Образование - вакансия - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Земля в иллюминаторе! Земля в иллюминаторе! И как туда насыпалась она?!... Законы Мерфи (еще...)

Образование - вакансия

Cтраница 3


Хотя образование вакансий, как и всякого дефекта, требует затраты энергии, свободная энергия кристалла при повышенных температурах может понизиться за счет увеличения энтропийного члена ( см. гл.  [31]

Энергия образования вакансий в золоте, определенная Симмонсом и Баллуффи [1] из измерений термически равновесной концентрации вакансий, равнялась 0 94 0 09 эв. Несмотря на это, наиболее общепринята для энергии образования величина 0 96 - 0 98 эв. Различие между общепринятой величиной и величиной, полученной из равновесных измерений, обусловлено в большой степени результатами, получаемыми из экспериментов по закалке. Поэтому интересно отметить, что большинство исследований по закалке золота приводило к получению эффективной энергии образования вакансий меньше 0 94 эв. Эффективной энергией образования вакансий мы называем энергию, определенную из наклона кривой на графике логарифма прироста удельного электросопротивления в результате закалки в зависимости от величины l / Tq, где Tq-температура закалки.  [32]

Энергия образования вакансии ( без учета энергии деформации ближайшей ее окрестности в кристалле) равна энергии испарения атома.  [33]

34 Зависимость свободной энергии кристалла от концентрации вакансий. [34]

Энтальпия образования вакансий - величина всегда положительная и больше, чем TASv. Конфигурационная энтропия - величина везде отрицательная.  [35]

Энергии образования вакансий ( 0 8 эв) и предэкспоненциальный множитель [23] вполне приемлемы.  [36]

Энергия образования вакансии должна зависеть от их концентрации. Следовательно, поскольку с увеличением температуры концентрация вакансий растет, энергия их образования должна уменьшаться. Поэтому возникает лавинный процесс.  [37]

38 Влияние температуры на плотность вакансий. [38]

Энергия образования вакансии возникает в результате нарушения связей в кристаллической решетке при удалении атома из узла. При удалении атома из узла двухмерной решетки он разрывает четыре связи и сохраняет лишь две связи, когда оказывается на поверхности. Следовательно, работа образования вакансии равна энергии двух связей. Однако подобная схема образования вакансий не является строгой, поскольку описанный переход атома через всю решетку возможен только при наличии огромной кинетической энергии. Средняя энергия колебания атомов при обычных температурах гораздо п / н меньше 1 эв, поэтому вакансии образуются при значительных Ю флуктуациях энергий.  [39]

40 Влияние содержания меди на время релаксации вакансий в сплавах А1 - Си. [40]

Затруднение образования вакансий или замедление скорости их перемещения соответственно замедлят скорость диффузионных процессов. Значительную роль здесь играют примеси, главным образом из-за их упругого взаимодействия с вакансиями и образования комплексов вакансия - примесь.  [41]

Энергии образования вакансий анионов и катионов при удалении ионов в газовую фазу оказались приблизительно равными. Из этого следует, что должны быть близки и энергии образования вакансий за счет перехода ионов из объема на поверхность кристалла.  [42]

При образовании вакансии изменение объема кристалла оказывается меньше атомного объема примерно вдвое.  [43]

При образовании вакансии атомы ее окружения вследствие упругой релаксации испытывают некоторое смещение. Поэтому заметное смещение испытывают только ближайшие соседние атомы. Сама энергия упругой деформации невелика и не превосходит нескольких десятых электрон-вольта.  [44]

45 Гистограмма плотности состояний в модели Бильца, рассчитанная на ЭВМ. Основные отличия от оценочной гистограммы Бильца. 1 плотность состояний в TiC, ZrC ( квэ8 выше, чем в VC, NbC ( квэ9. 2 наличие еще одной полосы в области высоких энергий ( 2 - 5 эВ. [45]



Страницы:      1    2    3    4