Образование - электрон
Cтраница 2
 |
Распределение концентрации электронов и напряженности электрического поля в кристалле после формирования домена. [16] |
Это обеспечит образование тяжелых электронов около катода, которые, двигаясь относительно медленно к аноду, создают отрицательный заряд. Легкие электроны в остальной части кристалла движутся к аноду быстрее тяжелых. Таким образом образуется домен, состоящий из двух слоев: слой со стороны катода из-за избытка тяжелых электронов имеет отрицательный заряд, слой со стороны анода из-за недостатка электронов имеет положительный заряд. [17]
Это обеспечит образование тяжелых электронов оквле катода, которые, двигаясь относительно медленно к аноду, создают отрицательный заряд. Легкие электроны в остальной части кристалла движутся к аноду быстрее тяжелых. Таким образом образуется домен, состоящий из двух слоев: слой со стороны катода из-за избытка тяжелых электронов имеет отрицательный заряд, слой со стороны анода из-за недостатка электронов имеет положительный заряд. [19]
Если скорость образования электронов и дырок увеличивается настолько, что электроны одновременно захватываются как на поверхности, так и внутри центра светочувствительности, то начальное распределение скрытого изображения между поверхностью и внутренней областью будет определяться относительными скоростями нейтрализации объемных зарядов. Во время освещения центр светочувствительности заряжен отрицательно. Положительные дырки легче всего захватываются на поверхности вблизи центра светочувствительности, во-первых, благодаря электростатическому притяжению и, во-вторых, из-за преимущественного образования продукта сенсибилизации вблизи этого центра. Поверхностные ловушки могут быть снова восстановлены в исходное состояние подвижными ионами серебра за более короткий промежуток времени, чем внутренние ловушки, так ак в первом случае ионы проходят более короткие отрезки пути в более интенсивном электрическом поле. Это обстоятельство способствует образованию компактного поверхностного скрытого изображения в определенном интервале освещенностей и экспозиций. [20]
Примеси, вызывающие образование электронов проводимости, называются донорны-ми, а обусловливающие образование дырок - акцепторными. [21]
Этот, канал образования затравочных электронов существенно, , более эффективен, чем ц рямая фотоионизация газа. Во-вторых, существует сильное злектрич. [22]
Впервые предположение об образовании сольватированногс электрона было высказано в 1908 г. К. [23]
 |
Зонная схема для люминофоров полупроводникового типа. [24] |
После возбуждения светом и образования электронов и дырок для уровня / более вероятен захват электрона из полосы проводимости, а для уровня / / - захват дырки из валентной полосы. Такая модель называется д о - норно-акцепторной; ее применяют в ряде случаев для объяснения процессов люминесценции. В люминофоре ZnS-Cu, согласно этой модели, медь создает акцепторный уровень, а хлор - донорный. [25]
Возможна и обратная реакция образования электрона и позитрона от взаимодействия двух фотонов. [26]
Отмеченная особенность увеличения скорости образования электронов в аэрозоле при интенсификации процесса реагирования золы за счет введения кальцита была подтверждена исследованием кинетики процесса ионизации ряда ископаемых углей с кальцитной основой в минеральной части. [27]
Это должно привести к образованию электрона, который может сольватироваться, и иона Н20, который быстро вступает в реакцию с образованием иона гидроксония и радикала гидроксила. Этот метод имеет два серьезных недостатка. Вследствие этого фотоионизация будет происходить при длинах волн, лежащих в вакуумном ультрафиолете, и процесс трудно осуществить методически. Дополнительная трудность возникает при необходимости изучения реакции электрона с дру гими соединениями в растворе, так как почти каждое добавленное в раствор соединение будет иметь в этой области сильную по-лосу поглощения. [28]
Это должно привести к образованию электрона, который может сольватироваться, и иона Н20, который быстро вступает в реакцию с образованием иона гидроксония и радикала гидроксила. Этот метод имеет два серьезных недостатка. Вследствие этого фотоионизация будет происходить при длинах волн, лежащих в вакуумном ультрафиолете, и процесс трудно осуществить методически. Дополнительная трудность возникает при необходимости изучения реакции электрона с дру гими соединениями в растворе, так как почти каждое добавленное в раствор соединение будет иметь в этой области сильную полосу поглощения. [29]
Предполагается также ионизация молекул с образованием гидрати-рованных электронов e - q, т.е. электронов с присоединенными к ним нейтральными молекулами воды. Состав конечных продуктов ультразвукового разложения воды ( сонолиза) существенно зависит от природы растворенного в воде газа: возможно образование Н, ОН, e - q, Н %, H2U2 в присутствии инертных газов; НОз, 02, ОН, Н202 - при наличии кислорода; Н, e - q, H2 - при наличии водорода. [30]
Страницы: 1 2 3 4