Образование - свободный электрон
Cтраница 1
Образование свободного электрона за счет донора не связано с обязательным образованием дырки, как это отмечалось при освобождении электрона из ковалентной связи атомов. [1]
Образование свободных электронов и дырок - генерация носителей заряда - происходит при воздействии теплового хаотического движения атомов кристаллической решетки ( тепловая генерация), при воздействии поглощенных полупроводником квантов света ( световая генерация) и других энергетических факторов. Так как полупроводник всегда находится под действием всех этих факторов или хотя бы одного ( 7 Ф 0), генерация носителей происходит непрерывно. [2]
Образование свободных электронов и дырок - генерация носителей заряда - происходит при воздействии теплового хаотического движения атомов кристаллической решетки ( тепловая генерация), при воздействии поглощенных полупроводником квантов света ( световая генерация) и других энергетических факторов. Так как полупроводник всегда находится под действием всех этих факторов или хотя бы одного ( Т ф 0), генерация носителей происходит непрерывно. [3]
Обычно образование свободных электронов в высоком вакууме происходит за счет эмиссии их твердыми телами, тогда как свободные ионы образуются в результате вторичных процессов, в частности при ударной ионизации газов электронами. [4]
Процесс образования свободного электрона и дырки принято называть генерацией. Поскольку в рассматриваемом случае генерация происходит под действием теплоты, то ее можно назвать термогенерацией. Появление электрона в зоне проводимости и дырки в валентной зоне на энергетической диаграмме ( рис. 2.3, б) представлено в виде кружков с соответствующими знаками зарядов. Стрелкой обозначен переход электрона из валентной зоны в зону проводимости. [5]
 |
Схема образования дырки в полупроводниковом материале, легированном элементом третьей группы. [6] |
Для донорного полупроводника образование свободного электрона не сопровождается образованием дырки. Если в полупроводник ввести донорную примесь, то ток в нем будет образовываться в основном электронами, поэтому такие полупроводники и называют электронными, а сами электроны называют основными носителями в отличие от дырок, которые в полупроводнике n - типа будут неосновными носителями. [7]
 |
Возникновение дырки при введении в кремний акцепторной примеси. [8] |
Необходимо отметить, что образование свободного электрона за счет донора не связано с обязательным образованием дырки / как это отмечалось при освобождении электрона из ковалентной связи атомов. [9]
Квантово-механическая теория объясняет процесс образования свободных электронов, называемый обобществлением электронов. Это обобществление происходит благодаря туннельному эффекту. [10]
В химически чистых полупроводниковых материалах образование свободных электронов и дырок происходит одновременно, парами, и поэтому концентрация электронов и дырок в них одинакова. Введение в полупроводник примесей даже в ничтожном количестве изменяет концентрацию электронов и дырок в нем, вследствие чего такой полупроводник обладает преимущественно электронной или дырочной проводимостью. [11]
Первое обстоятельное исследование воздействия света образование свободных электронов ( фотоэффекта) ло произведено в Москве проф. Открытие фотоэффекта нашло себе применение в устр стве фотоэлементов - элементов электрической цепи, про димость которых зависит от их освещения. [12]
Первое обстоятельное исследование воздействия света на образование свободных электронов ( фотоэффекта) было произведено в Москве проф. Открытие фотоэффекта нашло применение в устройстве фотоэлементов - элементов электрической цепи, проводимость которых зависит от их освещения. [13]
Первое обстоятельное исследование воздействия света на образование свободных электронов ( фотоэффекта) было произведено в Москве проф. Открытие фотоэффекта нашло себе применение в устройстве фотоэлементов-элементов электрической цепи, проводимость которых зависит от их освещения. [14]
 |
Полупроводниковый твердотельный детектор [ 5, р. 207 ]. [15] |
Страницы: 1 2 3 4