Образование - свободный электрон
Cтраница 3
Донорные атомы замещают атомы В, а акцепторные - атомы А с образованием соответственно свободного электрона или свободной дырки. [31]
Так как при химических реакциях всегда совершается только обмен электронами и никогда не происходит образования свободных электронов, то для удовлетворения общего уравнения реакции частные уравнения процессов окисления и восстановления, подобные приведенным выше, должны быть всегда связаны между собой таким образом, чтобы в результате их суммирования не оставалось свободных электронов. [32]
Тонкая структура возникает вследствие того, что энергия, сообщаемая молекуле, используется для образования свободного электрона и иона, который может оказаться в различных колебательных и вращательных состояниях. [33]
Так как при химических реакциях всегда совершается только обмен электронами и никогда не происходит образования свободных электронов, то для удовлетворения общего уравнения реакции частные уравнения процессов окисления и восстановления, подобные приведенным выше, должны быть всегда связаны между собой таким образом, чтобы в результате их суммирования не оставалось свободных электронов. [34]
На зонной диаграмме расстояние локального уровня от зоны проводимости отвечает энергии ионизации дефекта с образованием свободного электрона. В процессах, приводящих к освобождению дырки, оно, наоборот, является конечным. Поэтому энергия реакции (111.28) указывается на зонной диаграмме положением уровня V zn, а реакции V zn - - V zn A - положением уровня V zn по отношению к валентной зоне. Вообще следует помнить, что зонная схема является диаграммой энергий, которые относятся не к дефектам, а к процессам, в которых участвуют эти дефекты, я потому, обозначая уровень символом дефекта, следует указывать, к какому состоянию последнего - начальному или конечному - относится этот символ. [35]
Если ударная волна распространяется в неионизованном газе, то опережающее ударную волну излучение приводит к образованию свободных электронов перед скачком уплотнения. Как мы увидим в § 13.3, присутствие даже нескольких свободных электронов перед скачком температуры ионов и нейтральных частиц способствует более быстрому установлению ионизационного равновесия за скачком уплотнения. [36]
 |
Зонная схема образования и перемещения свободного электрона и дырки. [37] |
Процесс разрыва ковалентной связи под действием, например, тепла или света, связанный с образованием свободного электрона и дырки, называют генерацией электронно-дырочных пар. Если же дырку заполняет свободный электрон, исчезают свободный электрон и дырка. Такой процесс называют рекомбинацией электрона с дыркой, или просто рекомбинацией. [38]
Заряженные атомные частицы, такие, как альфа-частицы, протоны, ядра дейтерия, тоже способствуют образованию свободных электронов и повышению энергетических уровней электронов стекла; при этом сила воздействия их гораздо больше, чем сила воздействия гамма-квантов или электронов, а область проникновения в стекло неизмеримо меньше и в среднем равна 0.04 мм. [39]
На стадии кристаллизации выше 2000 С УХ Как сернистых, так и малосернистах коксов резко снижается вследствие образования свободных электронов проводимости. [40]
При этом предполагается, что в послесвечении преобладает один сорт ионов, а также, что процессы образования свободных электронов путем пен-нинговской ионизации и процессы образования отрицательных ионов несущественны. [41]
ЬЕ - ширина запрещенной зоны, элементарным актом внутреннего фотоэффекта является ереход электрона из заполненной полосы в свободную с образованием свободного электрона и дырки. В зависимости от условий рекомбинации тех и других при длительном освещении может преобладать дырочная или электронная проводимость. Как правило, знак фотопроводимости совпадает со знаком темновой проводимости. [42]
 |
Влияние примесей на электропроводность четырехвалентного полупроводникового элемента. [43] |
Наличие в кристаллических структурах Ge или Si примесей атомов пятивалентных элементов ( Р, As или Sb) приводит к образованию свободных электронов. [44]
Из формулы (4.39) следует, что в случае термодинамического равновесия, когда плотность атомов в возбужденном состоянии определяется законом Больцмана, образование свободных электронов происходит в основном за счет ионизации возбужденных атомов. При этом использование формулы Томсона для сечения ионизации не носит принципиального характера, так как эта формула позволяет правильно оценить величину сечения ионизации. При нарушении максвелловского распределения электронов по энергиям, на основании которого получена формула (4.39), функция распределения электронов по энергиям при больших энергиях электрона убывает резче, чем максвелловская функция. Поскольку ионизация определяется энергичными электронами, соответствующими хвосту функции распределения, то при нарушении максвелловского распределения условия, приводящие к ступенчатой ионизации, выполняются гораздо лучше. [45]
Страницы: 1 2 3 4