Образование - электрон
Cтраница 3
Предполагается также ионизация молекул с образованием гидрати-рованных электронов е -, т.е. электронов с присоединенными к ним нейтральными молекулами воды. Состав конечных продуктов ультразвукового разложения воды ( сонолиза) существенно зависит от природы растворенного в воде газа: возможно образование Н, ОН, e - q, Нз, H2U2 в присутствии инертных газов; Н02, 02, ОН, Н202 - при наличии кислорода; Н, e - q, H2 - при наличии водорода. [31]
Это показывает, что в образовании электронов проводимости в металлах тепловое движение не играет существенной роли. [32]
Вместе с тем адсорбированный атом может вызвать образование электронов проводимости. Пусть, например, атом натрия адсорбируется на поверхности хлористого натрия вблизи иона хлора. Для увеличения связи этот атом может отдать свой электрон одному из положительных ионов решетки. В результате в решетке возникнут нестехиомегричность и электронная проводимость. Введение бора в кремний приводит к образованию ненасыщенного атома кремния, так как валентность бора меньше валентности кремния. Свободная валентность соседнего с бором ненасыщенного атома кремния может захватывать электрон от других атомов кремния. В результате происходит миграция этой свободной валентности по решетке. [33]
Вместе с тем адсорбированный атом может вызвать образование электронов проводимости. Пусть, например, атом натрия адсорбируется на поверхности хлористого натрия вблизи иона хлора. Для увеличения связи этот атом может отдать свой электрон одному из положительных ионов решетки. В результате в решетке возникнут несте-хиометричность и электронная проводимость. Введение бора в кремний приводит к образованию ненасыщенного атома кремния, так как валентность бора меньше валентности кремния. Свободная валентность соседнего с бором ненасыщенного атома кремния может захватывать электрон от других атомов кремния. В результате происходит миграция этой свободной валентности по решетке. [34]
На рис. 43.19, а показана схема образования электрона фотопроводимости и дырки у собственного беспримесного полупроводника. [35]
Из уравнения (3.5) следует наличие граничной частоты излучения для образования электронов. Из (3.5) следует, что при энергии Нш Р, энергия, приобретаемая электроном, не достаточна для совершения работы выхода Р и электрон из металла не выходит. [36]
В выражении ( 18) энергии, необходимые для образования электрона и дырки, усредняются, а ошибки, связанные с тем, что не учитывается потенциал V, взаимно вычитаются. [37]
Явления, наблюдаемые при прохождении электричества через газ ( образование электронов и положительно заряженных ионов), а также радиоактивность и фотоэлектрический эффект, кратко описанные ниже, указывают на то, что атомы содержат электроны. Поскольку атом обычно электрически нейтрален, должен существовать также и положительный заряд, расположенный где-то внутри атома. [38]
На рис. 12 доля / ( - переходов, вызывающих образование электронов Оже, нанесена по отношению к атомному номеру элементов. Когда в состав мишени входят легкие элементы, только небольшой процент энергии возбужденных ионов, утративших / С-электроны, приводит к образованию фотонов. Для тяжелых элементов имеет место иное положение; здесь энергия испускаемых фотонов всегда больше, чем 1 кэв, и может иногда достигать 100 кэв. Однако L -, М - и jV - переходы тяжелых элементов аналогичны / ( - переходам для легких элементов. [39]
Какой из этих термисторов имеет большую энергию активации, характеризующую образование электронов проводимости. [40]
На рис. 12 доля / ( - переходов, вызывающих образование электронов Оже, нанесена по отношению к атомному номеру элементов. Когда в состав мишени входят легкие элементы, только небольшой процент энергии возбужденных ионов, утративших / ( - электроны, приводит к образованию фотонов. Для тяжелых элементов имеет место иное положение; здесь энергия испускаемых фотонов всегда больше, чем 1 кэв, и может иногда достигать 100 кэв. Однако L -, М - и - переходы тяжелых элементов аналогичны / ( - переходам для легких элементов. [41]
Реакция (9.2) - одна из основных; приводит она к образованию электрона, расходуемого на восстановление металла, а также к образованию конечных ( фосфит - и формиат-ионов в случае ГПФ и НСНО соответственно) или промежуточных ( оксисоединений в случае борсодержащих веществ и N2H4) продуктов окисления восстановителя. Последние затем также подвергаются дегидрогенизации и дальнейшему окислению ( до борат-ионов и азота соответственно) с выделением электронов. [42]
 |
Схема однополу-периодного выпрямителя с газотроном.| Тиратрон и его включение. [43] |
Из сказанного видно, что основным процессом, приводящим к образованию электронов в газотроне, является термоэлектронная эмиссия. Поэтому и газовый разряд в нем есть разряд дугового типа. [44]
Выше отмечалось, что поглощение света полупроводником может привести к образованию электрона в зоне проводимости и дырки в валентной зоне. Образовавшиеся свободные носители заряда участвуют в процессах рассеяния, в результате чего за время релаксации ( 10 - 10 - 1 ( Н2 с) электрон опускается на дно зоны проводимости, а дырка поднимается к потолку валентной зоны. [45]
Страницы: 1 2 3 4