Cтраница 4
Есть основания предполагать, что первичным актом поглощения света кристаллами является образование электрона и связанной с ним дырки, которые как одно целое диффундируют внутрь полупроводника. Подобная пара была теоретически предсказана Я. И. Френкелем и названа им экситоном. [46]
Таким образом, с уменьшением концентрации междуузельного цинка энергия активации для образования электронов проводимости возрастает, достигая при очень низких концентрациях ( порядка 1015 см-3) величины порядка нескольких десятых электрон-вольта. [47]
Отклонения от взаимозаместимости при высокой освещенности начинаются по достижении такой скорости образования электронов и дырок, которая превосходит скорость нейтрализации объемных зарядов, созданных захватом этих электронов и дырок на и вблизи поверхности центра светочувствительности подвижными ионами серебра. Количество малоэффективных внутренних электронных ловушек превосходит количество поверхностных ловушек, что создает тенденцию к начальному выделению атомов серебра на внутренних поверхностях. Этой тенденции противодействует положительный заряд на поверхности кристалла, созданный захваченными положительными дырками. Этот заряд притягивает электроны к поверхности кристалла. [48]
Вначале наибольшее значение имеет член с ( 33, связанный с образованием электронов, но вскоре начинают превалировать рекомбинационные члены и поэтому быстро достигается равновесие. Вид ( или профиль) последней зоны довольно сильно зависит от величины а, но так как эта зона относительно узка, а не оказывает заметного влияния на определение общей ширины релаксационной области фронта ударной волны. [49]
Как будет показано в следующем параграфе, количество энергии, теряемое на образование электронов отдачи, будет тем больше, чем больше угол рассеяния. [50]
Согласно принципу микроскопической обратимости, в равновесном состоянии не только общая скорость образования электронов должна быть равна нулю, но и каждая отдельная реакция (13.43), (13.48) и (13.49) должна быть в равновесии. [51]