Образование - вакансия
Cтраница 2
 |
Перемещение атома в плотноупакованной плоскости при миграции. а вакансии, б дивакансии. [16] |
Образование вакансий сопряжено не только с освобождением какого-либо узла решетки от атома, но и со смещением окружающих атомов из своих прежних положений. [17]
Образование вакансий и дислоцированных атомов может происходить одновременно. Энергия, необходимая для их образования, существенно выше, чем энергия, необходимая для образования индивидуальных вакансий или дислоцированных атомов, вследствие чего концентрация дефектов Френкеля в металлических материалах гораздо ниже, чем остальных точечных дефектов. [18]
Образование вакансий в совершенном кристалле требует разрыва четырех связей; половина этой энергии возвращается кристаллу, когда удаляемая молекула достигает поверхности. Отсюда следует, что общая затрата энергии эквивалентна энергии двух связей: Wy 0 5 эв. Релаксационные процессы могут понизить эту величину примерно до 0 4 эв. Для образования вакансии вблизи L - или D-дефекта требуется меньше энергии, что облегчает образование VL - или VD-ассоциатов. [19]
Образование вакансий понижает свободную энергию кристалла и позволяет, если так можно выразиться, отсрочить плавление при нагревании. Однако появление в плотноупакованном кристалле дырок показывает, что он уже не так прочен и... Вот как образно это пояснял Я. И. Френкель: Представляете кирпичную кладку, из которой в разных местах вынимаются кирпичи: образуются вакансии. [20]
Образование вакансий вследствие ослабления жесткости межатомных связей приводит к уменьшению частоты колебаний соседних атомов. Внедрение атома, наоборот, увеличивает частоту колебаний. [21]
Образование вакансий наблюдается в соединениях NisAl, FeAl, CoAl, AgAl, Cu3Au и др.; при этом с увеличением отклонения от стехиометрического состава наблюдается увеличение твердости ( за исключением FeAl) при испытаниях ниже 400 С и уменьшение - выше 400 С. [22]
 |
Точечные дефекты в кристаллах. [23] |
Образованию вакансий, в первую очередь, способствуют тепловые колебания атомов. Вакансии возникают также при воздействии на металл механических напряжений, радиоактивного излучения и др. При образовании вакансий кристаллическая решетка искажается, и ближайшие к ней соседние атомы смещаются от своего равновесного положения. [24]
Рассмотрим образование вакансий в неметаллических кристаллах простых веществ, которые обычно играют роль ловушек для электронов. [25]
Однако образование вакансии энергетически менее выгодно, чем замещение иона S2 - одновалентным анионом. Поэтому компенсация (III.49) осуществляется только в том случае, если этому благоприятствуют другие факторы, например внедрение в соседний с медью анионный узел иона О2 - ( см. об этом в гл. Как правило же, растворение Си, приводящее к образованию центров зеленой люминесценции, сопровождается одновременным растворением эквивалентного количества компенсирующей примеси, и в этом причина благоприятного действия хлоридов, которые, таким образом, являются не только плавнями, но и поставщиками С1 - - иона. Подобным же образом действуют бромиды и иодиды. [26]
Рассмотрим образование вакансий в неметаллических кристаллах простых веществ, которые обычно играют роль ловушек для электронов. [27]
Вследствие образования вакансий химический состав твердого тела изменяется. Например, оксид титана ( II) может стабильно существовать при изменении состава от ТЮо б5 до ТЮ, а сульфид железа от Feo. FeSi) b при этом тип кристаллической решетки остается тем же самым. Такие соединения называются нестехиометрическими или соединениями переменного состава. Обычно образование не-стехиометрических соединений вызывает изменение степени окисления атомов. Из-за появления дефектов может измениться окраска нестехиометрического соединения. Для обеспечения тех или иных свойств кристаллов их синтезируют с определенной нестехиометричностью. Этот метод используют, например, для получения фоточувствительных мишеней в цветных телевизорах. [28]
 |
Энергетическая схема кристалла простого вещества М, содержащего примесные доноры DM и акцепторы Ам. [29] |
Учесть образование вакансий и атомов в междоузлиях несложно. [30]
Страницы: 1 2 3 4