата электронов и дырок парамагнитными ловушками. При этом концентрация парамагнитных центров уменьшается, а избыточная концентрация носителей вносит вклад в увеличение проводимости. При нагревании происходит выброс носителей из ловушек с последующей рекомбинацией, что сопровождается восстановлением первоначальных значений концентраций парамагнитных центров и носителей заряда. Необходимость в больших дозах облучения, при которых происходит заполнение ловушек, в настоящее время трудно объяснить, так как не известны ни сечения захвата электронов парамагнитными ловушками и непарамагнитными центрами рекомбинации, ни концентрации этих центров. На этом примере можно видеть, что парамагнитные центры могут являться довольно эффективными ловушками для носителей зарядов. [2]
В беспримесном полупроводнике энергия фотона затрачивается на образование электронно-дырочных пар за счет переброса электронов из валентной зоны в зону проводимости. [3]
Если бы единственным следствием освещения было только образование электронно-дырочных пар, то тогда проводимость освещенного кристалла должна была бы монотонно увеличиваться во времени. Но поскольку с ростом концентрации электронно-дырочных пар увеличивается их рекомбинация, то через некоторое время в полупроводнике установится стационарное, соответствующее данному уровню освещенности, значение фотопроводимости. [4]
При температурах ГОК разрыв валентных связей и образование электронно-дырочных пар происходит и без воздействия излучения. Часть связей ( совершенно определенная для каждой температуры) будет разорвана за счет энергии тепловых колебаний решетки полупроводника. [5]
Воздействие света в собственной полосе поглощения материала приводит к образованию электронно-дырочных пар. Неосновные носители ( дырки) локализуются под электродами в обедненной области, которая для них является потенциальной ямой. Величина локализованного заряда пропорциональна количеству фотогенерированных пар и времени накопления. При считывании информации заряды один за другим перемещаются к выходному электроду, в результате чего на выходе датчика образуется последовательность импульсов, огибающая которых является видеосигналом. [6]
С течением времени в обедненной МДП-структуре за счет генерации происходит образование электронно-дырочных пар и возможно создание паразитного для ПЗС инверсионного слоя. Время, необходимое МДП-структуре для перехода из режима обеднения в режим инверсии, называется временем релаксации / s; его значение оценивается из условия компенсации объемного заряда обедненного слоя ионов примеси подвижными носителями, созданными тепловой генерацией. [7]
Поглощение фотонов в активном, поглощающем слое солнечных элементов сопровождается образованием электронно-дырочных пар и появлением избыточных носителей заряда. Процессы диффузии, а также объемной и поверхностной рекомбинации носителей способствуют возвращению системы зона проводимости - валентная зона в равновесное состояние, характерное для условий отсутствия освещения и сохранения электронейтральности. В эффективных солнечных элементах основная доля этих избыточных носителей заряда должна диффундировать к области перехода, где происходит их разделение электрическим полем. Уравнение переноса устанавливает взаимосвязь между процессами генерации, рекомбинации, диффузии и дрейфа ( под действием электрического поля) фотогенерированных носителей. Его решение позволяет получить математическое выражение для полного фототока в солнечном элементе. [8]
 |
Фотопроводимость германия в зависимости от длины волны падающего излучения. [9] |
К - длина волны, мкм) затрачивается в собственном полупроводнике на образование электронно-дырочных пар за счет переброса электронов из валентной зоны в зону проводимости. Для этого, экстраполировав круто падающий участок кривой до пересечения с осью абсцисс, находят граничную длину волны р и энергию квантов, обусловливающую начало фотопроводимости. Так как запреа енная зона различных полупроводниковых веществ имеет ширину от десятых долей электрон-вольта до 3 эВ, то фотопроводимость может обнаруживаться в инфракрасной, видимой или ультрафиолетовой части электромагнитного спектра. Фотопроводимость при волнах короче 1 8 мкм определяется переходом электронов с более низких уровней валентной зоны на более высокие уровни зоны проводимости. На кривой рис. 8 - 7 показан тепловой хвост, тянущийся до 1 9 - 2 мкм. [10]
Иногда такие представления оказываются весьма удобными, так как они лучше приспособлены к модели образования электронно-дырочных пар. [11]
 |
Примеры разре. [12] |
Некоторые полупроводники обладают большим поглощением в области длин волн, где энергия квантов достаточна для образования электронно-дырочных пар, но заметной фотопроводимости при этом не обнаруживается. Предполагают, что в этих случаях время жизни образовавшихся носителей очень мало, они сразу рекомбинируют и не вносят вклад в электропроводность. [13]
Кроме процессов рождения и рекомбинации свободных пар электронов и дырок в кристалле могут происходить процессы образования электронно-дырочных пар, связанных кулоновскими силами - вкситоное. [14]
Линейный коэффициент поглощения аддитивно складывается из коэффициентов поглощения для фотоэффекта, эффекта Комптона и эффекта образования электронно-дырочных пар. Тем не менее Ge ( Li) - детектор обычно охлаждают до температуры жидкого азота 77 К-Создание новых полупроводниковых материалов на основе более тяжелых элементов открывает путь к дальнейшему улучшению характеристик полупроводниковых счетчиков. [15]
Страницы: 1 2 3 4