Образование - электронно-дырочный пары
Cтраница 4
Согласно теории Гарни-Мотта, при поглощении кристаллом AgBr одного фотона образуется один электрон в зоне проводимости и дырка в валентной зоне. Часть электронов в зоне проводимости оседают на примесных поверхностных уровнях. При повторении процесса на одном и том же месте образуется кластер из двух атомов Ag, время жизни которого определяется уже несколькими днями. Когда кластер разрастается до трех или более атомов, можно считать, что получено устойчивое скрытое изображение, пригодное для химического проявления. Теория Митчела ( 1957) также основана на представлении об образовании электронно-дырочных пар, однако предполагается, что сначала междоузельный Ag улавливается дефектом кристалла в решетке или на поверхности. Затем этот ион нейтрализуется электроном, и процесс повторяется до образования устойчивого скрытого изображения. Для нашего рассмотрения несущественно, присоединяется ли ловушка к подвижному иону Ag или, наоборот, ловушка движется к иону. [46]
 |
Плотность носителей зарядов ( б, пространственный заряд ( в и распределение потенциала ( г на р-п переходе ( а. [47] |
Переход обедняется носителями, и его сопротивление возрастает. При такой полярности р-п переход запирается. Неосновные носители, имеющиеся в обеих областях в незначительных - количествах [ см. уравнение ( 11 - 1 - 6) ], вызывают - протекание - небольшого тока в запорном напр а. Так как приложенное поле из-за наличия двух пространственных зарядов не проникает далеко в пограничные области полупроводников, неосновные носители могут перемещаться оттуда только в результате диффузии. Поэтому ток весьма мал и слабо зависит от приложенного напряжения. Предполагается при это-м, что образованием электронно-дырочных пар в результате тепловых процессов также можно пренебречь. Это имеет место в хорошо сформованных кристаллах. Этот ток состоит из электронов и дырок, которые смещены сильным - полем с их - мест в кристаллической решетке. [48]
Страницы: 1 2 3 4