Образование - вакансия
Cтраница 1
Образование вакансий и дислоцированных атомов может происходить одновременно. Энергия, необходимая для их образования, существенно выше, чем энергия, необходимая для образования индивидуальных вакансий или дислоцированных атомов, вследствие чего концентрация дефектов Френкеля в металлических материалах гораздо ниже, чем остальных точечных дефектов. [1]
Образование вакансий в решетке, или вакансионное заполнение узлов, можно рассматривать как образование пар атом - вакансия. При концентрации вакансий выше критической он конденсируется в фазу с фермиевскими свойствами вакансий и атомов. [2]
 |
Образование френкележжой пары.| Локальные искажения структуры, вызванные вакансией ( а-в и внедрением ( т ]. [3] |
Образование вакансий вызывает локальное уменьшение объема Ду / у-0 3, где v - атомный объем. Локальное искажение структуры при внедрении атома А в матрицу В показано на рис. 6.5, г. В плотноупакованных структурах металлов радиусы тетраэдрических и октаэдричес-ких пустот равны соответственно 0 22 и 0 41 радиуса атомов матрицы. Поэтому внедрение атомов А в междоузлия сопровождается локальным раздвижением атомов ближайшего окружения. [4]
Образование вакансии на грани АВ ( рис, 7.3) облегчается растягивающим напряжением; в то же время для того, чтобы образовалась вакансия на грани 5СД необходимо совершить работу против напряжения сжатия. [6]
Образование вакансий и дислоцированных атомов может происходить одновременно. Энергия, необходимая для их образования, существенно выше, чем энергия, необходимая для образования индивидуальных вакансий или дислоцированных атомов, вследствие чего концентрация дефектов Френкеля в металлических материалах гораздо ниже, чем остальных точечных дефектов. [7]
 |
Образование катионной вакансии в решетке AgCl при введении двухвалентной примеси. [8] |
Образование вакансий при добавлении примесных атомов можно легко показать с помощью измерения плотности кристаллов. Если бы плотность изменялась аддитивно, а вакансии не образовывались, появление смешанных кристаллов должно было сопровождаться увеличением плотности. [9]
Образование вакансий и их аннигиляции удовлетворяют простому экспоненциальному закону, причем оба процесса заметным образом не отличаются друг от друга, так как константы скорости их почти равны. [10]
 |
Тонкая структура малоуглеродистой стяли. [11] |
Образование вакансий по механизму Шоттке показано на рис. 42, а. Выходя на наружную поверхность или поверхность внутреннего дефекта, вакансия исчезает, но одновременно где-то образуются новые дырки. При образовании вакансии изменение объема кристалла оказывается меньше атомного объема примерно вдвое. [12]
Образование вакансии обеспечивается выходом атома М из узла на поверхность кристалла путем достраивания кристаллической решетки. [13]
Образование вакансии равнозначно удалению ( атома) иона из соответствующего узла или помещению в этот узел дополнительного заряда, равного по величине и обратного по-знаку заряда удаляемого иона. [14]
Образование вакансий объясняют следующим образом. В кристаллическую решетку АВ может входить некоторое дополнительное число атомов одного элемента, которые занимают в ней свое нормальное положение, в то время как места атомов другого элемента при этом остаются незанятыми. Так как при абсорбции натрия в кристалл не поступает никаких анионов, то места последних в кристаллической решетке остаются пустыми. Следовательно, в кристалле образуются анионные вакансии, количество которых в точности равно количеству абсорбированных атомов натрия. Могут образовываться и катионные вакансии. Это наблюдается, например, в структуре окиси титана при поглощении ею кислорода. Считают, что данное вещество может иметь состав, изменяющийся от ТЮьзз До ТЮо бо - При избытке атомов титана в его решетке появляются кислородные вакансии. [15]
Страницы: 1 2 3 4